LaCaMnO3薄膜LIV信号的实验研究

 利用脉冲激光沉积(PLD)的方法,在SrTiO₃和LaAlO₃倾斜衬底上成功地制备了钙钛矿结构的一系列LaCaMnO₃薄膜.并测量了这一系列薄膜的激光感生电压(Laser Induced Voltage).将在不同倾角的LaAlO₃衬底获得的信号与激光感生电压的理论公式相比较,发现测量结果与理论能够较好的符合.介绍测量这些薄膜的激光感生电压的方法,并对测量结果进行分析.     

nc-Si:H薄膜的微结构特征与光学特性

利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在玻璃和石英衬底上制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.采用Raman散射谱、原子力显微镜(AFM)、透射光谱方法对在不同衬底温度与不同H2稀释比条件下沉积生长薄膜的微结构和光学特性进行了实验研究.结果表明,nc-Si:H薄膜的晶粒尺寸为2.6～7.0nm和晶化率为45%～48%.在一定反应压强、衬底温度和射频功率下,随着H2稀释比的增加,薄膜的沉积速率降低,但晶化率和晶粒尺寸均有所增加,相应光学吸收系数增大.而在一定反应压强、射频功率和H2稀释比下,随着衬底温度的增加,沉积速率增加,薄膜晶化率提高.     

利用同步辐射XRD研究BiFeO3 外延多铁薄膜的微结构

使用脉冲激光沉积在SrTiO₃ 衬底上生长了不同厚度的BiFeO₃(BFO)薄膜, X 射线衍射分析表明薄膜是BFO 外延薄膜. X 射线反射率测量发现BFO 薄膜密度随着厚度的增加而增加, 同时薄膜表面存在厚度为数纳米的非设计覆盖层. 随着厚度的增加, BFO 薄膜由完全应变过渡到应变部分弛豫状态, 同时BFO 从四方相转变为单斜相.     

沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低.这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制.该温度值随着硅烷含量的降低而降低.     

热处理温度对TiO2薄膜光催化活性影响的研究

 采用溶胶-凝胶法及浸渍提拉法,在普通玻璃载玻片上制得了TiO₂薄膜,通过差热分析仪及X射线衍射仪分析了热处理温度对TiO₂的晶型、晶粒大小、孔隙率及薄膜的光催化活性的影响,结果表明存在一个最佳的热处理温度范围,在这一温度范围内薄膜的光催化活性最好.     

在MgO(001)基板上生长连续的L10-FePt 纳米薄膜

用磁控溅射法在加热到400℃的MgO(001)基片上沉积了总厚度为25 nm 的[Fe(0.6 nm)/Fe_30.5Pt_69.5(1.9nm)]₁₀ 多层连续薄膜, 并对其在[500, 900]℃的温度范围进行了3h 的真空热处理. 结果表明, 薄膜在沉积过程中发生了层间扩散, 形成A1 相的FePt 合金, 表现为软磁特性; 热处理温度高于700℃时, 薄膜内形成L1₀ 相的(001)织构, 其单轴磁晶各向异性能高于2.5×10⁷ erg cc^-1; 薄膜能在800℃以下保持形貌连续. 借助于半导体载流子扩散和复合模型, 对薄膜在高温下形貌保持连续的机理进行了探讨. 分析认为, 虽然薄膜在沉积过程中发生了层间扩散, 但内部仍然残存微弱的周期性成分起伏, 这可以有效阻碍热处理过程中因相变而引起的Pt 元素析出, 从而抑制了因形成富Pt 晶界而导致的形貌不连续. 这种薄膜可以方便地用于微加工制作磁性阵列和隧道结.     

预制层结构对CZTS薄膜微观组织和光学性能的影响

研究了叠层顺序对磁控溅射沉积铜锌锡硫（CZTS）吸收层的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.试验结果表明：当预制层结构为Cu/ZnS/SnS₂时,制备的CZTS薄膜在（112）晶面具有择优生长取向,并具有较好的结晶一致性,在288,335和368 cm^-1处呈现出特征拉曼（Raman）峰,薄膜表面晶粒较大、形状规则、薄膜空隙较少、比较致密,可见光范围内的吸收系数较高,光学带隙1.5 eV,适合作为CZTS薄膜太阳能电池的吸收层;当预制层结构为SnS₂/Cu/ZnS和ZnS/SnS₂/Cu时,由于在预制层硫化过程中造成一定的Zn和Sn流失,使CZTS薄膜中含有CuS杂相,导致薄膜表面质量下降,禁带宽度增加,不适合做CZTS薄膜太阳能电池的吸收层.     

