金刚石n型掺杂的研究进展

对金刚石n型掺杂工艺中的施主元素的类型、机理、及所使用的基底材料和方法进行了综合评述,并对I族元素(Li,Na),V族元素(N,P),Ⅵ族元素(O,S)等施主元素掺杂后的性能进行了比较.分析表明:采用CVD法,掺入硫杂质应是较理想的掺杂方式.     

ZnO的p型掺杂研究进展

ZnO是一种宽带隙Ⅱ~Ⅵ族半导体材料,由于其独特的性能,如高电子迁移率、广泛的激子结合能,是一种很有前途的光电器件材料;但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等很难使其有效地实现n型向p型导电的转变.介绍了ZnO的p型掺杂机理、掺杂元素分类及国内外对p型ZnO研究的最新进展.     

施主掺杂多晶(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的研究

系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO_3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3晶凿的半导化程度及试样介电特性。     

La、Cr掺杂对钛酸锶钡陶瓷调谐性能的影响

针对可调谐微波器件对材料高介电可调性与低介电损耗的性能需求，采用传统固相烧结法，设计并制备了具有优异调谐性能的施受主复合掺杂(Ba_0.675Sr_0.325)_1-0.005La_0.005Ti_1-xCr_xO₃(x=0.3%、0.5%、0.7%、1.0%)陶瓷。引入施主杂质La取代A位元素改善介电可调性，受主杂质Cr取代B位元素降低介电损耗，并改变施主/受主掺杂比，研究了施主/受主掺杂比对钛酸锶钡(BST)陶瓷微观结构与电学性能的影响规律。实验结果表明：随着受主杂质摩尔分数的增加，晶粒尺寸先增大后减小，致密度先提升后降低，即合适的施主/受主掺杂比更有利于试样的致密化；当Cr³⁺的摩尔分数为0.7%时，试样的调谐性能最佳，其介电可调性为83.6%,介电损耗为0.004 1,优值因子可达到204,此时，试样的击穿场强达到14 kV/mm。研究结果可为材料在强外加电场下使用稳定性提供参考。     

施受主杂质Nb,Mn共掺BaTiO3B陶瓷的制备方法及其PTC特性

采用固相法制备施主杂质Nb和受主杂志Mn共掺BaTiO3陶瓷，应用固体物理的无序系统理论解释了BaTiO3陶瓷的半导体化机理，并以此为指导选择了较合适的施主Nb的掺杂量。讨论了受主杂质Mn的摩尔浓度与陶瓷PTC性能的关系。     

多施主掺杂一次固相合成CPTC热敏电阻的研究

用BaTiO3 粉体,采用多施主Y3 、Nb5 等掺杂对受主杂质进行补偿的方式,控制造粒和成型工艺,一次法固相合成具有低室温电阻率、高升阻比及更大PTC效应特性的CPTC热敏电阻.     

施主掺杂的（MgCoNi）O系材料的高温电导研究

研究了掺杂Ｌａ２Ｏ３施主的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系氧敏材料性能．ｘ－ｒａｙ衍射分析表明少量施主的掺入并不改变材料的晶体结构．材料在高温时的电导与氧分压关系表明施主对材料的缺陷结构具有相当重要的影响．在高温下，施主掺杂样品的缺陷仍以金属缺位为主，在１００＞ＰＯ２≥１０－１０区间，金属缺位补偿占优，此时表现为电导对氧分压不太敏感．用缺陷化学的方法对施主的行为进行了合理的解释．     

液相铌掺杂BaTiO3基PTCR陶瓷材料的研究

目的研究液相掺铌对BaTiO3系PTCR陶瓷材料电性能的影响。方法采用溶胶-凝胶一步法工艺和不同的降温速率。结果获得了室温电阻率2ρ5℃=28.93Ω.cm,升阻比Rmax/Rm in>1×106,阻温系数α30>15.00×10-2/℃,耐压强度Vbr>210V/mm,居里温度Tc=130℃的PTCR陶瓷材料。结论施主元素Nb以液相的形式添加分布更加均匀,材料的室温电阻率随施主元素Nb掺杂量增加呈U形变化,适量掺杂施主元素Nb可明显提高材料的PTCR特性,加快降温速率会明显削弱材料的电性能。     

