C60双氮杂衍生物的合成与结构分析

利用具有二个叠氮基团的化合物A与C₆₀反应，以氯苯为反应溶剂，回流5h后，溶液经柱色谱分离(硅胶，V_甲苯/V_环己烷=1)得到了C₆₀双氮杂衍生物B。用紫外、红外、质谱、氢核磁等对衍生物B作了初步表征，并结合半经验AM1程序所做的能量计算，讨论并初步确定了衍生物B最有可能是两个极性一致、结构为双[6,5]开环氮杂桥轮烯结构化合物异构体的混合物 。     

喹唑啉类衍生物定量结构-保留关系的研究

基于分子间的弱相互作用来建立定量结构与色谱保留关系模型 ,计算了 2 7种喹唑啉类衍生物的分子体积V、分子表面积S、偶极矩的平方 μ² 、前线轨道能 (E_homo和E_lumo)、最正原子的净电荷 (Q_max)和最负原子净电荷(Q_min) ,各种参数物理意义明确 ,计算简便 ;用逐步回归方法 ,最后选用S、μ² 和E_lumo三个参数 ,建立了其在非极性柱OV-1和弱极性柱OV-25上的气相色谱定量结构保留模型 ,相关系数分别高达 0.9917和 0.9815。表明该模型可用于对喹唑啉类衍生物的气相色谱保留值的预测。     

酰胺基西夫碱化合物的合成及其相态行为

设计合成了一系列通式为CH₃CONH—C₆H₄N=CH—C₆H₄—OC_nH_2n+1(n=1,2,4,6,12)的含酰胺基的西夫碱化合物。通过熔点测定、¹H-NMR和IR等方法，对化合物的结构进行了表征。并通过DSC检测，考察了柔性链上碳原子数对介晶相态的影响。结果表明，当碳原子数n≥ 4时，随着碳原子数的增加，介晶相清亮点温度 (T_cl)逐渐降低，介晶相温度区间 (ΔT)逐渐变窄。     

K4Sn3Se8的固相合成、晶体结构和反射光谱研究

采用反应性熔盐法，通过中温固相反应在500℃下合成晶体K₄Sn₃Se₈。该晶体属正交晶系，空间群Ccca，晶胞参数：a=0.82115(6)nm，b=2.7790(2)nm，c=0.81865(6)nm，V=1.8682(2)nm³，Z=4。K₄Sn₃Se₈由[Sn₃Se₈]₄三聚体负离子和K⁺正离子组成。漫反射光谱研究表明该材料能隙(Eg)为2.6eV，属于半导体，对太阳能具有选择吸收的特性。     

四氯苯醌与N-甲基咪唑在二氯甲烷中的基态作用研究

研究了四氯苯醌(CA)与N-甲基咪唑(NMIm)在CH₂Cl₂中的基态作用 ,结果表明二者反应形成CA与NMIm的摩尔比为1∶1的电荷转移络合物(CTC) ,并采用UV-Vis、IR、及NMR进行了表征。应用Benesi-Hildebrand方程计算得到该CTC的平衡常数K_CT=6.234× 10^-2 L·mol^-1,及摩尔消光系数ε_CT=8.442× 10³(L·mol^-1·cm^-1)。     

K2MnSnTe4的溶剂热合成和反射光谱研究

采用溶剂热法，以n(K₂Te₄)∶n(MnCl₂·4H₂O)∶n(SnTe) =1∶1∶1的摩尔比、乙二胺作溶剂，在160℃下反应6d，生成黑色块状晶体K₂MnSnTe₄。其结构由具有扩展的网状共价骨架的Zintl负离子 [(MnSnSe₄)^₂-]_n和K⁺正离子堆积而成。漫反射光谱研究表明该晶体具有 1 .75eV能隙 (E_g)，属于半导体，对太阳能具有选择吸收的特性。     

富勒烯衍生物非线性光学及其光限幅研究

应用倍频Nd：YAG脉冲激光,在波长为532nm、脉冲宽度为8ns的条件下,测试了富勒烯衍生物非线性吸收与光限幅特性。测试结果表明,C60衍生物的光限幅性能优于C60的光限幅性能。     

含羟基偶氮类介晶化合物的合成及相变行为研究

通过醚化、还原、重氮化等反应，设计合成了一系列通式为HOC_nH_2nC₆H₄N=NC₆H₄OC₂H₅(n=2 ,4 ,6 ,8,10 )的含羟基偶氮类化合物。通过¹H-NMR和IR等方法，对该系列化合物的结构进行了表征。并通过DSC检测，考察了柔性链上碳原子数对介晶相态、清亮点温度和相转变温度的影响。结果表明，当柔性末端基上的碳原子数为偶数时，随着碳原子数的增加，该类化合物逐渐由双变态介晶转变为单变态介晶，除n=10外，清亮点温度逐渐降低。文章用W.H.Deieu理论对清亮点的变化给出了相应的解释。     

