染色腐蚀法制备多晶硅的绒面

为了降低光的反射,应用染色腐蚀法制备多晶硅的绒面.对多晶硅的绒面进行了反射率和SEM形貌测量.在适当的腐蚀液中制备的3×3 cm2的多晶硅,其表面反射率在300～1 000nm波长范围为5.7%.这一结果可以和具有双层减反射膜的碱制备的多晶硅表面的反射率相比拟.     

双棱镜的锐角及折射率测量实验探析

该文分析了双棱镜各面反射分光计望远镜筒小十字丝成像的光路,结合课堂教学实践,讨论了自准直法测量双棱镜锐角和折射率,学生在实验操作中出现的问题和原因。     

电子与硅烷分子碰撞的散射截面对微晶硅生长影响

较为系统的研究了甚高频化学气相沉积在高压高功率下生长的微晶硅薄膜.给出了功率密度-气体流量和压强-功率密度的二维相图.用朗缪尔探针测出薄膜沉积时等离子体内部电子温度，并用麦克斯韦玻尔兹曼分布进行拟合给出电子能量分布函数.由电子能量分布函数出发通过单电子碰撞模型给出等离子体内部各种基浓度的计算公式.并通过数值模拟给出等离子体中SiH2，SiH3等基的浓度.利用SiH2与SiH3比值，结合表面扩散模型，解释气压功率密度相图中随电子温度的增加（功率的增加），晶化率增大的现象.     

机械刻槽埋栅硅太阳电池化学镀工艺的改进

采用辅助超声方法较好地解决了埋栅硅太阳电池化学镀铜经常发生槽内空洞和镀不满的现象，使电池串联电阻由0．5Ω降为0．1Ω．在化学镀银过程中，采用聚四氟乙烯材料作容器，避免了银沉积容器内壁．镀液中加入络合剂-氨水，可较好地控制反应，使镀银效果大大提高．     

沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低.这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制.该温度值随着硅烷含量的降低而降低.