退火温度对[BN/CoPt]n/Ag薄膜磁性和结构的影响

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[BN/CoPt]n/Ag薄膜,并分别在550℃和600℃各退火30min.结果表明,退火温度对CoPt薄膜的磁性和结构影响很大.当退火温度为550℃时,薄膜就已经发生了有序相变,且薄膜垂直取向;退火温度增加到600℃后,薄膜大部分了发生了有序相变,并且垂直取向很高,薄膜垂直矫顽力高达10.7kOe,平行矫顽力仅为5.99kOe.适当的退火温度不仅有利于薄膜的有序相变,而且能提高薄膜的垂直取向程度.     

退火温度对[BN/CoPt]_n/Ag薄膜磁性和结构的影响

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[BN/CoPt]n/Ag薄膜,并分别在550℃和600℃各退火30min。结果表明,退火温度对CoPt薄膜的磁性和结构影响很大。当退火温度为550℃时,薄膜就已经发生了有序相变,且薄膜垂直取向;退火温度增加到600℃后,薄膜大部分了发生了有序相变,并且垂直取向很高,薄膜垂直矫顽力高达10.7kOe,平行矫顽力仅为5.99kOe。适当的退火温度不仅有利于薄膜的有序相变,而且能提高薄膜的垂直取向程度。     

Ag掺杂对CoPt纳米颗粒结构和磁性的影响

通过溶胶—凝胶法制备了L10相的CoPt和Ag掺杂CoPt磁性纳米颗粒,并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)对所制备的样品进行了结构和磁性表征.XRD和TEM分析表明,700℃所制备的CoPt磁性纳米颗粒为面心四方(FCT)结构,而Ag掺杂CoPt磁性纳米颗粒的结构为面心立方(FCC)结构,说明Ag掺杂抑制了面心四方CoPt磁性纳米粒子的形成.磁性测试结果表明,L10相的CoPt纳米颗粒室温下具有铁磁性,其矫顽力为2954 Oe,而Ag掺杂CoPt磁性纳米颗粒的矫顽力只有1632 Oe.     

Ag层厚度对Ag/Fe/Ag薄膜的微结构和磁特性的影响

室温下,利用直流对靶磁控溅射设备制备了Ag(x)/Fe(35nm)/Ag(x)系列薄膜,x=1,2,3,4nm.利用扫描探针显微镜(SPM)观测了样品的表面形貌及磁畴结构,应用X射线衍射仪(XRD)分析了样品的晶体结构,通过振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁特性.研究表明,非磁性Ag层厚度对Ag/Fe/Ag系列薄膜的微结构和磁特性有很大的影响.SPM观测显示,随Ag层厚度增加磁畴尺寸呈现先减小后增加的趋势.VSM结果显示,矫顽力的变化与磁畴尺寸的变化趋势是一致的,x=3nm时,垂直膜面矫顽力达到最大.     

Ag层厚度对FePd薄膜的结构和磁性能的影响

采用磁控溅射的方法,在石英玻璃上制备了Agx/FePd(67.5nm)(x=3.875、7.75、15.50、31、38.75nm)和FePd(67.5nm)/Agx(x=7.75、15.50、31nm)薄膜,研究了Ag对600℃退火不同时间的FePd/Ag、Ag/FePd薄膜的影响.结果显示,无论Ag沉积在FePd薄膜顶层还是底层,Ag层的加入都能加快薄膜从面心立方(FCC)到面心四方(FCT)的相转变.Ag能极大增强FePd薄膜的矫顽力.比较Ag/FePd和FePd/Ag薄膜,Ag/FePd薄膜中的部分样品有沿某一方向优先生长的趋势,更利于实际应用.在Ag/FePd薄膜中晶粒易磁化轴平行面内,当顶层Ag厚度为31nm时,薄膜有很大的面内矫顽力2.8kOe和很小的垂直方向矫顽力1.04kOe.     

SmTbCo／Cr非晶垂直磁化膜的制备及其组分影响研究

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了（Sin）TbCo／Cr非晶垂直磁化膜,并就薄膜组分对其磁特性的影响进行了研究．部分Tb原子取代Sm以后,薄膜仍然具有较高的磁各项异性．薄膜组分为（Sm0.286Tb0.714）31Co69／Cr时,其饱和磁化强度Ms为330emu／cm^3,矫顽力为5．0KOe;薄膜组分为（Sm0.343Tb0.657）31Co69／Cr时,其饱和磁化强度Ms为385emu／cm^3,矫顽力为4．7KOe．薄膜组分对SmTbCo／Cr非晶垂直磁化膜的磁特性影响,可以通过对薄膜结构特性的分析得到合理的解释．     

FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应

采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应．实验结果表明：不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0．8,1．5和3．0μm厚薄膜样品在40kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60．112％,262．529％和400．279％,外场灵敏度分别为1．06％,3．85％和3．03％／（A·m^-1）．采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应的巨磁阻抗效应．     

沉积厚度对L10-FePt薄膜(001)织构和磁性的影响

采用直流磁控溅射方法在表面氧化的Si(001)基片上制备不同厚度的FePt薄膜, 并利用原子力显微镜(AFM)、 X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)表征样品的形貌、结构和磁性. 结果表明: 将薄膜样品在H₂气氛中经600 ℃退火1 h, 得到了L1₀-FePt薄膜; 薄膜具有(001)织构或明显的(001)取向生长, 随着沉积厚度
的增加, FePt的晶粒尺寸变大, 样品的有序化程度增大, (001)取向生长呈减弱的趋势; 样品均具有明显的垂直磁各向异性, 随着薄膜厚度的增加, 平行膜面矫顽力增大, 垂直膜面矫顽力先增大后减小, 当沉积厚度为10 nm时, 样品的垂直磁各向异性最佳.     

