FTO薄膜电子结构和光学性质的PBE0方法研究

本文基于密度泛函理论(DFT)PBE0方法对本征SnO_2及SnO_2∶F电子结构及光学性质进行了理论计算,从理论上描述了光学性质与电子结构关系。计算结果表明,PBE0方法计算光学带隙最接近实验数值。在PBE0赝势下,计算了本征SnO_2及SnO_2∶F能带结构、电子态密度。掺杂后,体系局域态密度增加,费米能级穿越导带底部,F掺杂增强SnO_2的导电性。增加F掺杂浓度,体系等离子体频率降低,有利于降低FTO薄膜红外辐射率。F掺杂SnO_2后,介电函数谱发生红移。     

掺杂Sno_2薄膜研究

在SnO_2薄膜的淀积过程中,适量掺F能够降低薄膜的电阻值。获得的最低膜电阻值为3.1Ω/□。重掺F还可以提高薄膜的可见光透过率。     

用固态源进行低温化学汽相淀积SnO_2薄膜的研究

本文提出用SnCl_2·2H_2O或SnCl_4·5H_2O作固态源进行低温化学汽相淀积SnO_2薄膜.文中分析了影响SnO_2薄膜电学性质的有关因素,测定了SnO_2薄膜在可见光和红外波段的透射率,并讨论了SnO_2薄膜的淀积反应和掺杂问题.     

非晶态硅氟合金光电导特性的研究

本文报道了对射频溅射α—Si:F薄膜光电导特性初步研究的结果。含氢和不含氢的样品是在Ar SiF_4和Ar SiF_4 H_2两种混合气体中分别制备的。对所有制得的样品测量了室温暗电导和在λ=6328及光照射样品表面功率密度为0.5mW/cm~2条件下测量了相应的光电导。实验结果表明(1)溅射α—Si:F薄膜有显著的光电响应;(2)光电导和暗电导的比值随气体的流量而接近成比例地变化。得到了最大σ_(ph)/σ_D比值为14000的薄膜样品;(3)溅射气氛中加入氢气对所得薄膜的光电导特性有一定影响。有关结果可用SiF_3、SiF_2H和SiFH_2键合组态的电子态不同解释。     

PCVD制备SnO_2:Sb薄膜及其电学性能分析

讨论了管式等离子体化学气相沉积制备SnO_2:Sb掺杂透明导电膜的电学性能与沉积温度,进氧量和沉积时间的依存性.在进氧量为3L/min、沉积温度500℃、沉积时间30min的条件下制得了电阻为17Ω/□的SnO_2:Sb薄膜.并利用电镜显微形貌观察到在500℃时,制得的薄膜晶粒细微密集,致密度高.还测定了薄膜的温阻特性,结果表明该膜具有负温阻特性.     

直流气体放电活化反应蒸发沉积SnO_x超微粒子薄膜

制得的SnO_x薄膜,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析,显示为平均颗粒小于50nm的超微粒子薄膜。其中组成颗粒的晶粒大小平均为5.0～8.0nm。讨论了沉膜过程中基底温度、氧气分压、放电电压、蒸发源温度和反应蒸镀时间对薄膜结构和性质的影响。得到了制备SnO_2相含量较高,且接近无色透明的超微粒子薄膜的最佳工艺条件。     

金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_∞薄膜对NO_2气体的敏感特性。控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应。工作温度比体型低得多。此外,本文还阐述了SnO_∞薄膜的敏感机制。     

SnO_2:Sb薄膜型材料的气敏性研究

研究了用轴流式等离子体化学气相沉积制备的SnO_2:Sb掺杂薄膜的气敏效应.该薄膜对NO_2气体有较好的气敏性,在常温下响应时间快,在170℃恢复时间可小于15s.灵敏度达6左右.还测定了SnO_2:Sb薄膜对CO,H_2,酒精气体以及石油液化气的气敏效应,并对以上结果进行了分析.     

ZnO/SnO_2双层薄膜型气敏传感器

将纯的ZnO及SnO_2采用等离子溅射法制成ZnO/SnO_2双层膜,用XPS,SEM,XRD等手段对薄膜进行了分析测试。比较了单层SnO_2及ZnO薄膜与双层ZnO/SnO_2膜的气敏性质,发现双层膜较单层膜在灵敏度及选择性上都有所提高。简单讨论了元件的气敏机制。     

金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_?薄膜对NO_2气体的敏感特性.控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应.工作温度比体型低得多.此外,本文还阐述了SnO_?薄膜的敏感机制.     

二元域上矩阵空间之间的线性秩保持

设F2是二元域,n是整数,n≥2.Mn(F2)记F2上的n×n矩阵空间,Sn(F2)记F2上的n×n对称矩阵空间.若线性算子f∶Sn(F2)→Mn(F2)满足rankf(X)=rankX对所有的X∈Sn(F2)成立,则称f是从Sn(F2)到Mn(F2)的线性秩保持.证明了f是从Sn(F2)到Mn(F2)的线性秩保持的充要条件是存在非奇异的U,V∈Mn(F2)满足f∶A→UAV.     

