氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响

采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究．用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌．研究表明，GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性能有显著影响．合适的氮化衬底条件可得到表面形貌、发光性能和电学性能均较好的GaN外延膜．研究表明长时间氮化衬底使GaN外延膜表面粗糙的原因可能是由于氮化衬底影响了后续高温GaN的生长模式，促使GaN三维生长所导致的．     

TiN缓冲层厚度对立方AlN薄膜显微组织结构的影响

为了提高亚稳立方Al N薄膜的外延质量,采用激光分子束外延法,以Ti N为缓冲层在Si(100)衬底上制备立方Al N薄膜,主要研究了Ti N缓冲层厚度对立方Al N薄膜结晶质量和表面形貌的影响。结果表明,以Ti N为缓冲层可制备出高取向度的立方Al N薄膜,当缓冲层沉积时间为30 min时,立方Al N薄膜的结晶质量最好,表面最平整。     

气相法同质外延金刚石单晶薄膜的研究

本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向，反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响，给出了获得比较理想单晶外延层的实验条件。     

利用STM直接观察红荧烯薄膜中的质量密度波

在异质外延薄膜的生长中,应力对薄膜的结构和形貌起着至关重要的作用.理论研究表明,在非公度的薄膜中,应力可以通过形成质量密度波(MDW,Mass Density Wave)的形式释放出来.但是,迄今为止还没有直接的证据证明质量密度波的存在.本文我们用扫描隧道显微镜(STM,Scanning Tunnelling Microscopy)在Bi(001)表面形成的单层红荧烯薄膜中,直接观察到了质量密度波.其表现形式为表面高度有微小的正弦波动,并且分子取向发生周期性畸变.此外,我们还指出质量密度波的形成是由于红荧烯单层膜相对Bi衬底的晶格转动所导致的,由于转动方向不同,质量密度波会呈现出条形或之字形两种不同形状的条纹.     

图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析

利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区域应变最大,由中心到边缘逐渐减小,边缘发生突变,急剧减小;不同的膜厚下,薄膜表面应变分布规律相同,并且薄膜越厚,应变越小;图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响,当衬底厚度在6μm以内,宽度在10μm以内时,更有利于薄膜应变的释放.     

衬底定向偏差角对非平面衬底液相外延的影响

在非平面衬底液相外延中,衬底的定向偏差角对外延生长有较大影响。为此我们对衬底定向偏差角对外延层形状及表面形貌的影响做了实验研究。 一、实验 1.对外延层形状的影响 我们在衬底定向和(100)面无偏差角(误差在±0.1°范围)及沿沟槽方向和(100)面有0.5°—1°的偏差角的衬底片上,进行液相外延生长四层结构。     

不同镀膜温度下离子镀TiN与Cr/Cu接触界面形成与表面特性

使用多弧离子镀在铜基镀Cr的衬底上制备TiN薄膜，借助表面分析技术研究了不同温度下离子镀TiN与Cr/Cu接触的界面与表面性质。通过SEM、TEM观测表面形貌，微结构随温度变化；用AES和XPS测量接触界面成分随温度的变化。结果表明，在90℃下，表面TiN薄膜欠均匀，界面较清晰可辨；随着温度的升高，表面微结晶性能有所改善，在170℃时可见局部球聚隆起，出现粗细不同的类枝状结晶结构，此时TiN与Cr/Cu界面层增厚，形成较为稳定的Tr-Cr金属间化合物。TiN薄膜在金属衬底上的生长行为与衬底表面的原子结构、晶向，以及TiN与金属间的电荷转移和键合状况有关，适当的衬底温度（120℃）可以改变TiN形貌，改善其机械性能。     

Al2O3衬底上多晶硅薄膜的外延和区熔再结晶

研究了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长和区熔再结晶.利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法,在低成本的Al2O3衬底上沉积了重掺杂的致密多晶硅薄膜,薄膜的晶粒尺寸在微米级.经区熔再结晶(ZMR)后,薄膜的晶粒尺寸有了较大的提高,而且迁移率较高,这样的薄膜可以用作晶体硅薄膜太阳电池的籽晶层.最大的晶粒达到毫米量级,空穴迁移率超过50 cm2·V-1·s-1.在籽晶层上外延的活性层形貌与此类似.这些结果显示这种薄膜在光伏应用方面有较大的潜力.     

NiCo2O4外延薄膜的制备及其结构依赖的电输运性能

采用脉冲激光沉积技术在不同衬底材料上沉积了NiCo_2O_4(111)外延薄膜,分别利用反射式高能电子衍射、X线衍射及原子力显微镜表征了NiCo_2O_4外延薄膜的晶体结构和表面特征,测试了2种不同衬底材料上NiCo_2O_4外延薄膜的电输运性质,分析了薄膜的电输运有效激活能与温度的关系.研究发现,2种不同衬底上NiCo_2O_4外延薄膜的电输运性质具有完全不同的特征,且均表现出好的导电性.所得研究结果可以为NiCo_2O_4薄膜在自旋电子器件中的应用提供重要的实验指导和现实参考.     

