－复形的X－同调群和X＇－上同调群的－重分不变性

在本文中引进了－复形，－重分等一系列有关概念，进而证明了－复形的Ｘ－同调群和Ｘ’－上同调群的－重分不变性，即－复形的ｓ－维Ｘ－同调群和ｓ－维Ｘ＇－上同调群分别与－重分后的－复形的ｓ－维Ｘ－同调群和ｓ－维Ｘ＇－上同调群同构（ｓ＝０，１，…）．     

co—H—空间上的同纬映象映射

本文探讨ｃｏ－Ｈ－空间上的同纬映象（ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ）映射的性质，得到一些结果。获得了ｃｏ－Ｈ－复形之间同纬映象映射的同伦等价类集（群）的秩用Ｂｅｔｔｉ数来表达的一个等式，以及ｃｏ－Ｈ－复形的同调群与同伦群的秩之间的一个关系式。     

同调三维球面的U（1）等变Seiberg—Witten—Floer同调解

通过对Chern-Simons泛函应用Morse-Bott理论,Z－同调三维球面的等变Seiberg-Witten-Floer下同调群和上同调群,以及它们的配对和模结构能够被定义,并且还可证明它们是拓扑不变量。     

关于代数几何中几个同调群的计算

对代数几何中一些同调群进行计算，给出A－S指数定理在四元数射影空间同调群上的一个应用，讨论了Cech双复形的谱序列问题。     

关于整同调群结构的进一步刻画

通过引入复形上的ｑ维极小闭链，基本闭链，基本闭链的指数及基本闭链组的秩等概念，给出了复形上的整同调群结构的细致刻画，这种刻画提供了计算整同调群的简易方法。     

Petri网的S—补和T—补的几个性质

本文基于Ｐｅｔｒｉ网的矩阵表示，通过矩阵的运算给出了网的Ｓ－补和Ｔ－补的矩阵形式公式。同时给出对逆网、对偶网的Ｓ－补和Ｔ－补的求解方法。     

有限co—H—复形上的同调分解（I）

探讨了有限ｃｏ－Ｈ－复形上同调分形的有关问题，这些问题包括同调分解中有限ＣＷ－复形上的映射所诱导的映射问题及ｃ－Ｈ－复形上诱导的ｃｏ－Ｈ－结构等问题。     

正则K—T点的通有稳定性

利用Ｍ．Ｋ．Ｆｏｒｔ．Ｊｒ（１９５１）的结果，动用Ｊ．Ｙｕ（１９９２）的方法，了约束极值问题的正则Ｋｕｈｎ－Ｔｕｃｋｅｒ点的通有稳定性，指出：在绝大多数的约束极值问题中，所有正则Ｋ－Ｔ点是稳定的。     

复形的扩张

针对范畴的同调性质,研究了阿贝尔范畴上的有界复形的扩张的性质。利用阿贝尔范畴的扩张,证明了整体维数有限的阿贝尔范畴上的任意有界复形的同调维数有限,并证明了有界复形范畴中零微分复形的扩张的中间项的微分与其同调群的关系。     

函数τT,L为弱T—函数的充要条件

部分解决了文献［１］中提出一个公开问题，通过相应地减弱Ｔ与Ｌ的条件并结合Ｔ与Ｌ，得到了τＴ，Ｌ成为弱Ｔ－函数的充要条件。     

一种描述热敏电阻R—T特性的数学模型

本文提出了一个描述半导体热敏电阻Ｒ－Ｔ特性的数学公式，这一公式不但能更精确描述热敏电阻的Ｒ－Ｔ特性，同时还能使热敏电阻材料性质的表征更加细致化。     

积分算子f｜→∫e^ih（x,y）K（x—y）f（y）dy｜x—y｜〈1带权不…

研究了由奇异Ｒａｄｏｎ－Ｐｅｎｒｏｓｅ变换中引出的积分算子Ｔｆ（ｘ）＝∫ｅ＾ｉｈ（ｘ，ｙ）Ｋ（ｘ－ｙ）ｆ（ｙ）ｄｙ，｜ｘ－ｙ｜＜１，其中ｈ（ｘ，ｙ）是实李普希兹函数。运用实调和分析工具，建立了其Ｌ＾ｐ有界性及带权有界性。     

一新型移动进程模型—x—演算

提出一新型并发计算模型－ｘ－演算，它与π－演算的不同之处在于；具有统一的输入和输出，只有一类受限名，通讯的范围由局部化操作作界定，允许更大的并发度。着重研究Ｘ－进程的代数性质。     

T—导子的性质

引进加下概念：代数Ａ到其双模Ｍ的线性映射δ称为Ｔ－导子,如果对于Ｖａ,ｂ∈Ａ,δ（ａ）Ｔ（ｂ）＋Ｔ（ａ）δ（ｂ）,其中Ｔ是Ａ的一个自同态,并得出一些Ｔ－导子的性质。     

一些特殊T—型的有限群

运用有限群的Ｔ－型,讨论了某些特殊Ｔ－型的有限群的结构和性质,得到了群超可解的一个充分条件和群可解的一个充分条件。     

T-复形的特异(χ′-)指数的T-重分不变性

给出了Ｔ复形的特异（χ′）指数的定义并证明了Ｔ复形的特异（χ′）指数的Ｔ重分不变性．     

m—耗散型算子方程的迭代方法

设Ｘ是ｐ－一致凸和一致光滑的Ｂａｎａｃｈ空间，Ｔ：Ｄ（Ｔ）→Ｘ是Ｌｉｐｓｃｈｉｔｚ的ｍ－耗散算子，其中Ｔ的定义域Ｄ（Ｔ）是Ｘ的闭真子集，研究了逼近非线性方程ｘ－λＴｘ＝ｆ，λ＞０解的方法，扩展了几个已知的结果．     

T—细胞无关免疫响应的动力学研究

为描述Ｔ－细胞无关免疫系统对于抗原的瓜，提出了关于大Ｂ溧巴细胞分化为浆细胞和腿 化为记忆细胞的分化－退化假定机制，从而建立了一个完全动力学的模型，并利用计算机模拟得出模型的数值解，其结果可以较好地与已知的实验事实相符。     

弱于T1的几个分离性

本文讨论了弱于Ｔ１的几个分离性，证明了（１）闭导集空间等价于ＴＤ－空间；（２）Ｒ０－空间Ｘ是Ｔ１－空间当且发Ｘ是Ｔ０－空间。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。