| (ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系相结构及其特性研究 |
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| 引用本文： | 何贤昶,沈荷生.(ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系相结构及其特性研究[J].应用科学学报,1990,8(4):321-325. |
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| 作者姓名： | 何贤昶 沈荷生 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学 |
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| 摘 要： | 研究了(ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系的相结构,测量了因Ga取代部分Zn和Ge所引起的该体系的电学、光学、机械性能等的变化,并对这些变化的可能原因作了初步的探讨.
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| 关 键 词： | 半导体 多元体系 相结构 特性 |
| 收稿时间： | 1989-04-22 |
| 修稿时间： | 1989-07-20 |
PHASE STRUCTURE AND CHARACTERIZATION OF (ZnGeP2)1-x(GaP)2x SYSTEM |
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| HE XIANCHANG,SHEN HESHENG.PHASE STRUCTURE AND CHARACTERIZATION OF (ZnGeP2)1-x(GaP)2x SYSTEM[J].Journal of Applied Sciences,1990,8(4):321-325. |
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| Authors: | HE XIANCHANG SHEN HESHENG |
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| Institution: | University of Science and Technology of China |
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| Abstract: | The phase structure and the characterization of the (ZnGeP2)1-x(GaP)2x system have been investigated in this paper. The reason for some differences if Ga partly substitutes for Zn and Ge in the lattice is briefly discussed. |
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| Keywords: | |
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