悬浮培养型 BHK -21 细胞的生长规律和不同接种密度培养效果的研究

为探索悬浮培养型BHK-21细胞的生长规律和最佳接种密度,以3．0×10^5个／mL、4．0×10^5个／mL、5．0×10^5个／mL、6．0×10^5个/mL和7．0×10^5个／mL等5个接种密度培养了悬浮培养型BHK-21细胞,绘制了细胞生长曲线和活力变化曲线．结果显示,悬浮培养型BHK-21细胞生长曲线呈“S”型,接种培养前24h细胞处于适应期,生长曲线上密度增长不大,期后细胞进入对数增长期,生长密度呈指数增长．以3．0×10^5个／mL和4．0×10^5个／mL接种培养的在120h达到最大增殖密度,分别为4．65×100个／mL和5．59×10^6个／mL,倍增时间分别为26．9h和26．7h;以5．0×10^6个／mL、6．0×10^6个/mL和7．0×10^6个／mL接种培养的在96h就达到最大增殖密度,分别为5．14×10^6个／mL、5．36×10^6个／mL和5．1×10^6个／mL,倍增时间分别为22．4h、24．1h和25．2h．各组在培养的96h以前细胞活力均在90％以上且变化较小,120h和144h时细胞活力开始下降,且接种密度越高活力下降越快．该细胞以4．0×10^5个／mL、5．0×10^5个／mL、6．0×10^5个／mL接种培养能达到较高培养密度,细胞生长快,且细胞峰值持续时间长．     

高压退火对FePt:Ag纳米薄膜的微结构和矫顽力的影响

采用直流磁控溅射技术在自然氧化的Si基片上生长厚度约为100nm的原始态FePt:Ag纳米复合薄膜,采用高压退火调控该薄膜的微结构和矫顽力。在873 K温度下,当退火压力从常压增加到0.6 GPa时,退火后所生成的L10-FePt薄膜的有序畴尺寸从d=19 nm减小到D=9 nm,FePt薄膜的晶粒尺寸从D=34 nm减小到D=13nm,且有序畴尺寸和晶粒尺寸分布的均匀性明显提高。随着退火压力的增加FePt:Ag薄膜的矫顽力降低,因此,高压退火可以用来调控FePt:Ag复合薄膜的矫顽力。     

ZrO2/W纳米多层膜的氦离子辐照损伤研究

本文主要围绕ZrO2／W纳米多层膜的抗辐照损伤性能进行研究．实验中使用70keV He^＋在8×10^16-6×10^17cm之的剂量范围对磁控溅射生长的ZrO2／W多层膜样品进行辐照．辐照前后使用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（xRD）以及透射电子显微镜（TEM）对样品的表面形貌及微观结构随剂量增加的演化过程进行表征．研究表明,ZrO2／W纳米多层膜具有较强的抗辐照损伤及抑制氦泡的特性．实验结果也显示,即使对于相同的纳米多层膜组成成分,由于结晶品质、晶界结构和界面的不同,抗辐照性能有所差异．     

Structure and magnetic properties of [FePt／Ag]10 multilayer films

[FePt/Ag]10 multilayers were deposited on glass substrates by magnetron sputtering. After being annealed at 550℃ for 30 rain, the coercivities of [FePt/Ag]10 multilayer films were observably improved. Magnetic properties of[FePt/Ag]10 multilayer films are influenced by the Ag content. The highest coercivity is obtained for those multilayer films that the Ag content is about 25%. The analysis for the remanence curves shows that the lower FePt layer thickness is favorable for decreasing the intergranular interaction. Result of XRD shows that a thick Ag layer can enhance the intensity of FePt(001) peak. A magnetic activation volume of the order of 10^-24 m^3 is obtained by the measurement of magnetic viscosity, showing that it is promising to be ultrahigh density recording media.     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3（45 nm）/ITO（14 nm）/Ga2O3（45nm）膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光电性质.     

