OH自由基X~2∏电子态下(9,4)及(5,1)带振转光谱理论计算

基于有效哈密顿量对角化的方法编写双原子分子光谱计算和拟合程序,根据已有分子常数计算了OH自由基X2∏电子态下(3,0)带振转光谱,结果与实验值吻合较好.在高激发态跃迁谱线相对缺乏的情况下计算了(9,4)及(5,1)带振转光谱,理论位置可为实际研究提供可靠的参照,同时能对实验谱线的标识起到较好的辅助作用.     

OH自由基X2Π电子态下(9,4)及(5,1)带振转光谱理论计算

基于有效哈密顿量对角化的方法编写双原子分子光谱计算和拟合程序.根据已有分子常数计算了OH自由基X2п电子态下(3,0)带振转光谱,结果与实验值吻合较好.在高激发态跃迁谱线相对缺乏的情况下计算了(9,4)及(5,1)带振转光谱,理论位置可为实际研究提供可靠的参照,同时能对实验谱线的标识起到较好的辅助作用.     

LnMgB_5O_（10）：Mn~（2＋）（Ln＝La，Gd，Y，Ce）体系中Mn~（2＋）的双重谱与配位场参数

研究了ＬｎＭｇＢ５Ｏ（１０）：Ｍｎ（２＋）（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｃｅ）体系中稀土离子对Ｍｎ（２＋）的双重谱的影响．从理论上计算了Ｍｎ（２＋）的离子能级和配位场参数，论述了双重谱的成因，理论分析与实验结果较为吻合．     

TiF分子P线系跃迁谱线的研究

应用最近建立的能正确预言双原子分子P线系高激发振转跃迁谱线的新公式,首次研究了TiF分子在次带G⁴Φ_5/2-X⁴Φ_5/2跃迁体系内（0,1）跃迁带的P支发射光谱.研究结果表明,该方法不仅可以精确地重复已知的实验谱线数据,而且从理论上预测了现阶段实验上难以获得的包含转动量子数J=90.5在内的高激发振转态发射谱线的正确数据.     

激光诱导双原子分子荧光激发谱结构的分析方法

本文从光谱基本理论出发,分析了双原子分子电子振转能级结构和电子振转光谱结构的规律,得到了分析激光诱导激发谱结构和由实验测定的光谱计算分子常数的方法.     

铁（Ⅲ）锌（Ⅱ）双卟啉的合成及卟啉环间相互作用

合成３种苯环上分别带推电子和拉电子取代基的以１，４－二氧丁基相连的ｐ／ｐ型铁（Ⅲ）锌（Ⅱ）双卟啉，以元素分析、紫外可见光谱、红外光谱、１Ｈ核磁共振谱和Ｘ－射线光电子能谱进行了表征．通过紫外可见光谱、红外光谱和荧光光谱研究双卟啉卟啉环间的相互作用．结果表明，分子内能量转移过程的存在、νＦｅ－Ｃｌ谱带向高频位移和锌（Ⅱ）卟啉的荧光淬灭现象都是卟啉环间相互作用的结果；从锌（Ⅱ）卟啉苯环上取代基性质对荧光淬灭的影响可知，对ｐ／ｐ型双卟啉，自旋—轨道偶合效应是卟啉环间相互作用的重要方式     

CO2红外可调谐激光器的设计

根据ＣＯ２分子振－转光谱在红外有丰富谱线的特点，设计了输出强线为３Ｗ，弱线为２００ｍＷ的可调谐激光器，并经实验证明了设计的正确性。     

HX（X=F，C1,Br）分子基态（X^1∑^＋）结构与势能函数量子力学计算

利用分子反应静力学的基本原理，确定了HX（X=F，C1，Br）等分子的X^1∑^＋态的合理离解极限；使用二次组态相互作用方法QCISD（T）并选用6—311G＋＋G（3df，3pd）基组，对HX（X=F，C1，Br）等分子基态进行了单点能扫描计算，并用最小二乘法拟合的Murrell—Sorbie函数和修正的Murrell—Sorbie函数计算它们光谱数据（ωe、ωeXe、Be、ae、De），结果表明修正的Murrell—Sorbie函数计算值与实验光谱数据吻合较好．这表明修正的Murrell—Sorbie函数更能精确的描述HX（X=F，C1，Br）等分子基态的势能函数．     