化学溶液沉积法制备铁掺杂镍酸镧薄膜的结构及电学性能研究

 采用化学溶液沉积法,在（100）取向单晶硅衬底上制备铁掺杂镍酸镧（LaNi_1-xFe_xO₃,LNFeO-x）薄膜,研究了其结构和室温下的导电特性。X射线衍射测试结果表明,经700 ℃ 1 h退火的薄膜呈钙钛矿结构,没有可以观察到的杂相生成。薄膜表面平整、致密,没有微裂痕出现。随着铁含量的增加,薄膜电阻率由1.7 mΩ·cm 增加到 3.9 mΩ·cm。     

薄膜厚度对玻璃纤维表面SnO2薄膜透光导电性能的影响

 以SnCl₄·5H₂O为原料,乙醇为溶剂,配制SnO₂溶胶,并采用溶胶-凝胶法在玻璃纤维表面生成一层均匀的涂膜,通过控制反应物初始浓度和玻璃纤维提拉次数在玻璃纤维表面制备具有不同厚度的SnO₂薄膜.研究了薄膜厚度对薄膜的物相结构、透光率和电阻率的影响及原因.结果表明:随着薄膜厚度的增加,薄膜的晶化程度提高,晶粒尺寸增大,导电性能提高,而透光率呈现逐渐减小的趋势.当薄膜厚度为557 nm时,薄膜的电阻率最小,为0.16 Ω·m.薄膜厚度在56~340 nm之间时,薄膜的透光率在76%以上,而当薄膜厚度继续增加时,透光率下降到低于62%.     

ZnS多晶薄膜的磁控溅射沉积及其性能研究

采用磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了衬底温度和Ar气流量对ZnS薄膜质量的影响.利用表面轮廓仪测量了薄膜的厚度,计算了薄膜的沉积速率.使用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了禁带宽度.结果表明:所有制备的ZnS薄膜均为闪锌矿结构,所有样品在(111)方向具有明显的择优取向,沉积速率随着村底温度升高而降低,薄膜有较大的内应力,导致禁带宽度变窄.衬底温度为300℃时,薄膜的结晶质量最好.随着Ar气流量的增加,沉积速率增大,但薄膜的结构和光学性能都没有明显的变化.     

Bi_(1.6)La_(0.4)Ti_2O_7薄膜的制备及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Bi1.6La0.4Ti2O7(BLT)薄膜。研究了其结构、介电性能、漏电流密度与外加电压I-V关系曲线和光学带隙。XRD射线衍射测试结果表明,经500、550、600℃1 h退火后的薄膜的主晶相为烧绿石结构,无杂相生成,600℃时BLT薄膜衍射峰比其他两种温度的强。在1 kHz频率下测得的介电常数、损耗因子分别为114,3%;129,3%;194,6%。BLT薄膜的漏电流密度与外加电压关系曲线表明,BLT薄膜600℃的漏电流比550和500℃稍微减小。通过透射谱分析得到BLT薄膜的光学带隙几乎不受温度影响,均为3.7 eV。这些结果表明制备BLT固溶体薄膜较佳为退火温度600℃,具有较好的性能,在光电器件有良好的应用前景。     

热处理温度对溶胶-凝胶法制备的Ce_(0.97)Co_(0.03)O_2薄膜结构和光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法,在Si(100)衬底上制备了3%Co掺杂CeO2薄膜,研究了不同热处理温度对Ce0.97Co0.03O2薄膜结构和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)表明,3%Co掺杂CeO2薄膜为多晶薄膜,且未破坏CeO2原有的结构,随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。椭偏光谱法研究表明,Ce0.97Co0.03O2薄膜的光学常数(折射率n、消光系数k)随着退火温度增加而增大,光学带隙Eg随退火温度增加而减小,这是薄膜结构随退火温度增加发生变化所致。     

Dielectric properties of low dielectric constant Ba0.60Sr0.40Mg0.15Ti0.85O3-Mg2TiO4 composite thin films for tunable applications

Ba0.60Sr0.40Mg0.15Ti0.85O3-xmol%Mg2TiO4 （x = 0-40 mol%） （BSTM-MT） composite thin films were fabricated by sol-gel method. The precursor solution of these composite thin films was prepared through mixing the Ba0.80Sr0.40Mg0.15Ti0.85O3 and Mg2TiO4 solution. The microstructures and dielectric tunability of composite thin films were investigated. The dielectric constant of composite thin films can be tailored from 155 to 55 by changing the concentration of Mg2TiO4. The dielectric loss of these composite thin films were still kept below 0.01 and the tunability was above 20% at a dc-applied electric field of 500 kV/cm. Suitable dielectric constant, low dielectric loss, and high tunability of this kind of composite thin films can be useful for potential microwave tunable applications.     

