六边形纳米CuⅠ电化学传感Cd(Ⅱ)

基于纳米材料的优异特性,根据文献采用一步液相反应法,制备了六边形纳米CuⅠ.并将其制成碳糊电极,采用经典的三电极系统:CuⅠ修饰的碳糊电极为工作电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,铂片为对电极,在不同浓度的Cd2+溶液中,用电化学交流阻抗方法研究了其对Cd2+的电化学行为,实验结果表明电荷传递电阻Ret随着Cd2+浓度的增加而减小,实现了CuⅠ对Cd2+的电化学传感.该分析方法操作简单易行,具有潜在的应用价值,而且这些研究结果拓展了纳米材料修饰电极在电分析化学中的重要意义.     

介孔硅材料组装DNA电化学生物膜电极的制备

利用马来酰亚胺基类酯(Sulfo-SMCC)为异双功能偶联剂,将巯基修饰好的DNAzyme共价固定在已负载亚甲基蓝的氨基化介孔二氧化硅纳米材料上,并将壳聚糖混合后滴涂至碳糊电极表面上形成了电化学生物传感膜.利用循环伏安法、电化学阻抗法等对膜电极的制备过程进行了相应的表征.结果表明:基于巯基修饰的DNAzyme已成功固定于二氧化硅纳米材料上,并在碳糊电极表面上形成了稳定的膜.     

以 β -环糊精修饰碳糊电极测定槲皮素

用β-环糊精（β-CD）制成修饰碳糊电极,循环伏安法研究槲皮素在 β-CD 修饰碳糊电极上的电化学行为。结果显示：当以 pH =5 的磷酸缓冲溶液（PBS）为底液,扫描速率为 80 mV/s 时,槲皮素在 β-CD 修饰电极上的电化学信号最大,当槲皮素浓度在 5. 0 ×10 7~ 1. 0 ×10 4mol. L 1范围内,槲皮素峰电流与其浓度呈良好的线性关系,其线性方程为 Ip（μA）=7. 809 + 2. 848 ×105c（mol. L 1）,相关系数为0.999 6,检出限为 6. 3 ×10 8mol. L 1。     

浅谈纳米材料修饰电极电化学方法检测环境污染物

综述了化学修饰电极以及近几年在环境分析中的应用.首先介绍了化学修饰电极以及它们的类型、制备、应用研究;其次针对纳米材料作为修饰材料进行了简单的介绍以及纳米材料修饰电极环境污染物检测中的应用;最后对近年来采用纳米材料修饰电极电化学及电化学发光分析研究方面的进展及成果进行了汇总、分类以及简单的总结.     

基于表面活性效应下微量镉的电化学测定

报道了在适量表面活性剂的存在下 ,钠型蒙脱石 (SWy - 2 )修饰碳糊电极高灵敏度测定环境体系中微量Cd2 + 的电化学方法 .该电极在HAc-NaAc (pH =5 .0 )溶液中 ,1.0× 10 -4mol/L的溴代十八烷基三甲基铵(STAB)存在下 ,用溶出伏安法测定Cd2 + ,在 - 0 .81V(vs ,SCE)处有灵敏的阳极溶出峰 ,且峰电流与Cd2 + 浓度在 2 .0× 10 -8～ 1.5× 10 -6mol/L的范围内 ,呈良好的线性关系 .该方法用于水样中镉的测定 ,检出限为 2 .0×10 -9mol/L .     

铜离子在4-甲氧基-2,6-二(3,5-二甲基吡唑)-1,3,5-三嗪吸附型修饰电极上的电化学行为

用循环伏安法和方波伏安法研究了铜离子在4 甲氧基 2,6 二(3,5 二甲基吡唑) 1,3,5 三嗪(简称MBDT)吸附型修饰电极上的电化学行为.通过吸附在玻碳表面的配体与铜离子的配位作用,对Cu(Ⅱ)和Cu(Ⅰ)进行了电分析,结果表明,Cu(Ⅰ)在修饰电极上表现出比Cu(Ⅱ)高得多的灵敏度.     

PdNPs/MWNTs修饰玻碳电极的制备及其对六价铬的电化学测定

用钯纳米粒子多壁碳纳米管修饰玻碳电极,并用于对六价铬(Cr(VI))的电化学测定.采用场发射扫描电子显微镜、循环伏安法、交流阻抗法、差分脉冲伏安法等方法对修饰电极进行了表征.研究发现多种其他金属离子如Cr3+、Pd2+、Zn2+、Pb2+、Cu2+、Al3+、Ba2+、Ca2+、Mg2+等对六价铬离子的测定没有明显干扰,且六价铬的还原峰电流与Cr(VI)的浓度在8×10-7~5×10-8mol/L范围内呈良好线性关系,检测限达2.7×10-8mol/L.该法具有简便快速,选择性好,灵敏度高等特点.     

