单晶硅表面湿氧化及光敏染料的键合

利用湿氧化法在单晶硅表面引入活性基团（Ｓｉ－ＯＨ），然后与１，２－二溴乙基三乙氧基硅烷及染料中间体进行多步化学反应，最终在单晶硅表面生成光敏染料２，２＇，菁衍生物，并对所得键合光敏染料硅片进行了椭偏参数、拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明光敏染料被键合在单晶硅表面．     

单晶硅表面键合复合份菁及其伏－安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ—Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在电子势垒。     

单晶硅表面键合复合份菁及其伏—安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ－Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在于电子势垒。     

单晶硅表面键合菁染料的表面增强拉曼散射

用表面增强拉曼散射技术研究单晶硅表面键合光敏染料，可获得信噪比强的ＳＥＲＳ图。因染料分子中含有孤对电子的氮原子和起增强作用的银离子相互作用，使Ａｇ＋成为连结染料分子间的锁，增加染料分子极化率，使拉曼散射截面积增大，从而起到增强效果的作用。     

单晶锗表面键合份菁的研究

用一种新的化学方法，将一种份菁键合在抛光的单晶锗表面，对键合有染料的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析，结果表明，光敏染料通过锗氧键共价键合于锗片表面。     

若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究

将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面，对键合有若丹菁的锗片进行了激光Ra-man光谱及XPS谱分析，结果表明，两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n－型锗片的In(Pt)／染料／n-Ge器件具有整流作用。     

分光光度法测定乙醛催化剂中的钯含量

拟定了乙醛催化剂中钯的分析方法。用４－（２－吡啶偶氮）－间苯二酚作显色剂，在ｐＨ＝５．６０－９．００范围内与钯形成红色本合物，其最大吸收峰位于５０２ｎｍ处，表观魔鬼洋吸光系数为２．５２×１０＾４Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１。钯浓度在０－２．４μｇ／ｍＬ范围内等符合比尔定律。     

依诺沙星的电化学研究

依诺沙星在Ｂｒｉｔｔｏｎ－Ｒｏｂｉｎｓｏｎ缓冲液（ｐＨ２．０～１１．０）中产生两个极谱还原峰。两峰强烈地受溶液ｐＨ值的影响，峰Ⅰ（－１．ＩＶ～－１．５Ｖｖｓ．ＳＣＥ）对应于吡啶环的双电子还原，峰Ⅱ（１．５伏～－１．７伏ｖｓ．ＳＣＥ）对应于羰基的还原。实验表明电极过程是受扩散控制的不可逆过程，并测定了ｎ，ａ和Ｄ０的值。当ＰＨ＝２．２时，峰Ⅰ的峰电流与依诺沙星的浓度在４．０×１０－８～６．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ之间有线性关系，检测限为２．５×１０－８ｍｏｌ／Ｌ，可用于依诺沙星的检测。     

B3H7和B3H9分子中多中心键的研究

用Ｄｕｎｎｉｎｇ基进行从头计算的结果表明：在Ｂ＿３Ｈ＿７（１１０３）中氢桥三中心键与ＢＢＢ三中心键已用σ－共轭效应“融合”为１个四中心键，其特性为ｆ＿Ｂ１－Ｂ２＝１３．６１６２ｎＪ／ｍ，ｆ＿Ｂ２－Ｂ３＝１１．７７１１ｎＪ／ｍ，ｆ＿Ｂ－Ｈｂ－Ｂ＝２８．１３８６ｎＪ／ｍ，ｆ＿４ｃｅｎｔｅｒ＝５８．７０７１ｎＪ／ｍ。但在Ｂ＿３Ｈ＿９中３个氢桥三中心键不相互作用，保持独立，其特征为ｆ＿Ｂ－Ｂ＝４．５９６４ｎＪ／ｍ，ｆ＿Ｂ－Ｈｂ－Ｂ＝３２．３０６６ｎＪ／ｍ，ｆ＿Ｈｂ３ｃｅｎ＝４２．１３３７ｎＪ／ｍ。     

若丹菁在单晶锗表面的键合

通过烯丙醇单体，用化学键合法将一种若丹菁键合在了抛光的单晶锗表面，将键合有光敏染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱测试。结果表明：若丹菁染料通过Ge-0键键合于锗表面。     

晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究

为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率，研究了用等离子增强化学气相沉积（PECVD）的SiNx：H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜对电池性能的影响，并采用不同的工艺路线制备了不同类型的电池。实验发现：同SiNx：H比较，SiNx:H/SiO2双层光学减反射结构对晶体硅太阳电池能起到更加有效的表面钝化作用，提高了太阳电池的光电转换效率。基于界面物理，提出了一种新的能带模型，解释了用不同实验方法制作的晶体硅太阳池性能的差异。     

