离子注入的~(75)As在SiO_2薄膜中的射程参数

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析，测出了７５Ａｓ在样品中的射程分布．将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒｅｘｐｐ与ＴＲＩＭ９０程序计算的Ｒｃａｌｐ值符合得很好，而ΔＲｐ的值符合较差，ΔＲｅｘｐｐ普遍大于ΔＲｃａｌｐ．上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散     

离子注入的^75As在SiO2薄膜中的射程参数

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的＾７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的＾４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析。测出了＾７５Ａｓ在样品中的射程发布。将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒ＾ｅｘｐｐ普遍大于ΔＲ＾ｖａｌｐ，上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散。     

国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．     

阿霉素的荧光测定研究

提出荧光法测定阿霉素的新方法。阿霉素在硫酸介质中发生脱水反应生成强荧光的脱水物，反应产物荧光强度在７．３×１０＾－１０～２．２×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ浓度范围与阿霉素含量成正比，检出限为２．１×１０＾－１０ｍｏｌ／Ｌ。用于测定血清和尿液中阿霉素的回收率分别为８９％～９５％和９６％～１０１％，体液中常见金属离子，如Ｆｅ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｎ＾２＋等，不干扰测定结果。     

水杨醛肟与醋酸钴固相配位反应的热化学研究

用新型的具有恒定温度环境的反应热量计，以一定比例的ＤＭＳＯ与ＤＭＦ混合溶液作为量热溶剂，分别测定了反应物和产物的溶解焓。设计了一个新的热化学循不。得到固相配位反应的反应焓ΔｒＨｍ＝２２４．４５３ｋＪ．ｍｏｌ＾－１，计算出了配合物Ｃｏ（ＳＡＯ）２．２Ｈ２Ｏ的标准生成焓ΔｆＨｍ＝－９５７．２０５ｋＪ．ｍｏｌ＾－１。     

离子束混合法制备Sm—Fe—N磁性薄膜

利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２时，形成Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜；而Ｎ离子的注入剂量为２×１０１７／ｃｍ２时，Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜转变成非晶磁性薄膜，而且Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜和Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ非晶磁性薄膜的磁性（饱和磁性强度、矫顽力）与注入前的Ｓｍ－Ｆｅ薄膜相比有明显的提高     

ZnCl2与POM的合成和结构

ＺｎＣｌ２与ＰＯＭ生成１：２加成物「Ｚｎ（ＰＯＭ）２Ｃｌ２」，Ｃ１２Ｈ１２Ｃｌ２Ｎ４Ｏ６Ｚｎ，晶体必三科晶系，空间群为Ｐ１，晶胞系数为ａ＝１１．７５５（１１）×１０＾－１０ｍ，ｂ＝１２．３５７４（７）×１０＾－１０ｍ，ｃ＝６．５９２（４）×１０＾－１０ｍ，ａ＝１０２。７３２（５）°，β＝９２．０７４（６）°，γ＝１１０．１２４（６０°，Ｖ＝８７６．２×１０＾－３０ｍ，ＭＲ＝４４４．５３，ｚ＝２，ｄ     

甲基丙烯酸甲醇与氰乙基化交联淀粉的接枝共聚反应及其改性接枝物对金属离子吸附性能的研究

以ＡＰＳ－ＴＵ和ＡＰＳ－Ｕ为引发体系，研究了氰乙基化交联淀粉与甲基丙烯酸甲酯（ＭＭＡ）的接枝共聚反应规律；ＩＲ，ＳＥＭ表征了产物的结构；当［ＡＰＳ］＝［ＴＵ］＝［Ｕ］＝３×１０－２Ｍ，［ＭＭＡ］＝６×１０－１Ｍ，Ｓ：Ｌ＝４：１００，６０℃，反应６小时时，Ｇ％、Ｅ％值最高．用ＮＨ２ＮＨ２改性后，含－ＣＯＯＮＨＮＨ２功能基的接枝共聚淀粉对Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｐｈ等重金属离子有较好的吸附性能．     

离子注入金属饱和注量及浓度分布的计算和实验研究

Ti 注入钢的射程参数(1～1000keV)是用 TRIM87程序计算而得到的.考虑到高注量注入溅射效应的影响,利用 Schuilz 模型计算了 Ti 注入钢和 Al 中浓度分布.对此模型中饱和注量与离子射程的关系提出了修正.给出了表面浓度与射程关系表示式.为了提高注入效率,节省注入时间,利用这些修正式能方便地给出饱和注量和注入元素浓度分布.计算结果与低温下注入的实验结果相符合,而与加温(400℃)注入的实验结果偏离较大.也考虑了注入合金择优溅射和注入效率的问题.     