[(C2H5)4N]4GeMo12O40纳米粒子体修饰碳糊电极的制备及其电化学行为研究

首次将无机-有机杂化的Keggin 型锗钼酸盐纳米粒子[(C2H5)4N]4GeMo12O40用做修饰剂,通过直接混合法制得了三维、体修饰的碳糊电极,并研究了该修饰电极在酸性水溶液中的电化学行为.结果表明:修饰电极充分保持了锗钼酸盐的电化学活性和碳糊电极表面可更新的特点,不仅对亚硝酸根和溴酸根的还原具有很好的电催化活性,而且还具有优良的稳定性.     

一种新型离子液体修饰碳糊电极的制备与性能表征

用离子液体1-丁基-2,3-二甲基咪唑四氟硼酸盐为修饰剂与石墨粉和石蜡相混合后制成一种新型离子液体修饰碳糊电极(IL-CPE),采用扫描电镜表征了电极的表面形貌.利用铁氰化钾溶液作为电化学指示探针对该IL-CPE的电化学行为进行了研究,结果与碳糊电极(CPE)进行比较.实验表明该IL-CPE具有高导电性,电流响应显著增加且电极反应可逆性变好;同时离子液体的高粘度使制成的电极具有更佳的机械强度.对该修饰电极的有效面积、电容和制备重现性等参数进行了研究.     

多壁碳纳米管-离子液体修饰电极测定Cu~（2＋）

采用涂覆法制备多壁碳纳米管（MWCNT）-离子液体（[BMIM]PF6）修饰电极,研究Cu2＋在该修饰电极上的阳极溶出伏安行为。考察了实验条件对Cu2＋电化学行为的影响。研究表明,Cu2＋在修饰电极上可得到灵敏的溶出峰。在优化的实验条件下,Cu2＋在1.0×10-6～1.0×10-5mol/L浓度范围内与其氧化峰电流呈...     

钼钒磷酸-聚吡咯导电杂化材料本体修饰碳糊电极的制备、电化学及其电催化研究

首次采用化学法合成的Keggin型钼钒磷酸掺杂的聚吡咯杂化材料做修饰剂制得了本体修饰的碳糊电极，并研究了该修饰电极在酸性水溶液中的电化学行为。结果表明该修饰电极充分保持了钼钒磷酸的电化学活性和碳糊电极表面可更新的特点，不仅对过氧化氢和溴酸根的还原具有很好的电催化活性，而且还具有优良的稳定性。     

氧氟沙星光谱性质及其在碳糊电极上的电化学行为研究

对氧氟沙星的紫外光谱性质及其在碳糊电极上的电化学行为进行了研究.考察了氧氟沙星在不同的浓度、不同的pH值、不同的乙醇含量条件下以及氧氟沙星与Cu2+、Fe3+等金属离子相互作用的紫外光谱特性,并探讨了以上因素对氧氟沙星稳定性的影响.同时考察了氧氟沙星在0.1 mol/L的HCl溶液中的循环伏安行为.结果表明:氧氟沙星在1.02 V时有一明显的氧化峰,峰电流均与扫描速率的平方根成线性关系,说明氧氟沙星在碳糊电极上的电极反应为受扩散控制的完全不可逆过程.     

丁二酸酐修饰啤酒废酵母菌去除Cu2＋、Cd2＋的性能研究

将丁二酸酐修饰到戊二醛交联的菌体表面,得到了丁二酸酐修饰啤酒废酵母菌修饰菌1,用饱和碳酸氢钠处理得到了修饰菌2．采用FTIR光谱、XPS能谱对修饰菌进行了表征,考察了温度、pH值、吸附时间、浓度对修饰菌吸附Cu2＋和Cd2＋的影响,研究了修饰及未修饰菌对Cu2＋、Cd2＋吸附的动力学过程,用准二级动力学方程拟合该吸附过程为单分子层化学吸附．修饰菌对Cu2＋、Cd2＋的吸附等温线更符合Langmuir等温模式．25℃,pH〉4．0时,修饰菌2对Cu2＋和Cd2＋吸附容量分别为39．1和60．8mg／g,分别为未修饰菌的3．3和11．5倍．相同条件下,用修饰菌2对含Cu2＋、Cd2＋的模拟水样处理,去除率〉95％．     

8-羟基喹啉修饰电极测定铜的研究

本文研究了Cu(Ⅱ)在8-羟基喹啉修饰玻碳电极上的阳极溶出伏安特性。电极过程为不可逆过程。当底液为0.1MHAc-0.1MNaAc溶液,预电解电位为-0.6V(Vs.Ag-AgCl)时,铜的阳极溶出峰高比未修饰的纯玻碳电极提高约5倍。检出限可低至0.05ng/ml.150倍Cu(Ⅱ)浓度的Fe3+、50倍的Zn2+、Mn2+、Cr3+、Tl+,25倍的Co2+、Sn2+、Ni2+、Bi3+、Pb2+,5倍的Sb3+、Cd2+和2倍的Hg2+对铜的溶出峰不影响。本法测定了尿铜,对4ng/ml的Cu(Ⅱ)测得     

