^181Ta（a,n）^184Re和^181Ta（a,2n）^183Re反应激发函数的…

用化法和叠靶降能技术，测量了从阈能到２６．４ＭｅＶ能共＾１８１Ｔａ（ａ，ｎ）＾１８４Ｒｅ和＾１８１Ｔａ（ａ，２ｎ）＾１８３Ｒｅ的激发函数，实验结果同其他作者的结果作了比较，并且采用考虑了平衡前发射的统计模型发理论计算，计算结果同实验值作了比较。     

~（181）Ta，（139）La，~（140）Ce和~（142）Ce麦克斯韦谱平均俘获截面的测量

在脉冲静电加速器上，利用~７（ｐ，ｎ）~７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的~（１８１）Ｔａ，~（１３９）Ｌａ，~（１４０）Ｃｅ和~（１４２）Ｃｅ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较．     

~（92）M_o（n，p）~（92m）Nb，~（98）M_o（n，p）~（98m）Nb和~（94）M_o（n，2n）~（93m）M_o反应截面测量

报告了Ｅｎ＝１３．４０～１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以２７Ａｌ（ｎ，α）２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ．９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ和９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）９３ｍＭｏ的反应截面．还列举了尽可能收集到的数据，并将９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ和９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ两反应过的实验测量值与理论计算值进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．     

^48Ti（α,n）^51Cr和^46Ti（α,2n）^48Cr反应激发函数的…

用活化法和叠靶降能技术，测量了从４．７到２６．４ＭｅＶ能区反应＾４８Ｔｉ（α，ｎ）＾５１Ｃｒ和＾４６Ｔｉ（α，２ｎ）＾４６Ｃｒ的激发函数，实验结果同其他作者的结果进行比较，在误差范围内是一致的。     

~（90）Zr（n，2n）~（89）Zr反应截面测量

用活化法以９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面为中子注量标准，对９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９Ｚｒ反应截面进行了测量．测得的１３．６４，１３．８０，１４．０１，１４．３５，１４．６２和１４．８０ＭｅＶ中子引起的９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９Ｚｒ反应截面值分别为４８３．０±１０．６，５３９．７±１１．９，６０６．３±１３．３，７１０．６±１５．６，７７５．４±１７．１和８２５．５±１８．２ｍｂ．单能中子由Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ反应获得，中子能量由硅控测器法测定．并把本工作的数据和其他一些作者的数据进行了比较     

S（α，n）族的星象半径

证明了Ｓ（α，ｎ）的星象半径ｒ由下式决定：其中α＿０是方程关于α在区间（０，１）内的唯一解，这个结果推广了［１］中Ｓ（α，ｎ）族的星象半径，且是著名结果［３］、［４，Ｔｈ１］以及［５，Ｔｈ２］的推广。     

^92Mo（n,p）^92mNb,^98Mo（n,p）^98mNb和^94Mo（n,2n）^93mM…

报告了Ｅｎ＝１３．４０＝１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，α）＾２４Ｎａ截面为中子注量标准测量的＾９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）＾９２ｍＮｂ，＾９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）＾９８ｍＮｂ和＾９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）＾９３ｍＭｏ的反应截面。还列举了尽可能收集到的数据，并将＾９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）＾９２ｍＮｂ和＾９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）＾９８ｍＮｂ两反应道的实验测量值与理论计算值进行了比较，中子能量是用铌锆截面比法测定的。     

^148Sm（n,p）^148mPm,^144Sm（n,p）^144Pm和^150Sm（n,α）^14…

报道了从１３．４ＭｅＶ到１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法相对＾９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ（＾９２ｍＮｂ的反应截面，对＾１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）＾１４８ｍＰｍ，＾１４４Ｓｍ（ｎ，ｐ）＾１４４Ｐｍ和＾１５０Ｓｍ（ｎ，α）＾１４７Ｎｄ三个反应截面的初步测量，并将所得结果和已有数据进行了比较，中子能量是用铌锆截面比法测定的。     

用~（90）Zr（n，2n）~（89m＋g）Zr和~（93）Nb（n，2n）~（

叙述了用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比测定Ｄ－Ｔ中子平均能量的方法。用硅探测器对中子平均能量进行监测，测量了６个不同能点的铌锆截面比值，得到了铌锆截面比与中子平均能量的关系曲线。     

