平面曲线弧长极坐标公式探讨

平面曲线弧长的计算是定积分在几何上一个非常重要的应用.通过计算与证明相结合,说明弧长元素的极坐标公式只能为ds=（ρ²（θ）+（ρ’（θ）²））^1/2dθ,而不能为ds=ρ（θ）dθ.     

在600℃封闭系统中Hg0.8Cd0.2Te的热处理

采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg_0.8Cd_0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法^[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg_0.8Cd_0.2Te中汞空位扩散系数D_L为2×10⁵微米²/小时左右;汞空位最终浓度L_f与汞压成反比,其比例常数(K_F)/K_i为5×10¹⁹·厘米^-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

干燥HCl对热氧化生长SiO2的影响

采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×10¹⁰陷阱/厘米²-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×10¹³离子/厘米²)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因.     

微波针灸仪的设计与针刺时微波功率从生物体内反射的测量

我们于1978年研制成功可实用的全固化W-1(图1)及W-1A型微波针灸仪共三套^[1],该年10月通过全套例行试验^[2],并获得医院的疗效观察报告^[3].1979年《电子科学技术》杂志对此作了简短报导^[4].1980年^[5]及1981年提出的新型号,无论频率选择、方案确定,均以W-1A型的设计及电路为兰本.     

贝塞尔函数的若干结果

本文定义一种推广的贝塞尔函数J_v(vx,ω)=1/πintegral from n=0 to ω(e~(-v F(θ,x))dθ(0<ω≤π,v>0,00,b>0,0<σ=a/b≤1/10,b→0+时,得出无穷积分I=integral from n=0 to ∞(e~(ax)k_0(b (x~2+1)~(1/2))xdx的估计为e~(-b)/b~2{(1+π/2σ+2σ~2+…)-b[(π/2-1)+(2-π/2)σ+(3/4π-2)σ~2+…]} ≤I≤2/b~2(1+π/2 σ+2σ~2+…)这里K_0(x)=integral from n=0 to ∞(e~(-xt)/(t~2-1)~(1/2)dt)为贝塞尔函数。     

TCNQ-离子自由基金属盐的电开关现象

从31种TCNQ离子自由基盐的粉末压片中,观察到Li-TCNQ、Mn(TCNQ)₂·3H₂O、Cu-TCNQ、Cu(TCNQ)₂、Zn(TCNQ)₂·xH₂O和Ag-TCNQ有电开关效应.粉末压片的直径是5或8mm,厚度300-600μm,片的两面分别蒸镀Cu和Al电极.电压超过阈值5-8 V时,伏安特性出现突变,电阻值突然下降,从10⁴-10⁵Ω降至10²-10³Ω.高阻态(关态)与低阻态(开态)的电阻比值约几十到几千.     

二氟一氯甲烷的激光裂解

从CF₂HCl裂解制备C₂F₄已有很久历史.七十年代以来不少作者从热分解^[1]、分子束技术^[2]、以及多光子解离^[3~7]等方面对反应机理作了详尽的研究.本文利用连续CO₂激光为热源,研究了CF₂HCl的非均相反应机理.     

砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱

GaAs的等离子体氧化在国内外已有报道.该薄膜的表面态密度约为10¹¹/cm²·eV量级,击穿场强大于10⁶V/cm.可用于MOSFET器件、半导体激光器和发光二极管的钝化膜,选择性(锌)扩散的掩蔽膜^[6,7].本文报道GaAs上等离子体阳极氧化(OPA)膜的红外吸收光谱以及该氧化膜在一定波段内对GaAs衬底的增透作用。     

外弹道的近似解析解

考虑外弹道方程(d/dθ)(1/vcosθ)=-ρ(y)G(v)/gccos~2θ,设空气相对密度ρ(y)=1,速度(米/秒)在280至900之间时阻力函数G(v)=α-β/v,我们得到速度v(θ)与时间t(θ)的解析表示。     

加权平方损失下一类指数分布族刻度参数的估计

对一类刻度指数分布族c(x,n)θ~(-y)e~[-T(x)/θ],利用加权平方损失函数L(θ,δ=(δ/θ-1)~2研究了刻度参数θ的最小风险同变估计.经由Bayes估计给出了最小风险同变估计的精确形式,并讨论了它的最小最大性,最后应用积分变换定理证明了θ的Bayes估计具有不变性.     

障碍问题局部可积性的一个注记

考虑A-调和方程divA(x,u)=0,设算子A满足:(i)强制性条件A(x,ξ),ξ≥α|ξ|p-φ1(x);(ii)控制增长条件|A(x,ξ)|≤β|ξ|p-1+φ2(x);(iii)齐次性条件A(x,0)=0,其中1pn,0α≤β∞是非负常数,φ1(x)∈Llso/cp(Ω),φ2(x)∈Lslo/c(p-1)(Ω),1psn。设Kψp,θ(Ω)={v∈W1,p(Ω):v≥ψ,a.e.Ω,v-θ∈W01,p(Ω)},ψ为定义于Ω取值于R∪{±∞}的障碍函数,θ∈W01,p(Ω)为边值。利用Sobolev空间的不等式及嵌入引理,得到了如下局部可积性结果:若0≤ψ∈Wl1o,cs(Ω),则Kψp,θ-障碍问题的解u∈Llso*c(Ω),s*=nn-ss。本结果可看成是高红亚,田会英的结果的推广。     

掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.     

