共查询到20条相似文献,搜索用时 21 毫秒
1.
低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20/Cu的结构与磁电阻 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu金属多层膜,在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化,在Cu层厚度tCu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×10^4A/m和8×10^3A/m低温下(77K)磁电阻为33.2%和27.6%,系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响,用真空退火 相似文献
2.
用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co2多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系,在适当的Cu厚度下,制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜。研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中。 相似文献
3.
用四探针法,纵向表面磁光效应,极克尔磁光谱仪和椭圆偏胱谱仪研究了离子束溅射法制备的「Co90Al10(1.6nm)/Cu」30多层膜中的层间耦合,磁光效应及光学性质。结果发现对于Co-Al/Cu多层膜,其面内饱和场HS,矫顽力HC,磁电阻ΔR/R,特别是等效介电函数δ,磁光极克尔角θK分别随Cu层厚度的变化同步作周期性的振荡,其 0.9mm。 相似文献
4.
利用振动样品磁强计和电子顺磁共振谱仪研究了Fe-Ni/Cu多层膜中的层间耦合和二维效应,以及它们对磁性的影响,对于Fe-Ni(3.0nm)/Cu多层膜,面内饱和场Hs,矫顽力Hc,剩磁比均随Cu层厚度作同步振荡变化,对于Fe-Ni(2.0nm)/Cu和Fe-Ni(3.0nm)/Cu多层膜,有效饱和磁化强度与共振线宽ΔH,随Cu层厚度作同步振荡变化。在它们的铁磁共振谱中,除了一致进动共振模外,还存在 相似文献
5.
电化学制备Ni—Cu/Cu超晶格多层膜 总被引:6,自引:0,他引:6
采用单槽双脉冲恒电位制备了超晶格Ni-Cu/Cu多层膜,测试结果表明:Ni-Cu层与Cu层间界面清晰,各层均匀连续相互覆盖,具有良好的周期结构,Ni-Cu4.6nm/Cu3.4nm具有良好外延生长的超晶格结构,铜-镍生长的择优了向面为(111)晶面,该材料表现出特殊的阳极溶解性能。 相似文献
6.
蒸发法制备的Co/Al多层膜的饱和磁化强度Ms因界面效应随Co层厚度减小而下降,并存在一个0.68nm的磁性死层、磁性层减小时,Ms与温度关系不再满足BlochT^3/2定律,Ms随温度下降更快,表现出低于三维的低维磁性特征。同时,Co/Al多层膜的居里温度随Co层厚度减小而减小,遵从准二维标度定律,得出居里温度维度位移因子为0.62。 相似文献
7.
Co-Ag/Ag多层膜的巨磁电阻效应 总被引:2,自引:2,他引:0
用离子束溅射法制备了6个系列的CoxAg100-x/Ag颗粒多层膜,对其巨磁电阻随成分及Ag层和Co—Ag层厚度的变化规律进行了研究.当Ag层厚度改变时,GMR有一峰值,且随着Co含量增加,峰值向层厚增加的方向位移,当Co—Ag层厚度改变时,Co含量较高的样品的磁电阻在dm=2.0nm附近有一个极大值,而Co含量较低的样品在dm6.0nm范围是单调上升的.用磁层间静磁相互作用的反铁磁耦合模型对上述现象加以解释.还研究了Co45Ag55/Ag多层膜样品的退火效应. 相似文献
8.
9.
巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性 总被引:1,自引:0,他引:1
用磁控溅射镀膜方法,制成了巨磁电阻自旋阀多层膜Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta。它具有优良的特性。其室温磁电阻比率MR〉2%,自由层矫元力Hcl〈160A/m,自由层零磁场漂Hf〈800A/m和钉 扎层交换场Hex≈20×10^3A/M。 相似文献
10.
采用快速燃烧方法制备了超细Cu/ZnO/Al2O3催化剂.考察了制备参数对催化剂的结构和性质的影响.在脲与NO-3摩尔比为0.26、预置反应温度为500℃时,制得了分散度较好、颗粒较细的Cu/ZnO/Al2O3催化剂,其粒径和比表面分别为16nm和93.5m2·g-1.制备参数对CO2与H2合成甲醇反应中催化剂的催化性能有显著的影响.对制备过程和机理亦进行了较为详细的讨论. 相似文献
11.
利用磁控溅射,将磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3与金属Ag,Fe等材料相结合,制成了多层膜,测得了三层膜“La0.67Ca0.33MnO3/Ag/Fe”的巨磁电阻效应。 相似文献
12.
"La0.67 Ca0.33MnO3/Ag/Fe"多层膜的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用磁控溅射,将磁电阻材料La0.67 Ca0.33MnO3(Tc= 267℃)与金属Ag、Fe 等材料相结合,制成了多层膜(磁电阻材料/非磁金属/铁磁金属),测得了三层膜“La0.67 Ca0.33MnO3/Ag/Fe”的巨磁电阻效应(MR= 86% ,B= 0.8T,T= 150K). 相似文献
13.