选用混合介质的双池受激Brillouin散射系统

提出了双池受激Brillouin散射系统中选用混合介质, 进而提高系统性能的方案. 混合介质的Brillouin频移随混合比不断变化, 通过混合介质可消除不同介质Brillouin频移的偏离. 在双池受激Brillouin散射系统的振荡池中选用了光学击穿阈值高的丙酮(C₃H₆O), 放大池中选用了吸收系数小, 并且Brillouin频移与C₃H₆O的Brillouin频移相同的四氯化碳(CCl₄)和四氯乙烯(C₂Cl₄)的混合介质(CCl₄的体积分数为4%), 并利用Nd:YAG调Q激光器研究了该系统的性能. 实验结果表明, 与选用相同介质(C₂Cl₄)和选用不同介质(C₂Cl₄和C₃H₆O)的双池受激Brillouin散射系统相比, 选用混合介质(CCl₄/C₂Cl₄)的双池受激Brillouin散射系统的负载能力、相位共轭保真度和能量转换效率及其稳定度等均有明显地提高     

辐射在低密度介质中传输的实验

利用激光能量为 2000 J、脉宽为 1 ns、三倍频的8束的神光Ⅱ激光装置, 将8束激光注入金柱腔, 产生峰值辐射温度约140 eV的辐射场, 用来驱动密度为50 mg/cm³的CH泡沫(C₆H₁₂)和掺铜CH泡沫(铜原子比为2.14%, C₆H₁₂Cu_0.394)样品柱, 研究辐射在泡沫中的超声速传输问题. 利用三色谱仪在同一发实验中获得了双能道(210 和 840 eV)光子在泡沫中的传输时间, 采用透射光栅谱仪测量辐射穿过泡沫材料的透过谱, 由透过谱能得到光学厚度. 实验结果表明, 不同能区的光子因辐射不透明度不同使得在介质中的传播时间不同, CH泡沫中的 210 eV能道的光子快于 840 eV能道光子传出泡沫样品, 而在掺铜CH泡沫中则相反. 在CH泡沫中的光学厚度小于1, 在CH泡沫中掺少量铜掺使光学厚度超过1.     

一类变换图的同构问题

利用度序列的概念,证明变换图G~(--+)与H_n~(--+)同构,当且仅当G与_n同构.以及在G连通的条件下,G~(--+)与C_n~(--+)同构,当且仅当G与_n同构.     

K2CuIn3Se6的固相合成、晶体结构和性能

采用反应性熔盐法以n(K₂Se₃ )∶n(Cu)∶n(In)∶n(Se) =2∶2∶1∶6的摩尔比,在773K下反应5d,得到四元金属硒化物K₂CuIn₃Se₆。该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c ,晶胞参数a =1 .1484(2)nm,b =1.1458(2)nm,c =2.1327(4)nm,β =97.81(3)^o,V=2.7802(1)nm³,Z=8.K₂CuIn₃Se₆具有层状结构,含有二维共价结构的负离子,²∞[CuIn₃Se₆]^2-.²∞ [CuIn₃Se₆]^2-由配位四面体[CuSe₄]和[InSe₄]共顶点连接而成。²∞[CuIn₃Se₆]^2-和K+ 以静电力堆积成晶体。漫反射光谱研究表明,该晶体具有1.6eV的光学能隙,属于半导体,对太阳能有选择吸收的特性。     

一类双羟基西夫碱化合物的合成及表征

文中以1,6-己二醇或其它类二醇、对硝基酚、对醛基苯乙醇为主要原料,采用Williamson醚合成法和其它方法合成了一类新型西夫碱化合物,其通式为HO—C₂H₄—C₆H₄—CH=N—C₆H₄—OC_nH_2nOH(n＝2,3,4,5,6),重点研究了n＝6时的西夫碱,并通过熔点测定、¹H-NMR和IR等方法,对该西夫碱的结构进行了表征。     

C*-代数的有限维量化度量空间逼近(英)

矩阵序单位空间 (A, 1) 和矩阵 Lip-范数 L 构成了量子化的度量空间 (A, L) .通过研究紧群 G 在 C*-代数 A 上的作用, 证明了由紧群 G 作用的 C*-代数A 决定的量子化的度量空间 (A, L) , 存在一个有限维的量子化的度量空间序列 (A_n, L⁽ⁿ⁾) ,使得(A_n, L⁽ⁿ⁾) 按照量子化的 Gromov-Hausdorff 距离收敛到 (A_n, L) .     