单位球面中具有平行平均曲率向量的子流形

设M^n是单位球面S^n＊p中具有平行平均曲率向量的紧致可定向子流形,令｜A｜2为第二基本形式长度的平方．若｜ A｜^2〈2n√（n-1）/[2θ√（n-1）＋n ],则M^n是S^n＊p中的标准球面;当｜ A｜^2〈2n√（n-1）/[2θ√（n-1）＋n ]时．还可以对子流形M^n进行分类.     

一类超空间动力系统的稳定性

研究了当底空间(X,d)是局部紧致的且满足第二可数性公理的度量空间时,拓扑动力系统(X,d,f)和其诱导的超空间动力系统(2X,ρ,2f)关于等度连续之间的关系.给出了一些新的结论.     

A型样本统计深度函数的渐近性质

设D(.;.)是一个A型统计深度函数,函数h满足以下条件:对任意正数M(i)(i) lim‖x‖→∞sup‖xf‖≤M,i=1,…,rh(x;x1 ,…,xr) = 0,(ii) limn→∞sup‖x‖≤M|∫h(x;x1,…,xr)d(F(x1,…,xr) - Fn(x1,…,xr))|= 0,a.s.则limn→∞supx∈Rd|D(x;Fn)-D(x;F)|=0 a.s. 令(θ)n=maxx∈RdD(x;Fn),h连续且D(x,F)有惟一的最深点Q,则lim (θ)n=0 a.s.     

伯胺N_(1923)对贵金属的萃取(Ⅲ)——含有氯桥的双核配阴离子Rh_2Cl_9~(3-)的研究

用胺类萃取时,铑以双核的配氯阴离子存在于有机相中,无论用三辛胺,三异辛胺还是N_(1923)萃取时,萃合物的铑氯之比均接近2:9,可用Rh_2Cl_(9~(3-))表示。在此双核配阴离子之中,二个铑原子用三个氯桥相连成,这是一个共面的双八面体,红外光谱中Rh-C1振动峰的分裂证实了这种桥氯键的存在。除了1593cm~(-1)处的Rh-Cl峰之外,在1488cm~(-1)处出现了一个新峰,分裂发生在低频区意味着桥氯键的长度比端氯键长。在类似的双核配氯阴离子如Cr_2Cl_(9~(3-))与W_2Cl_(9~(3-)中,也存在有桥键的伸长。     

基于SPSS的岩溶地下水质变化及其影响因素——以重庆市金佛山表层岩溶地下水为例

重庆金佛山地区岩溶泉水遍布,但是各个泉点的水质却有较大差异.利用地下水的化学性质,如pH,电导率Υ,HCO-3、Ca2+、Mg2+、Na+、K+、SO42-、NO-3和Cl-等的质量浓度进行因子分析可以分辨出自然过程和人类因素对地下水的影响.2009年1月在重庆金佛山地区采集36个岩溶泉水样,分析结果表明:金佛山岩溶泉的水化学成分具有较大的空间变异.利用SPSS中因子分析方法,得到基于水中离子和地球化学过程解释的地下水水质特征及其形成的4个因子:水-岩作用是地下水中SO42-、F-、K+、Sr2+和Ca2+形成的共同因素,Mg2、HCO3-主要受土壤等因子影响,Na+、Cl-主要来源于大气降水,人类活动主要影响水中的NO-3.以上4种因子可以解释金佛山岩溶地下水水质形成的87.58％,其中水-岩作用可以解释55.56％,是影响金佛山地区岩溶水水质的最重要因素.     

二氧化碳焊诱导熔滴短路过渡可控硅电源的研究

本文就可控硅整流弧焊电源用于CO_2气体保护焊诱导熔滴短路过渡的控制性能进行了研究。介绍了两种控制诱导熔滴短路过渡的方法(即:电源输出外特性恒流-恒流切换控制和恒压-恒流切换控制)以及电源控制电路的工作原理和控制效果的比较试验结果。     

压痕法测量Zr基非晶压力敏感因子

采用压痕法研究了两种Zr基非晶依横于压力屈服行为,非晶的压力敏感因子可以通过对剪切带之间的夹角(2θ)测量得到.纳米压痕P-h曲线也表现出相似的结果,随着压力敏感因子而改变,这个结果与有限元模拟压痕测量的结果非常一致.剪切带之间的夹角(2θ)和纳米压痕P-h曲线都显著的依赖压力敏感因子改变而变化,这说明非晶是一种依赖于压力屈服行为.压痕实验结果依赖压力敏感因子变化行为进一步说明可以采用压痕法测量非晶压力敏感因子.