金属等离子体浸没Ta+和Ti+离子注入

采用由阴极真空孤等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没注入系统,实现Ｔａ＾＋和Ｔｉ＾＋浸没注入,并对离子注入层予以表征。结果表明,等离子体浸没离子注入钽和钛的ＲＢＳ分析射程,低于按设定加速电压的注入能量计算的ＴＲＩＭ射程。     

Al3＋替代对Mg－Mn微波铁氧体性能的影响

研究用Ａｌ３＋替代Ｆｅ３＋，对Ｍｇ－Ｍｎ尖晶石微波铁氧体性能的影响，结果表明，随Ａｌ３＋替代量增加，铁氧体的４πＭｓ下降，电阻率增加，介电损耗和磁损耗下降。当ｘ＝０．４时，４πＭｓ在６００～６５０ＫＡ／ｍ，介电损耗和磁损耗都较小，适合于Ｓ波段器件的使用要求。用化学共沉法制备粉料，并用普通氧化物工艺制备Ｍｇ－Ｍｎ铁氧体，研究了烧结温度和气氛对铁氧体性能的影响。当ｘ＝０．４时，可制得如下性能的铁氧体：４πＭｓ：６００－６５０ＫＡ／ｍ；Ｔｃ：２５０℃；ρ：４．５×１０８Ω·ｃｍ；ｔｇδｅ：１．１×１０－２（ｆ＝２６ＭＨＺ）；ｔｇδＭ：１×１０－２（ｆ＝９ＭＨＺ）；ε：１１．０；Ｄ：４．６８×１０３ｋｇ／ｍ３．     

电子和质子辐照Tc氧化物高温超导体的不同特性

用２００ＫｅＶ质子，４００ＫｅＶ和８ＭｅＶ电子分别辐照ＹＢａＣｕＯ高Ｔｃ超导材料，其影响是不同的．质子注入使零电阻温度从８６．７Ｋ提高到８９．８Ｋ，而剂量为２．２５×１０１４电子／ｃｍ２的８ＭｅＶ的电子辐照却使超导体的零电阴温度下降３Ｋ左右．当电子辐照剂量为１．３５×１０１５ｅ／ｃｍ２时，超导体变成绝缘体．用高分解电镜对４００ｋｅＶ的电子辐照分况进行实地在线研究，发现当剂量到１．０×１０２６ｅ－／ｃｍ２时，氧化物超导体中的品相出现非品化，而其原来为非品区域处处出现有序化．     

The Effects of Selective Attention on ERPs Elicited by Visual & Auditory Deviant Stimuli

本实验采用了视听双通道伪同时呈现的ｏｄｄｂａｌ模式,以汉字和简单几何图形为视觉刺激,１０００Ｈｚ和８００Ｈｚ的纯音为听觉刺激,使用注意通道（注意和非注意条件）×刺激概率（偏差刺激概率均为１５％,标准刺激的概率均为８５％）的２×２因素设计,来研究视觉和听觉偏差刺激在注意和非注意条件下诱发的事件相关电位（ＥＲＰｓ）。实验中视觉和听觉刺激随机序列地呈现给被试（刺激间隔ＩＳＩ为７００～１３００ｍｓ）,被试被要求注意某一通道如视觉通道,而相应地忽视另一通道即听觉通道,以左右手触键反应,如左手反应视觉偏差刺激,右手反应视觉标准刺激。结果表明,听觉偏差刺激在注意和非注意条件下均诱发了类似的不匹配负波（ＭＭＮ）;而视觉偏差刺激在注意和非注意条件下没有诱发ＭＭＮ或类似ＭＭＮ的成分,这是因为视觉系统的平行加工特性和难以对视觉影像产生记忆痕迹。听觉偏差刺激在注意条件下重迭了Ｎ２ｂ成分并跟随了Ｐ３ａ成分,这种重迭和跟随反映了选择注意中的定向反应。注意条件下听觉和视觉的偏差刺激诱发了较大波幅的Ｐ３００成分,反映了工作记忆中的表象更新。本实验的结果支持Ｎａａｔａｎｅｎ对ＭＭＮ所做的观察,听觉偏差刺激所诱发的ＭＭＮ与注意条件的无关性反映     