左旋多巴在纳米材料修饰界面上的电子传递

利用多壁碳纳米管(MWNTs)和量子点(QDs)作为修饰材料,采用简便的干燥吸附法制备玻碳修饰电极(GCE),构造了纳米材料修饰界面,采用循环伏安法和计时库伦法对左旋多巴的电化学行为进行了探讨.发现该电化学行为是一个两电子两质子的过程.该修饰电极能很好地催化左旋多巴的电化学行为,能够有效地促进它与电极之间的电子传递,有良好的电化学响应.其在修饰电极上的异相电子传递速率常数为0.595 cm·s~(-1),比在裸GCE和MWNTs修饰GCE上有很大提高.这很可能是由于QDs和MWNTs之间存在着某种协同作用,提高了MWNTs对左旋多巴的电化学催化能力所致.这一研究结果为在纳米复合修饰电极上研究生物小分子的电化学催化提供了一种新途径.     

二氧化铈纳米棒修饰玻碳电极的制备及其对芦丁的检测

本文合成了CeO2纳米棒, 并对其进行XRD和TEM表征,将制备的CeO 2纳米棒修饰到玻碳电极上,并采用电化学方法对修饰电极进行了考察,同时研究了芦丁在该修饰电极上的电化学行为,实验表明,该修饰电极对芦丁有较好的电催化作用.用示差脉冲伏安法(DPV)对芦丁进行了测定,研究发现在1.0×10 -6 -5.0×10 -4 mol/L之间芦丁在该修饰电极上的i pa 与其浓度有良好的线性关系,其线性回归方程为i p(μA)=0.2263+0.3307c(μmol/L),相关系数r=0.9949.检测限为1.0×10 -7 mol/L.     

25,27-二羟基-26,28-二苯硫丙氧基-杯[4]芳烃-PVC修饰膜电极的伏安特性及其对金属离子的响应

制备了 2 5 ,2 7-二羟基 -2 6,2 8-二苯硫丙氧基 -杯 [4]芳烃 -PVC修饰膜电极。研究了该修饰电极在碱性、酸性介质中的伏安特性。实验表明 :修饰电极在 2mol·L- 1NaOH中的氧化还原过程为不可逆氧化过程 ,而乙醇的存在使碱性条件下的氧化过程受到抑制 ;在 1mol·L- 1HCl体系中 ,修饰电极具有良好的电化学活性 ,在 -1 .0V～ 0 .6V范围内有一对准可逆的氧化还原峰 ,并且在该条件下修饰电极对Zn2 + 、Pb2 + 、Cd2 + 、Hg2 + 、Ag+ 五种金属离子有良好的识别响应。     

4-氯酚在聚乙烯吡咯烷酮修饰碳糊电极上的电化学行为研究

研究了4-氯酚在聚乙烯吡咯烷酮(PVPr)修饰碳糊电极上的电化学行为,实验结果表明4-氯酚在修饰电极表面于0.53 V(vs.Ag-AgCl)处有一灵敏的氧化峰。采用1∶1(质量比)的PVPr和超导电炭黑(0.2 g)滴加650μL石蜡油制作的修饰碳糊电极在0.1 mol.L-1的磷酸盐缓冲液(pH=7.12)中用差示脉冲伏安法测定4-氯酚,其浓度在0.5-100μmol.L-1范围内和峰电流呈良好线性关系,检出限为0.05μmol.L-1。     

新有机-无机杂多酸纳米材料溶液及修饰电极电化学性质研究

研究了多金属氧酸盐新有机-无机杂化的纳米材料溶液的电化学、NO-2的电催化及氧化还原机理.采用溶胶-凝胶(sol-gel)技术首次制备了[Bu4N][Ni(pph3)2]PW11O39(pph为苯基磷)修饰电极,该修饰电极不仅保持了本体溶液的电化学和电催化性质,而且还具有很好的稳定性,对多金属氧酸盐有机-无机杂化的纳米材料修饰电极在化学传感器方面的研究和应用提供了实例.     

过氧化物酶在多孔磁性微球修饰电极上的直接电化学行为研究

采用直接滴涂法制备多孔磁性微球/过氧化物酶(PMMS/POD)修饰的碳糊电极.运用电化学阻抗法、循环伏安法和稳态安培法对该修饰电极进行表征和研究.系统地考察了底液pH值,扫描速率对修饰电极影响,找出最佳实验条件.计算出扩散系数D为5.03×10-10 cm 2? s-1,表征酶活性的米氏常数为0.069 m mol? L-1.在优化条件下,该H2 O2传感器的响应时间小于10s,考察了该修饰电极对H2 O2稳态安培响应,在0.1m mol? L-1~0.8 m mol? L-1浓度范围内,稳态安培电流与H2 O2浓度成较好线性关系,检测限为0.03 m mol? L-1(S/N=3).