用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系,结果表明:NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大.当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而Hc则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小.对于NiO(70nm)/NiFe(t1)/Cu(2.2nm)/NiFe(t2)自旋阀多层膜材料(括号内的量表示厚度),研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响,结果表明:被钉扎层NiFe的厚度为3nm,自由层NiFe的厚度为5nm时,MR值最大,约为1.6%. 相似文献
14.
采用磁控测射方法制备的NiFe/Cu多层膜,在室温下测量到巨磁电阻随Cu层厚度振荡的第三峰,讨论了NiFe/Cu多层膜界面结构对巨磁电阻的影响 相似文献
15.
外磁场对Fe-Cr-Co系永磁体磁性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了稳恒和交变磁场对5种Fe-Cr-Co系永磁体磁性的影响,得到了磁场强 度及其作用时间对磁性的影响规律。结果表明:含V和Ti的三种试样的磁稳定性 比不含V和Ti的好。还探讨了磁稳定化处理问题。含V和Ti的试样的稳定化 处理,其稳恒场为31.84kA/m,交变场为 3.98~7.96kA/m;不含V和Ti的试 样的稳定化处理,其稳恒场为7.96 mA/m,交变场为1.99~5.97kA/m. 相似文献
16.
杂多阴离子柱撑水滑石类层柱状化合物的合成与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以硝酸根型水滑石做交换前驱体,采用离子交换法合成了过渡金属离子三元取代硅钨杂多阴离子柱撑水滑石M_2Al(OH)_6-SiW_9Z_3(H_2O)_3O_(37)(M=Mg ̄(2+),Zn ̄(2+),Ni ̄(2+),Z=Cu ̄(2+),Co ̄(2+)).用元素分析、XRD、IR、UV-DRS和DTA等手段对产物的组成和结构进行了表征。结果表明,杂多阴离子引入水滑石层间后,水滑石的层间距从0.92nm增大到1.47nm;提高了柱撑材料的热稳定性,随层的组成不同热稳定性顺序为:Mg_2Al≥Ni_2A1>Zn_2Al;随柱的组成不同热稳定性顺序为:SiW_9Co_3>SiW_9Cu_3.处于层中的杂多阴离子在层的脱羟基温度以下均能保持良好的Keggin结构。 相似文献
17.
合成了新试剂5-(3-羧基苯偶氮)-8-氨基喹啉(m-CPAQ).Cu(Ⅱ)与m-CPAQ反应生成稳定的紫红色1∶3络合物.λmax为544nm,摩尔吸光系数ε为7.3×104L·mol-1·cm-1.铜量在0~16μg/25ml范围内符合比尔定律.方法有高的灵敏度和选择性,用于实际样品分析结果满意. 相似文献
18.
采用离子交换技术合成了过渡元素取代型Keggin结构杂多阴离子柱撑层柱化合物Zn_2Al-SiW_9Z_3(Z=Co ̄(2+)、Cu ̄(2+0)与Zn_2Al-BW_11Z(Z=Co ̄(2+)、Cu ̄(2+)和Ni ̄(2+));XRD与IR测试表明,它们具有0.98±0.01nm的通道高度,层间杂多阴离子保持Keggin结构骨架;在液-固相体系中,它们对苯甲醛的H_2O_2氧化反应具有显著高的催化活性,是性能优秀的固一液相氧化型催化剂. 相似文献
19.
本研究了Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9新型高性能铁基超微晶软磁合金的性能与结构特征。结果表明,该合金的最佳退火温度为535℃,其起始磁导率μ(0.08A/m)=14.8×10^4,矫顽力Hc=0.6A/m,饱和磁感B(800A/m)=1\22T。最佳铁损分另为P5/10k=5.6W/kg,P5/20k=17.4W/kg,P5/50k=80W/kg,P5/100k=270W/kg。且在相 相似文献
20.
铸造—热压变形Pr17Fe76.5B5Cu1.5永磁合金的组织结构与性能 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了Pr17Fe76.5B5Cu1.5永磁合金经铸造和热压变形量分别为0,30%,50%和70%后,样品的成分、组织、性能随变形量的变化。随热压变形量的增加,样品的Pr和Cu的含量降低,而Fe和B的相对含量提高;各向异性和各种磁参量,如μ0Ms,Br,iHc,bHc和(BH)m均提高。热变形量大于80%,并经最佳热处理后样品的性能达到:Br=1.2T,iHc=1.22MA/m,(BH)m=260kJ/m3,与烧结Pr-Fe-B永磁体的性能相当。 相似文献