试分析氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理

本文对p型掺杂ZnO晶体的电子布局、差分电荷、电子结构、电子态密度进行了分析,对ZnO材料p型掺杂精细结构进行了计算.所有计算都是以密度泛函理论框架下的第一原理为基础.通过计算得出:在能隙中掺杂V族元素的氧化锌材料引入了深受主能级,载流子局域在甲带顶附近.而通过加入激活施主的共掺杂技术得出,由于受主能级向低能方向移动,从而形成了浅受主能级.     

Y~(3+),Mn~(2+)掺杂BaTiO_3陶瓷晶界特性研究

PTC陶瓷的晶界特性对材料的电性能有重要影响,通过对Y,Mn掺杂钛酸钡陶瓷的电性能与晶界形态及元素分布关系的研究发现,施主掺杂量和Ca元素的掺杂量对晶粒的发育有一定影响;晶界对PTC性能有重大影响,杂乱的晶界不利于PTC效应,洁净的发育良好的窄晶界有利于PTC效应;能谱分析发现,陶瓷中不同部位的元素分布存在一定的规律.     

对兴奋剂的历史回顾

对兴奋剂,兴奋剂的危害及反兴奋剂斗争的成就及不利因素进行分析,为使体坛能够公平竞争,应加强教育宣传,解决兴奋剂使用的思想根源问题,将教育与惩处相结合,加大惩处力度;加强地区间的资金,技术,信息合作,共同抵制兴奋剂,。     

反兴奋剂——奥林匹克永恒的课题

世界体坛兴奋剂泛滥成灾,玷污圣洁的奥林匹克运动。新的兴奋剂不断涌现,今IOC防不胜防。随着人类基因组计划的完成,人类遗传密码的破译,基因兴奋剂将很快产生,奥林匹克将面临极为棘手的课题,反兴奋剂斗争似乎永远无法停息。应当加大力度呼吁全世界人民提高对兴奋剂危害性的认识,杜绝研究、制造和使用兴奋剂。同时应当鼓励运动员人人从自我做起,拒绝使用兴奋剂,奥林匹克的圣火才能永放圣洁的光芒。     

Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,...     

掺杂元素物态对PTC材料性能的影响

研究了Ｙ－Ｓｂ，Ｌｉ－Ｍｎ，Ｓｉ－Ａｌ等元素以固相或液相掺杂对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣ）材料性能的影响。实验结果表明，Ｌｉ－Ｍｎ液相掺杂可以提高材料ＰＴＣ效应及耐压值；Ｓｉ－Ａｌ液相掺杂可降低材料室温电阻率，提高材料耐压值，Ｙ－Ｓｂ液相掺杂可以降低材料室温电阻率，但ＰＴＣ效应有所降低     

兴奋剂与反兴奋剂的对立统一

兴奋剂存在的历史悠久,并朝着高科技的方向发展.兴奋剂严重危害公平与健康,世界体坛兴奋剂与反兴奋剂的斗争是一个长期的复杂的问题.     

Influence of laser doping on nanocrystalline ZnO thin films gas sensors

The effect of laser doping of Al on the gas sensing behavior of nanocrystalline ZnO thin films is reported. The doping of Al was carried out by the spin-coating of Al-precursors on nanocrystalline ZnO films followed by a pulsed laser irradiation. The laser-doped films were characterized as a function of laser power density by measuring the optical, structural, electrical, morphological and gas sensing properties of ZnO films. It was found that the laser doping process resulted in an increase of electrical conductivity of ZnO films. The performance of gas sensor was investigated for different concentrations of H2 and NH3 in the air. The results indicate that the laser doping process can be utilized to improve the sensor characteristics such as sensitivity and response time by optimization of laser power density. The optimum laser power is interpreted as the critical power level required to compete the effective doping versus developing the effective grain boundaries. Also, the selectivity of laser-doped ZnO sensors for H2 was studied for a likelihood practical gas mixture composed of H2, NH3 and CH4. It is found that these films can be optimized to develop H2 and NH3 sensors in PPM level with a higher selectivity over other reducing gases.     