[V^（Ⅳ） O{salen（3-OMe）}2（CH3OH）]·H2O的合成与晶体结构

1,3-二氨基硫脲双缩邻香草醛,偏钒酸铵,乙二胺,加入吡啶,甲醇和水的混合溶剂合成一种新的[V（Ⅳ）O{salen（3-OMe）}2（CH3OH）].H2O配合物,并进行了红外和晶体结构表征.该晶体属于三斜晶系,P1群.晶胞参数为：a=0.671 50（14）nm,b=0.965 20（19）nm,c=1.600 7（3）nm,α=100.715（3）°,β=101.587（3）°,γ=94.787（3）°,V=0.990 7（3）nm3,Z=2,Dc=1.486 g.cm-3,μ=0.545 mm-1,F（000）=462,R1=0.034 8,ωR2=0.066 6,配合物中钒中心为六配位的扭曲八面体构型.     

2-[2’-（5-硝基-吡啶）-偶氮]-1，8-二羟基萘-3，6-二磺酸与镍显色反应的研究与应用

研究了显色剂2-[2’-（5-硝基一吡啶）-偶氮]-1,8一二羟基萘-3,6-二磺酸（简称为5-NO2-PACA）光度法测定微量镍的方法。在pH=11．5的NH3-NH4C1的缓冲介质中Ni^2＋与5-N02-PACA在室温下很快形成1：1的蓝色配合物,最大吸收波长为635nm,表观摩尔吸光系数ε=1．00×10^5L·mol^-1·cm^-1,Ni^2＋浓度在0—20μg／25mL范围内符合朗伯一比尔定律,该方法用于测定蔬菜（黄瓜、青椒）中微量镍,结果满意。     

5-甲基-水杨酸-铬（Ⅲ）配合物与牛血清白蛋白相互作用的研究

利用氯化铬、5-甲基-水杨酸（5-MESA）和乙二胺（en）合成了配合物[Cr（5一MESA）（en）2]Cl,并用元素分析、紫外和荧光光谱对配合物进行了表征。在pH=7．5,0．05mol／L Tris—HCl缓冲液条件下研究了配合物与牛血清白蛋白（BsA）的相互作用,测定了结合常数为1．38×10^4k／L·mol,并确定了配合物与BSA作用类型主要为静电作用。     

氧桥联双核铁(Ⅲ)配合物[Fe_2(μ-O)(salphen)_2]·3H_2O的合成和晶体结构

合成了铁与配体双水杨醛缩邻苯二胺的配合物[Fe2(μ-O)(salphen)2].3H2O。该配合物晶体属三斜晶系,P1空间群,晶胞参数a=1.3257(5)nm,b=1.3311(8)nm,c=1.3921(5)nm,α=114.175(8)°,β=118.393(5)°,γ=91.537(8)°,V=1.8949(15)nm3,Dc=1.420 Mg.m-3,Z=2,F(000)=836,最终GooF=0.931,偏离因子R1=0.0967,ωR2=0.2464。分子中氧原子桥联两个铁(Ⅲ)原子,salphen上的2个氮原子和2个氧原子分别占据铁(Ⅲ)原子的其余4个配位位置,形成5配位变形四方锥结构。     

选择性合成β-AgVO3/Ag纳米复合材料

通过一个操作简单、快速高效的水热法,在160℃、24 h的条件下,成功制备出平均宽度为100 nm、厚度为10 nm、长度达数10μm的β-AgVO3/Ag纳米复合材料。通过X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对产物的成分、结构和形貌进行了表征,对反应温度和溶液的pH值等反应条件及该复合材料的紫外可见光吸收性质进行了研究。     

比色法快速测定硫酸卡那霉素注射液的含量

目的:探索硫酸卡那霉素注射液的快速含量测定方法.方法:采用碱性酒石酸铜试剂与硫酸卡那霉素形成有色复合物,比色法测定含量.结果:本法测定波长为max=566±1 nm,回归方程C(万U mL 1)=2.176A 4.311×10 2,r=0.999 3(n=5);线性范围0.21～1.03万U mL 1;4 h内稳定;重现性RSD=0.42%;平均回收率99.7%,RSD=0.79%;含量测定结果与中国药典法基本一致.结论:本法简便、快速、准确,适用于生产单位和医院制剂对该产品的快速质量控制.     

FexPt100-x取向薄膜的结构与磁性

用电子束沉积法在加热到100℃的MgO（001）基板上生长了50nm厚的FexPt100-x取向薄膜,原子比成分范围为x=[10,85].在500℃进行保温2h的原位热处理后,分析样品的结构及沿面内和垂直于薄膜方向施加磁场的磁性行为.结果表明,随着x的增加,易磁化轴的方向在沿平行于膜面方向和垂直于膜面方向之间反复变化,取决于内秉的磁晶各向异性与外秉的形状各向异性之间的竞争.当x=60时,由于薄膜发生不完全的A1→L10相转变,形成了A1软磁相与L10硬磁相的复合体,样品沿平行和垂直于膜面方向磁化的矫顽力都达到5kOe（1Oe=79.5775Am-1）以上.沿膜面方向磁化时,矫顽力高于软磁相的磁晶各向异性场,并且正负向磁化的剩余磁化强度明显不相等.采用三磁畴软磁相模型,结合硬磁/软磁交换耦合作用,对此进行了解释.这种硬磁/软磁复合材料适合于用来制作磁力显微镜的各向同性高矫顽力探针.