(ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系相结构及其特性研究

研究了(ZnGeP₂)_1-x(GaP)_2x体系的相结构,测量了因Ga取代部分Zn和Ge所引起的该体系的电学、光学、机械性能等的变化,并对这些变化的可能原因作了初步的探讨.     

硼注入金刚石的分子动力学模拟

利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼粒子注入金刚石的微观行为．结果表明：单个500eV的硼原子注入后金刚石仍保持长程有序结构；表面层原子向内驰豫，邻近表达层的其他各层原子向外驰豫，表面层与近表层原子的间距减少了15％，而第2层原子与第3层原子之间的间距增加了1．5％；硼原子穿透到表面层下0．4nm处，然后再向表面扩散；表面层产生0．4MPa的压应力．     

钨和钽丝碳化后的结构变化及其对金刚石成膜质量的影响

本文利用金相分析、Ｘ射线衍射等方法，对ＨＦＣＶＤ法沉积金刚石薄膜时使用的钨丝和钽丝在不同碳化条件下灯丝成分和结构变化作了分析研究，解释了碳化钽丝表面色泽金黄的原因，并在相同沉积条件下，比较了使用碳化和未碳化灯丝对生长金刚石薄膜的影响。结果表明，使用碳化灯丝生长的金刚石薄膜的石墨含量少，金刚石膜的质量和生长速度有所提高。     

金刚石单空位的分子动力学模拟

用分子动力学方法模拟了金刚石中单空位的最近邻原子和次近邻原子的弛豫过程,计算所用的碳原子间相互作用势为Tersoff多体经验势.结果表明,单空位的最近邻原子是向外弛豫的,平均弛豫幅度约为2×10     

硼注入金刚石的分子动力学模拟

利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼粒子注入金刚石的微观行为.结果表明:单个500 eV的硼原子注入后金刚石仍保持长程有序结构;表面层原子向内驰豫,邻近表达层的其他各层原子向外驰豫,表面层与近表层原子的间距减少了15％,而第2层原子与第3层原子之间的间距增加了1.5％;硼原子穿透到表面层下0.4nm处,然后再向表面扩散;表面层产生0.4 MPa的压应力.     

低能粒子轰击(001)2×1表面重构金刚石的计算机模拟

利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼原子注入金刚石的微观行为.结果表明:硼注入后产生温度为5000K的热峰,其寿命为0.18ps;同时产生了半径为0.45nm的局部非晶化区域,三重配位原子数占该区域原子数的7%.硼原子以B〈110〉分裂间隙的形式存在于金刚石结构中.