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测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd1-xMnxTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2+3d (4T1)能级出现在Cd1-xMnxTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。 相似文献
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碲锡铅(Pb1-xSnxTe)是一种禁带宽度可调的三元化合物半导体,用它不仅可制备814μm的高灵敏度的红外探测器,而且可以制备长波红外可调谐激光器. 相似文献
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采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg0.8Cd0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg0.8Cd0.2Te中汞空位扩散系数DL为2×105微米2/小时左右;汞空位最终浓度Lf与汞压成反比,其比例常数(KF)/Ki为5×1019·厘米-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右. 相似文献
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用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga1-xAlxAs混晶谱中不存在的275cm-1峰. 相似文献
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K5Bi1-xErx(MoO4)4固溶体的晶体数据 总被引:1,自引:0,他引:1
用衍射仪和德拜-谢乐相机,Cu靶Ka辐射,收集了K5Bi1-xErx(MoO4)4(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1.0)的X射线粉末衍射图谱.K5Bi1-xErx(MoO4)4(x=0~1)在x的变化范围内是固溶体,它们属于三方晶系,空间群为五R3m,Z=1.5,K5Bi0.9Er0.1(MoO4)4晶胞参数为:a=0.6020nm,c=2.0740nm. 相似文献
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本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10-4的解析式. 相似文献
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研究了(ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系的相结构,测量了因Ga取代部分Zn和Ge所引起的该体系的电学、光学、机械性能等的变化,并对这些变化的可能原因作了初步的探讨. 相似文献