掺杂预合成添加剂对氧化锌压敏电阻性能影响

为了提高氧化锌(ZnO)压敏电阻的电学性能,采用常规烧结并在ZnO压敏电阻中掺杂预先合成的BiSbO₄和Zn₂SiO₄,研究不同掺杂比例对ZnO压敏电阻的微观结构、电学性能、通流能力的影响.结果表明:ZnO压敏电阻在掺杂BiSbO₄和Zn₂SiO₄后,能够有效抑制ZnO晶粒变大,晶体结构变得致密均匀,致密性有所提高,有效提高压敏特性和通流能力.BiSbO₄和Zn₂SiO₄掺杂比例为3∶1的样品综合性能比较优异,样品的致密度为5.58 g·cm^-3,压敏电位梯度达到425 V·mm^-1,非线性系数为70,漏电流为1.2×10^-7 A·cm^-2,能量耐受能力达到334.21 J·cm^-3,残压比为2.5.     

分析化学与兴奋剂检测

介绍了体育比赛中兴奋剂的历史、种类、性质和禁用方法,阐述了分析化学在兴奋剂检测中的作用,兴奋剂检测的基本手段和常规的检测步骤。     

过量PbO和过量MgO对PMN-PT陶瓷相结构及显微结构的影响

采用NaCl-KCl熔盐法制备了单一钙钛矿相结构的0．8PMN－0.2PT陶瓷,并详细研究了添加过量PbO和过量MgO对0．8PMN－0．2PT陶瓷样品的相结构和显微结构的影响,结果表明,过量PbO和过量MgO都能抑制和消除焦绿石相,提高陶瓷的致生,而且过量MgO的效果更好。     

Effect of copper excess on peripheral blood T-lymphocytes in the chicken

Experimental study was conducted to examine the effect of copper excess on the peripheral blood T-lymphocyte by the methods of flow cytometry （FCM） and experimental pathology. 420 one-day-old Avian chickens were randomly divided into seven groups, and fed on diets as follows： 1. controls （Cu 11mg/kg） and 2. copper excess （ Cu 100mg/kg, copper excess group Ⅰ; Cu 200mg/kg, copper excess group Ⅱ; Cu 30（hng/kg, copper excess group Ⅲ; Cu 400mg/kg, copper excess group Ⅳ; Cu 500mg/kg, copper excess group Ⅴ; Cu 600mg/kg, copper excess group VI） for six weeks. The results were as follows- 1 ） In thymus, lymphocytes in the medulla were decreased in number in copper excess groups Ⅲ,Ⅳ,Ⅴ, and Ⅵ, and the increased and enlarged thymic corpuscles and the proliferated reticular cells were also observed in both copper excess group V and copper excess group VI in comparison with those of control group. 2） The percentage of CD4＋ T cells was markedly decreased from 2 to 6 weeks of age in copper excess groups Ⅳ, Ⅴ and Ⅵ （P 〈0.05 or P 〈0.01）. 3） The percentage of CD8＋ T cell was not varied in six copper excess groups during the experiment when compared with that of control group （ P 〉 0.05 ）. 4） The CD4 ＋ / CD8＋ ratio was lower from 2 to 6 weeks of age in copper excess groups Ⅳ, Ⅴ and VI than in control group （ P 〈0.05 or P 〈0.01）. 5） It was concluded that dietary copper in excess of 300mg / kg suppressed the development of T-lymphocytes and reduced the percentage of CD4＋ T cells and the CD4＋/CD8＋ ratio, and resulted in pathological injury of the thymus. Cellular immune function was finally impaired.