甲醇与O[3P]反应机理的从头算及动力学

采用UQCISD/ 6-311G (d,p )从头算方法,优化甲醇和O [³P ]的反应两个通道、反应物、过渡态和产物的几何构型。进一步运用G2方法进行单点能量校正,得出通道 (1)和通道 (2)的位垒分别是48.86kJ/mol和28.89kJ/mol。并指出通道 (1 )是吸热反应,而通道 (2 )是放热反应。在300～3200K温度范围内,采用传统过渡态理论计算两个反应通道各自的速率常数k₁ 和k₂ ,由此采用非线性最小二乘法,得出这两个反应通道各自的速率方程为k₁=2.43×10^-18×T^2.23×exp(- 32.97/T)cm³mol^-1 s^-1 (300K≤T≦3200K), k₂=6.12× 1 0 ^-18×T^2.19×exp(- 1396/T)cm³mol^-1s^-1(300K≤T≦3200K) 2/k₁对温度变化的依赖关系。计算得出CH₃OH和O[³P]反应的总速率常数k₁₊₂ ,与实验结果取得很好的一致。     

链烃标准熵的边价拓扑研究

由顶点i与j形成边k的特征值(δ_k)：δ_k=4.96/(χ_p,i+χ_p,j),链烃中边j的边价δ^V_j定义为与边j相邻边的δ_k值之和。在分子图的邻接矩阵基础上,定义新的边价连接性指数（^mF′）及其逆指数（^mF′）。使用其中的⁰F,¹F,⁰F′,¹F′与228种链烃（含157种链烷烃,71种不饱和烃）标准熵(S_m^Θ)的复相关因数为0.999,计算值与实验值基本吻合。优于Thinh基团加和法的估算结果。     

烷烃衍生物第一电离能的自相关拓扑研究

文中定义烷烃衍生物分子中非氢原子的染色序数(f_i),它对于非氢原子具有优异的选择性。由f_i建构1阶染色序数自相关拓扑指数(¹F)的定义式为：¹F=［Σ(1+k)^-0.25·(f_i·f_j)^-1］^0.5，它对烷烃衍生物分子具有良好的结构选择性。32种脂肪族胺、醇、醚、硫醇、硫醚类化合物的第一电离能(I_p,eV)与¹F及O，N，S原子的电负性(X_PL)的关系式为：I_p=13.0264-3.8208¹F +0.1773X_PL,R=0.9929。令人满意的27种卤代烷(F，Cl，Br，I)的关系式为：I_p=8.2727-2.6406¹F+1.5168X_PL,R=0.9979。这两个模型较好地揭示了烷烃衍生物第一电离能的递变规律。经Jackknife法检验，具有模型稳健性,并对23种烷烃衍生物I_p估算，显示良好的预测能力。因此，文中为烷烃衍生物第一电离能的预测提供一种有效方法。上述59种烷烃衍生物的I_p与¹F的相关系数为0.9791，明显优于著名的Kier指数(¹X^v)（其R仅为0.4190）。结果表明，所建定量结构性质相关(QSPR)模型的相关性高、稳健性好、预测能力强。     

抗脱落铁基二氧化铅电极的研究

采用3步阳极氧化法在铁片表面依次生成铁氧化膜、β-PbO₂和α-PbO₂，制得结合牢固、抗脱落性能优良、具有 Fe/Fe_xO_y/β-PbO₂/α-PbO₂结构的铁基二氧化铅电极。采用XPS、XRD、交流阻抗和扫描电镜对铁氧化膜组成、β-PbO₂和α-PbO₂的晶型及电化学活性、电极切面结构进行了分析表征。借鉴漆膜性能标准测试方法，对铁基二氧化铅镀层的抗机械脱落性能进行了综合测试评价。研究发现，预先将铁基体放在4 mol/L KOH水溶液中，在温度80℃、阳极电流密度60mA/cm²条件下，使铁片表面预氧化生成一层棕红色的Fe₃O₄薄膜，然后再依次阳极氧化电镀β-PbO₂和α-PbO₂，能够获得抗机械脱落性好、电化学反应活性高的铁基二氧化铅电极。     

由呋喃制备吡咯的催化剂研究

使用SiO2-Al2O3催化剂,以呋喃和氨水为反应物,通过芳香环上杂原子取代的气固相催化反应制备吡咯.确定了催化剂的最佳制备条件:灼烧温度600℃,Al质量分数10%～25%,反应的pH值2.5～3.2.在催化反应温度(420±1)℃范围内,反应物的摩尔比呋喃∶氨∶水为1∶8∶37,液时空速0.27h-1,该催化剂表现出改善的稳定性和良好的催化活性及反应选择性.