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采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×1010陷阱/厘米2-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×1013离子/厘米2)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因. 相似文献
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文中介绍了高频离子源[1]中应用等离子体化学反应与非等离子体中的化学反应对于引出金属离子束的区别.通过实验事实和分析,证明在引出金属离子方面,等离子体中的化学反应比非等离子体中的化学反应效果要好;等离子体化学反应在高频离子源中及离子注入机上得到运用,效果较好,有其特点.应用等离子体化学反应并结合物理手段较方便地获得了金属离子束,特别是解决了高挥发温度金属离子束的获得问题.已引出的离子有:Re+、W+、Mo+、Y+、Nd+、Pd+、Au+、Ta+、Ti+、Cr+、Ce+、Ag+、Fe+,Ca+、V+,Al+,Be+、Li+、Si+、Ga+、In+,Bi+等. 相似文献
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采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg0.8Cd0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg0.8Cd0.2Te中汞空位扩散系数DL为2×105微米2/小时左右;汞空位最终浓度Lf与汞压成反比,其比例常数(KF)/Ki为5×1019·厘米-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右. 相似文献
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我们于1978年研制成功可实用的全固化W-1(图1)及W-1A型微波针灸仪共三套[1],该年10月通过全套例行试验[2],并获得医院的疗效观察报告[3].1979年《电子科学技术》杂志对此作了简短报导[4].1980年[5]及1981年提出的新型号,无论频率选择、方案确定,均以W-1A型的设计及电路为兰本. 相似文献
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半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力[1].由于Si-SiO2界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降. 相似文献
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Konowalow等人首先从理论上预言了在钠和锉的双原子分子里获得b3∑g+-x3∑u+的受激辐射[1,2].文献[3]在钠蒸气里观察到b3∑g+-x3∑u+辐射带,但是至今尚未见到关于Li2(b3∑g+-x3∑u+)辐射带的报道. 相似文献
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纸张水分含量是纸张质量的重要指标之一。准确测定和有效监控纸张的水分,对提高纸张的质量、节省原料、能源和提高纸机的效率等是十分必要的。 相似文献
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本文进一步研究了垂直泵作用下,钇铁柘榴石(YIG)单晶薄膜脉冲微波功率的铁磁共振吸收特性.实验结果表明:在较低微波功率下,低占空因子脉冲微波功率的铁磁共振曲线的主要特征是由于自旋波不稳定性引起共振线宽的变宽效应,而且增加磁场和减少磁场得到的共振曲线基本是相同的.在高微波功率下出现了铁磁共振的折叠效应. 相似文献
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本文介绍了全部采用国产元器件建立的时域法脉冲展宽测量系统的原理、设计、结构及测试结果.该系统可用来测定单模光纤长波长(1.3μm)色散.测试结果及分析表明,本系统可满意地用于多模光纤色散和光电探测器响应速度测量;对单模光纤色散测量,当待测光纤长度达10km以上时,相对测量误差小于3%.在待测光纤较短时,相对误差增大,但此时仍可满意地鉴别单模光纤在1.3μm波长下是否符合6ps/km·nm这一技术指标. 相似文献
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在石英管内,采用602.22nm (或578.9nm)双光子泵浦Na蒸气获得2.3 μm,330.2nm (或3.4μm,330.2nm)串接受激辐射.它们分别来自于. 相似文献