4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应

以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致.     

高压4H-SiC肖特基二极管的模拟及研制

结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2.     

基于硅纳米线缺陷辅助隧穿肖特基二极管研究

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射（TE）、产生-复合（GR）,隧穿（TU）和漏电流（RL）理论模型,拟合了肖特基二极管电流传输机制,拟合结果说明Pt/p-SiNWs肖特基二极管中电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制.此外,根据实验数据计算了肖特基二极管主要特征参数,二极管理想因子n随温度升高而减小,势垒高度Φb0随温度升高而增加,并且隧穿参数E0不随温度而变化.     

宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制

采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .     

碳化硅紫外探测器的研究

采用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触，TiNiAg合金作背底形成欧姆接触，研制出Au／n-4H-SiC肖特基紫外探测器．测试分析了该器件的光谱响应特性：响应范围为200～400nm之间；在室温无偏压下，响应峰值在310nm处，响应半宽为85nm．同时测试分析了该器件的I-V特性：在室温下，正向开启电压为0．8V，反向击穿电压大于200V，反向漏电流小于10^-10A；工作温度大于250℃．实验表明，Au／n-4H—SiC肖特基紫外探测器具有很好的紫外响应特性和很低的反向漏电流．     

金铂双掺杂快恢复二极管特性的研究

掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 .     

制造工艺对三极管特性的影响分析与工艺控制实践研究

三极管生产工艺过程直接影响三极管的质量和特性－ 通过产品统计分析与实验研究，找出三极管漏电流异常变化、放大倍数、饱和电压、ＣＥ 反向击穿电压、ＣＢ 反向击穿电压漂移等特性参数不确定甚至失效的原因，并提出了工艺控制改善措施，进而提高了产品的可靠性和稳定性－图２ ，表１ ，参５－     

先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试

对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.     

二极管反向饱和电流的实验研究

利用直流复射式检流计代替电流表测量电流,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路测量电压,对二极管反向饱和电流的测量与二极管反向饱和电流随温度变化之间的关系进行了实验研究。利用直流复射式检流计提高了测量精度,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路便于控制电压的变化,可以更细微地观察反向电流的变化,从而较准确测得反向饱和电流值。     

高压硅整流元件高温耐压影响因素的研究

本文分析了硅整流元件的基区电阻率、基区厚度和反向漏电流对高压硅整流元件高温耐压特性的影响,提出了改善高温耐压特性的关键是降低表面漏电流、正确选用基区电阻率及及采用归一化基区的设计思想.文中还对不同归一化基区元件在不同温度下的击穿机理进行了分析。     

基于LabVIEW的全自动绝缘靴/手套耐压试验仪

针对传统耐压试验自动化程度低等缺点,提出了全自动绝缘靴/手套耐压试验仪,采用干式实验法、基于LabVIEW平台构建了耐压实验测试系统.研究表明:该试验仪可同时测试8只绝缘靴/手套的耐压泄露电流,自动处理分析测试结果和保存打印测试报告,测试分辨率达到0.01 mA.     

Reverse leakage current in AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes

The reverse leakage characteristics of AlGaNbased ultraviolet light-emitting diodes fabricated on sapphire substrate are studied by temperature-variable current–voltage(I–V)measurement from 300 to 450 K.At low-reverse bias range(0–0.5 V),the reverse leakage current exhibits tunneling characteristics.Meanwhile,under a more negative reverse bias range([0.5 V),the log(I)–log(V)plots exhibit close-to-linear dependency,which is in good agreement with the transport mechanism of space-charge limited current.A phenomenological leakage current model focusing on electron transmission primarily through continuous defect band formed by linear defects like dislocations is suggested to explain the reverse current–voltage characteristics.     

小波技术在氧化锌避雷器泄漏电流在线检测中的应用

为提高氧化锌避雷器泄漏电流的测试准确度,以确保设备故障诊断中的有效性和可靠性,采用小波技术对现场信号进行消噪处理,对消噪后的信号,利用信号的相关分析推算出阻性基波泄漏电流,仿真结果表明：与传统的信号分析方法相比,小波分析技术不仅能众噪声中准确提取待测泄漏电流信号,同时又可真实复现泄漏电流信号中的劣化特征,这对设备的早期故障诊断具有重要意义。相关分析的应用,则显著提高了测量的准确度,增强了设备故障诊断的准确性。     

飞机全静压系统检查仪的研制

全静压系统检查仪对飞机上该系统的气密性与仪表指示的准确性有直接影响，针对原检查仪存在的问题，研制了无油真空压力泵和以单片机为控制核心基于振动筒式压力传感器的测量显示组件，设计了新的检查仪，经实际使用表明：该检查仪具有检测速度快，精度高，判读直观，操作简单，维修性好等特点，并解决了漏油对气源质量影响及相关设备污染的问题。     

蜗杆检查仪中的误差修正技术研究

蜗杆检查仪系统是为提高蜗杆加工精度而研制的综合测量系统。该文对蜗杆检测仪系统的误差进行分析，根据误差的特点，提出用样条函数建立数学模型，并对实测数据进行处理。结果表明采用合理的误差修正技术可以提高蜗杆检查仪系统的精度和稳定性，节约内存，是适合同类检测系统误差修正的一种有效方法。     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

PLC在压力容器底部气密检验机中的应用

底部气密检验是压力容器生产工艺中的一个必要环节,底部气密机成功地实现了这一过程。本文介绍了采用西门子S7-200PLC作为该设备控制系统的软硬件设计,实现压力容器底部气密检验的自动化。     

材料拉伸实验操作计算机仿真

针对Reger电子式拉伸试验机,以Flash mx2004为主要工具,开发出材料拉伸实验操作仿真系统。该系统由试验机构造与工作原理、开机与关机、夹具与试样安装、操作过程演示与练习、模拟实验五大模块构成。各模块的运行既可自动演示,也可以根据操作者的要求逐步进行。文中还对系统中主要模块的运行过程作了一定的介绍,通过该系统,学生可学习并掌握拉伸试验机的操作过程及实验结果的输出。同时,数据库中的力学性能曲线对材料研究也有一定的参考价值。     

脂质体转移因子的制备及其活性研究

以转移因子为包裹对象，探讨提高脂质体肽类药物的包封率和减缓渗漏率的方法和条件，以及制备过程对活性的影响。采用逆相蒸发法制备、以正交试验设计筛选最佳配方组合，制备负电荷脂质体转移因子。通过巨噬细胞吞噬试验和E-玫瑰花结试验比较不同剂型、不同给药途径对小鼠免疫功能的影响。结果表明：负电荷脂质体转移因子包封率和稳定性均比其他文献报道的有较大的提高，包封率5次平均达43%，30d渗漏率12%，具有一定的稳定性；E-玫瑰花结试验显示：制备过程对转移因子活性无显著影响；巨噬细胞吞噬试验表明：不论注射或口服脂质体转移因子，均有提高机体免疫功能的作用，脂质体转移因子的药效优于游离转移因子。     

压力传感器的零点电漂移与反向漏电问题

指出过去在标征压力传感器的指标时,忽略了力敏电阻的非线性、零点电漂移、反向漏电流,但是这些问题对压力传感器的质量却有很大的影响;重点讨论了零点电漂移,并从理论上分析指出:零点电漂移起因于力敏电阻的非线性,可利用零点电漂移消除压力传感器的零热点漂移;讨论了造成力敏电阻非线性、电漂移、漏电流的各种因素,还提出一个表明零点热漂移和反向漏电流之间与传统公式不同的关系式。