3种肉桂酸（4—X—（Z）—2—烯—丁基）酯（X＝OH，Cl,I））的合成、表征及理论研究

报导了3种肉桂酸（4－X－（Z）－2烯－丁基）酯（X＝OH,Cl,I)的制备,测定了标题化合物的红外和核磁共振谱,并有HF／4－31g方法优化了3种化合物构型,在此基础上计算机了其红外光谱,再用GIAO从头计算方法计算了3种化合物的NMR谱,其结果与实验值符合较好,显然,IR,NMR的量子化学计算机可为确定化合物的结构提供一种新的工具。     

CuA16（PO4）4（OH）8·4H2O晶体光谱和电子顺磁共振谱的理论研究

我们建立了3d9离子在斜方对称中的完全能量矩阵和高阶微扰公式（基态为｜dx2_y2〉）,依赖对角化此完全能量矩阵和用微扰公式二种方法,计算了Cu2＋离子在CuA16（PO4）4（OH）8·4H2O晶体中的光谱和电子顺磁共振谱．计算结果显示这二种方法的计算值均与实验值一致．表明它们都可用于解释3d9离子在斜方结构中的光谱和电子顺磁共振谱．     

（CdSe）m（ZnSe）n／ZnSe短周期量子阱的荧光光谱

对用原子层外延法生长的｛（ＺｎＳｅ）＿（７０）（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（Ｚｎｓｅ）＿８＋［（ＣｄＳｅ）＿１（Ｚｎｓｅ）＿３］＿７＋（ＺｎＳｅ）＿８（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（ＺｎＳｅ）＿（７０）｝×１短周期超晶格量子阱样品，在７７Ｋ进行了稳态和瞬态荧光光谱研究。在本征激发下，观察到在不同激发强度时荧光光谱有显著的区别，随着泵浦密度提高，荧光谱表现为绿带（Ｓ＿２）、蓝带（Ｓ＿１）和蓝锐线依次占优。利用时间分辩光谱测量了上述谱带的荧光产生时间和寿命，讨论了样品中激子的捕获和复合过程。认为上述荧光光谱对激发强度的依赖性，可能是束缚在势垒中Ｔｅ＿ｎ（ｎ≥２）原子簇和单Ｔｅ原子周围的激子态随激发功率提高而依次饱和的现象。     

Gd_2O_2S：Eu~（3＋）的荧光光谱及晶体场计算

在２１５００ｃｍ￣（－１）～１１５００ｃｍ￣（－１）区间内测量了红色荧光粉Ｇｄ＿２Ｏ＿２Ｓ：Ｅｕ的室温（３００Ｋ）乃低温（７７Ｋ）荧光光谱，认定了Ｇｄ＿２Ｏ＿２Ｓ：Ｅｕ￣（３＋）７７Ｋ的１２２条谱线和３００Ｋ的９６条谱线的跃迁属性．利用￣７Ｆ＿Ｊ的实验能级并考虑到中间耦合和Ｊ混杂效应，对Ｇｄ＿２Ｏ＿２Ｓ中Ｅｕ￣（３＋）的晶体场进行了计算。得到了７７Ｋ及３００Ｋ时的６个晶体场专数及晶体中的７个“自由离子能量”专数。拟合计算的均方差不大于１１ｃｍ￣（－１），初步指认了￣７Ｆ＿Ｊ各斯塔克能级的对称属性。     

