Si—GaP(110)异质结的理论研究 |
| |
引用本文: | 车静光 Mazur,A.Si—GaP(110)异质结的理论研究[J].复旦学报(自然科学版),1994,33(3):241-248. |
| |
作者姓名: | 车静光 Mazur A |
| |
摘 要: | 用自洽的半经验紧束缚方法,定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Si-GaP(110)异质结,得到了主要结果是:GaP和Si表面有相似的电子特性:由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰;在Si/GaP(110)界面有不同于其他异质结的、由Si-GaP界面态引起的界面势;两个半元限晶体构成的SiGaP(110)异质结的能带偏移为0.43eV。
|
关 键 词: | 异质结 能带偏移 表面弛豫 半导体 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|