曲线ρ＝ｒ＋ａγ＋ｂ∫ＳＳ０βｄｓ的曲率和挠率计算

已知曲线Γ：ｒ＝ｒ（ｓ）的基本向量为α，β，γ，曲率和挠率分别为κ，τ，研究了由γ，β和ｒ所作出的曲线〖ＡＫΓ－〗：ρ＝ｒ＋ａγ＋ｂ∫ＳＳ０βｄｓ的曲率〖ＡＫκ－〗和挠率〖ＡＫτ－〗的计算问题.     

关于线性D-空间的若干结果

证明了以下结论:设空间X=∪｛X_α:α<λ｝, 其中每一个子空间Xα都是线性D-子空间,并且对每一个β<λ, 集合∪｛X_α:α<β｝是空间X的闭子集, 则X为线性D-空间; 每一个D_σ-空间是线性D-空间     

Nb5N6 thin film on silicon and silicon oxide: A good material for terahertz detection

Voltage responsivity of bolometer will benefit from high temperature coefficient of resistance （TCR） of the material. The Nb5N6 thin solid films we proposed in this paper have high TCR, compared with the commonly-used materials such as Nb and Bi. The films were sputtered on Si（100）, SiO2/Si（100）, SiO2 substrates by using radio frequency （rt） magnetron sputtering. The deposition conditions have been optimized to get high TCR. The highest TCR is over 0.91% K^-1 at 300 K and up to 4.5% K^-1 -7% K^-1 at 78 K, which is good enough to be used in terahertz detection and thermometer fabrication in the range from 78 K to 300 K.     

Preparation of CuInSe2 thin films by four-step process

A simple process for the deposition of CulnSe₂ thin films was described. The CulnSe₂ compound was prepared by selenization of Cu-In alloy precursors, which were electrodeposited at a constant current. The selenized precursors were compacted and then annealed. The films were characterized by X-ray diffractometry (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS). The results indicate that single-phase CulnSe₂ is formed at 250℃ and its crystallinity of this phase is improved as the annealing temperature rises. The losses of In occur in selenization process. The dense CulnSe₂ film with comparatively smooth surface can be obtained by compaction under the pressure of 200 MPa.     

化学浴沉积法制备ZnS薄膜的研究

基于化学浴沉积法,采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜.对在不同沉积时间以及退火时间下得到的ZnS薄膜运用X射线衍射法观测其晶型结构,发现较长的沉积时间(5 h)和退火时间(3 h)制得的薄膜结晶度好,且检测出为闪锌矿晶型.并对其透光性能做了检测,发现pH值对透光度有显著影响.     

Al-Zn-Cu三元系Al-Zn侧相平衡成分的测定

采用扩散偶电子探针微区分析技术,对Al Zn Cu三元系相图的低Cu区三个固溶体相的相平衡关系及相平衡成分进行了研究·结果发现,在320℃时Cu的加入使得α1/α2,α2/β相平衡时的α1和α2中的Zn含量都降低·在260℃时,添加少量的Cu使得α/β平衡时α中的Zn含量增加·Cu在α1/α2,α2/β和α/β三种相平衡时的分配都不对称,即Cu在后者中的含量远大于前者·这意味着在320℃时Cu的加入使得α1/α1+α2相边界向富Al角趋近;在260℃时Cu的加入使得α/α+β相边界向Zn含量增加的方向偏移·     

磁控溅射表面镀膜对Nd2Fe14B稀土永磁体抗腐蚀性能的影响

在Nd₂Fe₁₄B稀土永磁体基体表面,采用磁控溅射（直流+射频）技术制备了Ti/Ni,Ti/Al和Al/Ni等二元合金薄膜和Ti/Al/Ni三元合金薄膜。并通过中性盐雾试验、腐蚀失重计算、电化学腐蚀试验、金相观察等方式,对比研究了不同表面处理对Nd₂Fe₁₄B稀土永磁体基体抗腐蚀性能的影响,并构建了腐蚀模型。研究发现：Ti/Ni,Ti/Al和Al/Ni等二元合金薄膜和Ti/Al/Ni三元合金薄膜均有效地提高了Nd₂Fe₁₄B稀土永磁体基体耐中性盐雾腐蚀和电化学腐蚀的能力;Ti/Al/Ni三元合金薄膜较Ti/Ni,Ti/Al和Al/Ni等二元合金薄膜有更优良的综合耐腐蚀性能,其磁控溅射工艺参数为：Ar流量60 sccm,基片温度常温,Ni,Al,Ti的溅射功率都为250 W,基片转速20 r·min^-1,镀膜均速0.3 nm·s^-1,总计溅射时间1 h。