用计算机系数矩阵研究铋（Ⅲ）——硫氰酸铵——吐温——80显色体系

研究Ｔｗｅｎ水溶液中硫氰酸铋（Ⅲ）配合物的吸收光谱，得到λｍａｘ＝４７０ｎｍ，较ＤＭＳＯ、水介质中显色反应的灵敏度提高一倍．在显色条件ｐＨ＝０．６６，Ｉ＝０．３２下，硫氰酸铵浓度在０．２０～０．３２ｍｏｌＬ－１范围内Δε与硫氰酸铵浓度呈函数关系．用改善了的Ｙａｔｓｉｍｉｒｓｋｉｓ方法处理数据，得到β１＝０．８５７，β２＝３．２０，β３＝４．０９，β４＝７．５０及Δε１＝１．６０×１０３，Δε２＝５．７８×１０３，Δε３＝４．４４×１０３，Δε４＝７．３４×１０３．并测出显色反应的热力学参数ΔＨ＝－１１７．８ｋＪｍｏｌ－１，ΔＧ＝－５．０６ｋＪｍｏｌ－１（ｔ＝２５℃）．     

Ti上注Pd电极的阳极电催化行为

采用单向电位扫描技术研究了Ｐｄ离子注入的Ｔｉ电极电催化析氧和析氯的行为。催化剂是在４０ｋｅＶ的注入能量和１×１０（１６）～１×１０（１８）ｃｍ（－２）的注量（Φ）下，将Ｐｄ离子注入Ｔｉ基体中制得。ＡＥＳ测量结果表明，Ｐｄ在Ｔｉ基体中的分布接近正态分布。Ｐｄ／Ｔｉ注入电极在质量分数ｗ＝３０％的ＫＯＨ溶液中，用于催化析氧有一个临界注量（Φｃ），注量大于Φｃ，其催化活性明显增加，并随着Φ的增加，催化活性提高，在析氧过程中，Ｐｄ和Ｔｉ同时溶解，不存在Ｐｄ的表面积累，而且催化活性与表层Ｐｄ的含量成正比。高注量Ｐｄ／Ｔｉ注入电极对氯析出反应也有很高的催化活性。     

Mo离子注入硅和快速退火硅化钼的形成

用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼。实验中发现，当注量均为５×１０＾１７ｃｍ＾－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束流密度为０．５０Ａ．ｍ＾－２时，方块电阻Ｒ口最小，其值为９０Ω。Ｘ衍射分析表明，当束流密度为０．２５Ａ．ｍ＾－２时，硅化钼衍射峰很小，难于辨认，当用０．５０Ａ．ｍ＾－２注入时，３种结构的硅化钼明显出现，对０．２     

锌（Ⅱ）、镉（Ⅱ）与某些以氧氮配位的双齿配体配合物的稳定性研究

应用ｐＨ－电位滴定法测定了水溶液中ＭＬ、ＭＬ＿２型配合物在离子强度为０．１０（ＫＮＯ＿３）、温度为１５℃、２５℃、３５℃和４５℃时的稳定常数．其中Ｍ为Ｃｄ￣（２＋）、Ｚｎ￣（２＋）离子，Ｌ为２，２＇－联吡啶、邻菲咯啉、水杨酸、３，５－二硝基水杨酸．用温度系数法及热力学关系式求出了配合物形成反应的热力学函数变化ΔＧ、ΔＨ和ΔＳ．亦同时求出了配合物的稳定性随配体本身碱性强度之间的线性自由能方程．     

Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

无机还原剂铁（Ⅱ）──光泽精化学发光反应的研究

采用流动注射技术，研究了由Ｊｏｎｅｓ柱产生的铁（Ⅱ）与光泽精的化学发光反应，建立了新的测定铁的化学发光分析法．方法的检出限为４×１０－１２ｇ／ｍＬ铁，相对标准偏差为２．０％（２×１０－８ｇ／ｍＬ铁，ｎ＝１１），线性范围为１×１０－１１ｇ／ｍＬ～１×１０－５ｇ／ｍＬ．该法用于一些化学试剂和镁合金中痕量铁的测定，结果令人满意．     

双向平均光速各向同性的实验检验

用抗共模干扰的激光拍频法使激光器频率不稳定引起的拍频误差减小到Δνν＜２×１０－２０。用外差移频技术实现周期的细分，再辅以微机存贮技术使频率差分辨率达到１×１０－４Ｈｚ。实验检验双向平均光速各向同性达到Δｃｃ＜１×１０－１８的精度。这一实验结果比国外最高的检验精度Δｃｃ≤２．５×１０－１５高出了２５００倍