用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量

以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层．为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量．借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征．结果表明：区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高．     

Polycrystalline ZnSx Se1—x thin films deposited on ITO glass by MBE

MBE growth of ZnSx Se1-x thin films on ITO coated glass substrates were carried out using ZnS and Se Sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃.The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-grown polycrystalline ZnSx Se1-x thin films had a preferred orientation along the (111) planes.The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD layer peaks showed strong growth temperature dependence,with the optimized temperature being about 290℃.Both AFM and TEM measurements of these thin films also indicated a similar growth temperature dependence.Hing qual-ity ZnSx Se1-x thin film growm at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS valus of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined columnar structure.     

碳源浓度对掺硼金刚石/多孔钛复合材料制备的影响

利用热丝化学气相沉积技术,在多孔钛膜上生长重掺硼金刚石薄膜,研究了碳源浓度对复合膜表面形貌及薄膜质量的影响.结果表明钛膜表面沉积的掺硼金刚石薄膜因碳源浓度的不同而不同,掺硼金刚石薄膜的质量随碳源浓度的减小而提高.金刚石/钛复合膜因碳源浓度的不同会产生复杂的变化,在重掺杂高碳源浓度下金刚石生长抑制碳化钛的形成.     

用改进的COATES图求回归差F_k(x)和_■k(x)

本文提出了用改进的Coates图求回归差F_k(x),F_k(x)的拓扑方法,使网络的增益、回归差、灵敏度的计算简便。     

The impact of nanoporous SiN x interlayer growth position on high-quality GaN epitaxial films

The impact of nanoporous SiN x interlayer growth position on high-quality GaN epitaxial film was elucidated from the behavior of dislocations. The best quality GaN film was achieved when a nanoporous SiN x interlayer was grown on a rough layer, with the high-resolution X-ray diffraction rocking curve full width at half maximum for ( 1102 ) reflection decreasing to 223 arcs, and the total dislocation density reduced to less than 1.0×10 8 cm 2 . GaN films were grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition. The quality of these films was investigated with high-resolution X-ray diffraction, atomic force microscopy, and cross-sectional transmission electron microscopy. A preference for the formation of half-loops to reduce threading dislocations was observed when an SiN x interlayer was grown on a rough layer. A growth mechanism is proposed to explain this preference.     

磁控溅射WOx电致变色薄膜的结构

采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜的晶体结构和微观表面形貌进行了分析,探讨了WOx薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系.实验分析结果发现:磁控溅射得到的WOx薄膜主要是非晶态的,而其在着色状态和退色状态下亦呈非晶特性;电致变色反应使薄膜的颜色发生了可逆变化,必然地也使结构发生了可逆变化.Li 的进出,虽然没有使组成WOx的基本结构发生大的变化,但其微观表面形貌发生较大差异,因为原子团簇的堆积方式向较规则的低能态堆积方式转变.     

强g(x)-J#-clean环

引入了强g(x)-J^#-clean环的概念, 得到了强g(x)-J^#-clean环的若干性质,并借助于强g(x)-J^#-clean环给出了强J^#-clean环的刻画。     

智能天线在CDMA2000 1x EV-DO中的实现方案

讨论了智能天线技术及其在CDMA2000 1x EV-DO标准中的应用,否定了有关智能天线应用的传统观点:智能天线最适合用于上下行链路同频点的TDD(时分双工)系统.依据1x EV-DO标准支持上下行链路工作于FDD CDMA/TDMA模式和智能天线(SA)的定向收发信原理,对智能天线技术在CDMA2000 1x EV-DO标准中的实现提出了两种实现方案.两种方案需要估计出上行链路用户的DOA后,即可用一副SA实现单一载波上多个CDMA用户的定向接收,再将该DOA及时用于下行高速数据载波多个TDMA用户的定向发信,可大幅度提高上下行链路的频谱和功率的利用率.     

关于P（x）函数的积分计算

主要讨论P（x）函数的积分计算问题,采用解析数论的zeta函数计算方法,给出了牵连P（x）函数三个积分计算的精确公式.     

带Navier边值条件的(p(x),q(x))-双调和问题的多解性

研究了一类带Navier边值条件的(p(x),q(x))双调和问题的存在性和多解性,利用Ricceri’s三临界点定理,得到问题至少存在3个弱解.     

衬底对直流磁控溅射制备TiO2薄膜结构和形貌的影响

在气压为1Pa和2Pa的情况下,文章采用直流磁控溅射法分别在Si(100)、Al2O3陶瓷、普通载玻片3种衬底上生长TiO2薄膜;利用原子力显微镜对TiO2薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。并研究表明,在Si(100)衬底上生长的TiO2薄膜,气压为2Pa时比1Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压下,Si(100)衬底上得到的TiO2薄膜质量明显优于Al2O3陶瓷和普通载玻片衬底上的。