应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜

采有RF平面磁控溅射技术在单昌Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜。对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究。结果表明：在纯氧中高温退火（600℃）是改善ZnO压电薄膜的结构特性、化学组份并减少缺陷的良好方法。     

SnO_2/Fe_2O_3复合膜界面电导率特性分析

等离子体化学气相淀积法 (PCVD法 )制备的复合膜 Sn O2 /Fe2 O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果 .其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明 :当锡在 Fe2 O3中的浓度低时 ,由于准自由电子补偿机制起作用 ,导电率升高 ;当锡与铁在过渡层中浓度接近时 ,杂质散射和晶界电阻增大 ,电导率急剧减小     

掺杂锡离子对纳米二氧化钛薄膜光催化性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃上制备了透明锐钛矿型纳米TiO2薄膜和金属锡离子掺杂的锐钛矿与金红石混晶型纳米TiO2薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外一可见分光光度计对合成的薄膜进行表征。研究了掺杂锡离子对TiO2薄膜吸收光谱及光催化活性的影响,结果表明掺杂锡离子使得TiO2薄膜对入射光的吸收带边发生红移;适量掺杂锡离子能够显著的提高TiO2薄膜的光催化活性。并探讨了镀膜层数对薄膜光催化活性的影响,发现对于掺杂不同浓度锡离子的TiO2薄膜均有其对应的最佳膜层数。     

Progress on Sn-based thin-film anode materials for lithium-ion batteries

Thin-film lithium-ion batteries are the most competitive power sources for various kinds of micro-electro-mechanical systems and have been extensively researched.The present paper reviews the recent progress on Sn-based thin-film anode materials,with particular emphasis on the preparation and performances of pure Sn,Sn-based alloy,and Sn-based oxide thin films.From this survey,several conclusions can be drawn concerning the properties of Sn-based thin-film anodes.Pure Sn thin films deliver high reversible capacity but very poor cyclability due to the huge volume changes that accompany lithium insertion/extraction.The cycle performance of Sn-based intermetallic thin films can be enhanced at the expense of their capacities by alloying with inactive transition metals.In contrast to anodes in which Sn is alloyed with inactive transition metals,Sn-based nanocomposite films deliver high capacity with enhanced cycle performance through the incorporation of active elements.In comparison with pure Sn anodes,Sn-based oxide thin films show greatly enhanced cyclability due to the in situ formation of Sn nanodispersoids in an Li2O matrix,although there is quite a large initial irreversible capacity loss.For all of these anodes,substantial improvements have been achieved by micro-nanostructure tuning of the active materials.Based on the progress that has already been made on the relationship between the properties and microstructures of Sn-based thin-film anodes,it is believed that manipulating the multi-phase and multi-scale structures offers an important means of further improving the capacity and cyclability of Sn-based alloy thin-film anodes.     

纳米TiO_2薄膜制备过程中的影响因素

介绍溶胶-凝胶法制备纳米TiO2薄膜的工艺，采用实验研究与理论分析相结合的方法，讨论了薄膜制备过程中影响制膜质量的加水方式、加水量、乙醇量、水解温度、烧结及提拉条件等主要工艺因素，最终获得制备纳米TiO2薄膜的优化工艺．     

真空蒸发法制备聚酯衬底ITO透明导电膜及其光电特性

采用真空反应蒸发技术，在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究     

制备工艺条件对纳米Ti_(1-x)S_xO_2薄膜光催化活性的影响

以硫脲为S的源物质,以钛酸丁酯为TiO2的前驱体,以蜂窝陶瓷为载体,采用改进的溶胶-凝胶-浸渍提拉法制备Ti1-xSxO2薄膜,探讨热处理温度、S掺杂量及涂膜等工艺条件对Ti1-xSxO2薄膜的光催化活性的影响。研究结果表明：掺硫TiO2光催化剂在可见光区的吸收强度增大;采用溶胶-凝胶-浸渍提拉法制备Ti1-xSxO2光催化剂的最佳工艺条件是：硫脲与Ti（OBu）4摩尔比为3：1,煅烧温度为600℃,涂膜层数为6。在最佳工艺条件下制备的Ti1-xSxO2纳米薄膜对亚甲基蓝的降解率可达100％。     

奇异正交群作用下子空间轨道的长度

设Fq是q个元素的有限域,Fq2v＋δ＋l是Fq上2v＋δ＋l维行向量空间,O2v＋δ＋l,△（Fq）和O2v＋δ＋l（Fq）分别是奇特征和偶特征有限域Fq上的正交群．Fq2v＋δ＋l在02v＋B＋l,z（F。）（02v＋8＋l（F。））作用下导出了它在Fq2v＋δ＋l子空间集合上的作用,因而Fq2v＋δ＋l在0：州＋f．d（F。）（0：。＋：（F,））作用下划分成一些轨道M（m,2sy,s,F,k;2v＋占,△）（Mm,2s＋y,s,,k;2v＋6＋z））．采用正交群0：Ⅲ,。（F。）（02v＋8＋1（‘））作用在F2。。上子空间轨道长度的公式,并且利用矩阵初等行变换的方法,分别给出M（m,2s＋7,s,F,k;2v＋6,△）和M（m,2s＋y,s,F,k;2v＋6＋1）的长度公式．