^181Ta,^139La,^140Ce和^142Ce麦克斯韦谱平均俘获截…

在脉冲静电加速器上，利用＾７Ｌ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的＾１８１Ｔａ，＾１３９Ｌａ，＾１４０Ｃｅ和＾１４２Ｃｏ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较。     

~(148)Sm(n,p)~(148m)Pm、~(144)Sm(n,p)~(144)Pm和~(150)Sm(n,α)~(147)Nd反应截面的测量

报道了从１３．４ＭｅＶ到１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法相对９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ的反应截面，对１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４８ｍＰｍ、１４４Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４４Ｐｍ和１５０Ｓｍ（ｎ，α）１４７Ｎｄ三个反应截面的初步测量，并将所得结果和已有数据进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．     

^65Cu（n,2n）^64Cu,^63Cu（n,α）^60Co和^46Ti（n,p）…

本用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，α）＾２４Ｎａ反截面为中子注量标准，测得的１４．９ＭｅＶ中于＾６５Ｃｕ（ｎ，２ｎ）＾６４Ｃｕ和＾４６Ｔｉ（ｎ，ｐ）＾４６Ｓｃ反应截面分别为９３３±３２和２９７±１０ｍｂ，测得的１４．６２ＭｅＶ中子＾６３Ｃｕ（ｎ，α）＾６０Ｃｏ反应截面值为４２．３±１．５ｍｂ。单能中子由Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ反应获得，中子能量是用铌锆截面比法测定的。在中还把本的结果与其他一些作的数     

关于整除问题n│ψ（n）＋σ（n）

证明了当ｎ的标准分解式为ｎ＝ｐ＾α．ｑ＾β，或ｎ＝ｐ１．ｐ２．…．ｐ２时，ｎ│ψ（ｎ）＋σ（ｎ）。     

α－（AlMnSi）空间构型与价电子结构分析

分析了金属间化合物α－（ＡｌＭｎＳｉ）的空间结构，并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α－（ＡｌＭｎＳｉ）的理论键距及其各种原子所选取的杂阶．在此基础上计算出α－（ＡｌＭｎＳｉ）中Ｍｎ原子键络的共价键键能．     

14MeV中子（n，α）反应截面的系统学研究

在对实验数据分析、评价的基础上，研究了14MeV中子（n，α）反应截面的系统学特性，给出了截面的系统学公式σn，α＝（A1／3＋1）2αexp［β（N－Z＋1）／A］．利用给出的公式，计算了从139La到180Hf的中等和重质量核的14．7MeV中子的（n，α）截面，为聚变技术的研究提供了一定参考数据．     

三星体R_（n－p，n，n＋p）（P＝1，2）是强优美树

引入强优美树概念，证明了三星体Ｒ＿［（ｎ－ｐ），ｎ，ｎ＋ｐ］（ｎ为自然数；ｐ＝１．２）是强优美树，从而得到四星体Ｒ＿［（ｎ－ｐ），ｎ，ｎ＋ｐ，ｍ］（ｍ，ｎ为自然数；ｐ＝１，２）是优美树的结果。     

n次多项式f（x）＝x~n—α和Vandermonde行列式的应用

借助于ｎ次多项式ｆ（ｘ）＝ｘ~ｎ—α以及Ｖａｎｄｅｒｍｏｎｄｅ行列式探讨了某些特殊的ｎ阶行列式的计算方法．     

（ZnS）n／（Si2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质

用线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ）能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）（ｎ＝２～５）进行超原胞自洽计算．在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度．结果表明，该超晶格系统的价带带阶约１．５ｅＶ．还讨论了（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）超晶格系统的光学性质．     

LnMgB_5O_（10）：Mn~（2＋）（Ln＝La，Gd，Y，Ce）体系中Mn~（2＋）的双重谱与配位场参数

研究了ＬｎＭｇＢ５Ｏ（１０）：Ｍｎ（２＋）（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｃｅ）体系中稀土离子对Ｍｎ（２＋）的双重谱的影响．从理论上计算了Ｍｎ（２＋）的离子能级和配位场参数，论述了双重谱的成因，理论分析与实验结果较为吻合．     

α—（AlMnSi）空间构型与价电子结构分析

分析了金属间化合物α－（ＡｌＭｎＳｉ）的空间结构，并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α－（ＡｌＭｎＳｉ）的理论键距及其各种原子所选取的杂阶，在此基础上计算出α－（ＡｌＭｎＳｉ）中Ｍｎ原子键络的共价键键能。