IGBT的PSPICE模拟

提出了一种用ＰＳＰＩＣＥ程序模拟绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）特性的方法。首先详细介绍了ＩＧＢＴ的ＰＳＰＩＣＥ模型的建立,以及利用外特性参数提取模型参数的方法。最后对所建立的模型进行了验证,证明了该方法的可行性。     

多嵌段共聚物PET／PEO中的自由体积特性

利用正电子寿命谱的ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ分析程序，研究了多嵌段共聚对苯二甲酸乙二酯／环氧乙烷（ＰＥＴ／ＰＥＯ）的自由体积特性。从正电子寿命的最长分量随温度的变化发现，多嵌段共聚物有两个玻璃化转变温度，这表明多嵌段共聚物中ＰＥＯ和ＰＥＴ相的互容性较差，根据浅束缚态理论解释了玻璃化转变温度以下最长寿命分量强度的变化规律，并且 ＭＥＬＴ分析程序得到了自由体积浓度随温度的分布。     

贝尔实验室半导体器件的研制

叙述了贝尔实验室有关半导体器件的研制工作，主要论述了早期半导体器件的开发，点接触晶体管和结型晶体管，场效应晶体管（ＦＥＴ），发光二极管（ＬＥＤｓ），里德二极管（ＩＭＰＡＴＴ），以及光生伏打电池等     

HEMT材料的电子辐射效应

用能量为１～１．８ＭｅＶ、注量为１０￣（１３）～１０￣（１０）／ｃｍ￣２的电子，对ＨＥＭＴ（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照，得到了材料结构中的２维电子气（２ＤＥＧ）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系，井进行了讨论．还将该结果与电子辐照Ｐ－ＨＥＭＴ和ＬＴ－ＨＥＭＴ材料的结果进行了比较，对异质结界面的辐照效应进行了分析。     

双极型晶体管GP模型参数自动提取系统

在叙述晶体管模型参数提取原理的基础上,着重介绍了自制晶体管ＧＰ模型参数自动提取系统的工作原理．该系统通过计算机控制实现数据自动采集、采用模型参数总体优化提取方法提取晶体管ＧＰ模型参数．运用该系统对ＭＪＥ１３００５晶体管进行参数提取及ＰＳＰＩＣＥ模拟,模拟结果与器件外特性测试结果相符合     

双极型晶体管GP模型参数自动提取系统

在叙述晶体管模型参数提取原理的基础上,着重介绍了自制晶体管ＧＰ模型参数自动提取系统的工作原理,该系统通过计算机控制实现数据自动采集,采用模型参数总体优化模型方法提取晶体管ＧＰ模型参数,运用该系统对ＭＪＥ１３００５晶体管进行参数提取及ＰＳＰＩＣＥ模拟,模拟结果与器件外特性测试结果相符合。     

基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．     

PET低温自由体积特征的正电子谱学研究

应用正电子湮没技术，测量了ＰＥＴ（聚对苯二甲酸乙二脂）在不同温度下的正电子湮没寿命谱。使用正电子寿命谱的离散分法（ＰＡＴＦＩＴ），根据正电子湮没参数随温度的变化，两个次级转变点Ｔβ和Ｔγ被确定。利用最新发展的连续谱的分析程序（ＭＥＬＴ），得到几种不同温度下的自由体积的分布，发现低温下自由体积大小，数量及分布并非常量，同时发现在极低温（３０Ｋ）下，自由体积的分布很宽。     

基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管的基本工作原理，给出了其设计方案。采用ＳＬＯ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析。测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性。     

溴化磷酸酯阻燃PET纤维的研制及其性能研究

采用新型添加型阻燃剂ＦＲ－ＰＢＯ制成了阻燃涤纶，对其性能测试结果表明，阻燃剂的加入使聚酯纤维（ＰＥＴ）的阻燃性能明显提高，特性粘度、表观粘度以及熔融结晶过程中的特征温度有所降低，且使ＰＥＴ的热稳定性略有下降。     

多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析

本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受障碍导致等效薄发射极晶体管的电流增益提高;多晶硅膜的少子迁移率和寿命是提高电流增益的两个关键参数.管芯测试结果亦表明,由于多晶硅膜的作用,薄发射区晶闸管的开通特性并未因发射区很薄而受影响.     

一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型

针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.     

Casimir Force Correction Between Parallel Polysilicon Plates

IntroductionIn 1 948Casimir predicted an attractive forcebetween two neutral metal plates.The force is dueto the metal boundaries altering the zero pointelectromagnetic energy E=Σ∞n (1 /2 ) hωn,wherehωn is the photon energy in each allowed photonmode n[1] .The Casimir effectis significantin someareas in the physics and cosmology of thin films,and may present strong restrictions on theconstants of hypothetical long- range interactions.Casimir equation combines the macroscopic and themicro…     

Experimental and Theoretical Study of Young Modulus in Micromachined Polysilicon Films

IntroductionThe development of microelectromechanicalsystems (MEMS) has achieved impressiveprogress with many new designs that couldpotentially lead to another industrial revolution.However,the long- term durability of the MEMSdevices,which requires a fun…     

基于横向多晶硅二极管的CMOS兼容热风速计

提出了并试制了一种采用多晶硅横向二极管作为测温元件的CMOS兼容热风速计，该风速计的加热元件和测温元件均采用多晶硅技术制造，工艺与CMOS兼容，对横向多晶硅二极管的温度敏感特性调查发现，其正向电流随温度增加几乎呈线性增加，显示该多晶硅二极管具有负的电压温度系数，其值约为－1．8mV/K，非常接近单晶硅上PN结的电压温度系数－2mV/K，采用CMOS工艺试制由8个横向多晶硅二极管组成的风速计结构，并实验测量了其风速和风向敏感特性。     

光折变液晶系统的表面电荷调制模型

为了研究载流子的注入对液晶盒中电压的影响,构建了光折变液晶系统中表面电荷调制的载流子注入模型。在外加直流电场的作用下,液晶中的载流子向表面聚集,形成界面双电层。该双电层屏蔽了大部分的外加电场,使外加电压基本上都降落在界面双电层上。非均匀光照射时,在光亮区,来自于ITO电极的电荷将越过界面,产生载流子复合。而处于暗区的表面电荷密度基本保持不变,界面电荷层继续屏蔽外加电场,在液晶体内形成了与光强空间分布相对应的空间电荷场。基于以上模型,给出了界面附近的载流子和电场的动态演化过程,理论分析与已有的实验结果非常吻合。     

fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制

利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50,基极开路下,收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V,晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。     

Ar~+激光诱导淀积多晶硅精细线条

以聚焦的A_r~+激光束诱导多晶硅膜的淀积,在可移动的反应器上实现了宽度小于激光束径的多晶硅精细线条的直接书写。这可以视为VLSI的一种新的布线工艺的雏形。     

新型多晶硅压力传感器

论述了一种新型多晶压力传感器。它采用矩形双岛硅膜结构，多晶硅作应变电阻，二氧化硅介质膜作隔离，用集成电路工艺和微机械加工技术制作 ，因而，传感器具有灵敏度高和高等特点，利用有限元法对双岛结构的应力分布进行了模拟计算，实验结果与理论分析一致。     

多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型

提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.