吡啶－2，6－二甲酸铕（镧）配合物结构的NMR研究

合成了稀土肴（Ｅｕ）和镧（Ｌａ）与吡啶－２，６－二甲酸（Ｈ２ＤＰＣ）形成的二元配合物，并对上述配合物的结构作了核磁共振氢谱（１ＨＮＭＲ）、碳谱（１３ＣＮＭＲ）和氨谱（１４ＮＮＭＲ）及红外光谱（ＩＲ）的研究和比较．     

光外差速度调制分子离子激光光谱

通过求解分子离子在电场中速度分布，获得了小调制度近似下，速度调制分子离子光谱信号强度与调制度成正比、线型为Gauss线型的一次微分线型；理论分析了光外差频率调制光谱的线型亦为Gauss线型的一次微分线型，并分析了该两种光谱技术的优缺点．基于此，提出了光外差速度调制分子离子激光光谱技术，理论分析表明该技术测量获得的谱线线型为Gauss线型的二次微分线型，比纯速度调制测量灵敏度提高大约100倍．它不导致复杂的谱线线型，非常适合进行分子离子的振转光谱测量．     

~（181）Ta（α，n）~（184）Re和~（181）Ta（α，2n）~（18

用活化法和叠靶降能技术，测量了从阈能到２６．４ＭｅＶ能区１８１Ｔａ（α，ｎ）１８４Ｒｅ和１８１Ｔａ（α，２ｎ）１８３Ｒｅ的激发函数，实验结果同其他作者的结果作了比较，并且采用考虑了平衡前发射的统计模型进行了理论计算，计算结果同实验值作了比较．     

Eu（MDBM）_3·phen配合物的合成及性质研究

首次合成了Ｅｕ３＋离子与对甲氧基苯甲酰－苯甲酰甲烷（ＭＤＢＭ）与１，１０－邻菲罗啉（ｐｈｅｎ）三元混配配合物．实验测得它的化学式为Ｅｕ（ＭＤＢＭ）３·Ｐｈｅｎ．对该配合物进行了元素分析、热谱、红外光谱、荧光光谱的摄取．     

~（92）M_o（n，p）~（92m）Nb，~（98）M_o（n，p）~（98m）Nb和~（94）M_o（n，2n）~（93m）M_o反应截面测量

报告了Ｅｎ＝１３．４０～１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以２７Ａｌ（ｎ，α）２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ．９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ和９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）９３ｍＭｏ的反应截面．还列举了尽可能收集到的数据，并将９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ和９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ两反应过的实验测量值与理论计算值进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．     

镧（Ⅲ）,钕（Ⅲ）间硝基苯甲酸配合物的合成与性质

合成了镧（Ⅲ），钕（Ⅲ）与间硝基苯甲酸的配合物，确定其组成为ＬｎＬ３，考察了二元配合物的溶解性、摩尔电导、红外光谱、紫外光谱、荧光光谱和热性能．     

配位微环境对镉（Ⅱ）—血清白蛋白结构的影响

研究了等离子点附近Ｃｄ（Ⅱ）－ＨＳＡ或－ＢＳＡ体系的紫外光谱，与生理ｐＨ时的谱图相比较，Ｃｄ（Ⅱ）－ＢＳＡ的２５０ｎｍ附近谱带普启蒙消失，而２９０ｎｍ谱带及Ｃｄ（Ⅱ）－ＨＳＡ光谱基本不变。这一光谱结果差异进一步支持了Ｃｄ（Ⅱ）离子在ＨＳＡ或ＢＳＡ中最可能的结合位置在７对相邻的二硫桥处，金属中心为四面体型Ｃｄｓ４结构的推断。用配位微环境的差异对结果进行较深入的讨论。     

（ZnS）n／（Si2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质

用线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ）能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）（ｎ＝２～５）进行超原胞自洽计算．在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度．结果表明，该超晶格系统的价带带阶约１．５ｅＶ．还讨论了（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）超晶格系统的光学性质．