碳化硅纳米管几何结构和应变能的理论研究

本文采用密度泛函方法研究了碳化硅纳米管的几何结构和相对于3C-SiC的应变能。研究结果表明：1）碳化硅纳米管中的碳原子和硅原子分布在不同直径的两个圆柱面上，碳原子所在圆柱面的直径比硅原子的大，随着纳米管直径的增加这两个圆柱面的直径差别减小；2）在椅型和锯齿型碳化硅纳米管中均存在着长度不相等的两种共价键，随着纳米管直径的增加这两种共价键的键长趋于一致；3）碳化硅纳米管相对于3C-SiC的应变能均大于0．6eV，因此它是一种亚稳态，在适当的条件下有可能合成单壁碳化硅纳米管，但是其结构比较容易向闪锌矿结构转变．     

Polymer grafting modification of the surface of nano silicon dioxide

Based on the composite modification technology of the surface of nano silicon dioxide by non-soap emulsion polymerization, it is verified that there are polymer grafted on the surface of nano silicon dioxide. The modification mechanism and the bonding status on the surface of nano silicon dioxide after modification were suggested via the results of the infrared spectrum, transmission electronic microscope photograph and X-ray photoelectron spectrum. The hydroxyl formed by hydrolyzing of silane coupling agent reacts with hydroxyl on the surface of nano silicon dioxide to form Si-O-Si bonds by losing water molecules and hence the double bonds are introduced onto the surface of nano silicon dioxide. The surface of nano silicon dioxide is grafted with polymer through free radical polymerization between the double bonds on the surface of nano silicon dioxide and styrene under the action of initiating agent. The dispersibility of nano silicon dioxide and the controllability of surface modification of nano silicon dioxide can be greatly improved by the modification process.     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．     

微电子材料CMP加工中去除率与速度的关系

通过研究微电子材料化学机械平坦化(CMP)加工过程中磨料颗粒在晶片加工表面的运动规律,得到磨料颗粒在晶片表面的运动轨迹方程.当晶片和垫板的转动角速度相同时,得出材料去除率(MMR)与垫板和晶片相对速度成正比的结论.给出了磨料颗粒在晶片加工表面形成的刮痕迹线实例.其结果对于正确理解微电子材料CMP加工中的材料去除机理具有实际意义.     

NaOH溶液浓度对激光刻蚀多晶硅片表面织构的影响

利用扫描电镜表征硅片样品的表面形貌,用光谱仪测试硅片的反射率,并且用少子寿命测试系统测试硅片电学性能,研究了在进行多晶硅太阳能电池表面织构过程中NaOH溶液浓度对其的影响,结果表明:NaOH溶液浓度选择10%时,有效清除多晶硅片表面缺陷的同时,硅片表面织构减反射效果显著,并能兼顾硅片电学性能。     

锌基硅相增强的复合材料界面特征

采用流变混熔复合新方法,制备了硅相增强的锌基复合材料．利用透射电镜（ＴＥＭ）及能谱研究了该复合材料界面微结构及其特征．发现硅相本身的精细结构中存在大量的缺陷,硅相与基体以及基体晶粒之间的界面处有富锌的η相析出,并就η相形成进行了分析．     

氮化硅陶瓷添加剂和制备工艺的研究进展

随着对氮化硅陶瓷研究的不断深入,其热学性能、介电性能有了极大的改善,使之可应用在电子器件等领域。总结了制备氮化硅陶瓷材料所使用的烧结助剂,包括氧化物烧结助剂、非氧化物烧结助剂和其他烧结助剂;比较了氮化硅陶瓷材料的烧结方式,包括热压烧结、气压烧结、放电等离子烧结、无压烧结和反应烧结;论述了与氮化硅相关的复合材料的研究进展;展望了氮化硅陶瓷材料研究的发展趋势。     

溶胶-凝胶法制备硅凝胶块及其防开裂研究

以SiCl4为原料,采用溶胶-凝胶法制备了硅溶胶的凝胶块,并探讨了无水乙醇加入量、防裂剂加入量、去离子水加入量、液层厚度及空气接触面积等对硅溶胶凝胶块的影响.研究结果表明,当SiCl4：无水乙醇：防裂剂：去离子水的体积为2：4：1：2时,制备的硅溶胶凝胶块无裂纹,且透明度高.     

硅基薄膜太阳电池研究现状

硅基薄膜太阳电池由于材料成本、转换效率等特点受到人们的关注,就非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和非微叠层太阳电池的研究现状做了简要的分析。