| Mo离子注入硅和快速退火硅化钼的形成 |
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| 引用本文： | 张通和,吴瑜光.Mo离子注入硅和快速退火硅化钼的形成[J].北京师范大学学报(自然科学版),1994,30(3):357-362. |
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| 作者姓名： | 张通和 吴瑜光 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，国家教委射线束材料工程实验室 |
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| 摘 要： | 用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼。实验中发现，当注量均为５×１０＾１７ｃｍ＾－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束流密度为０．５０Ａ．ｍ＾－２时，方块电阻Ｒ口最小，其值为９０Ω。Ｘ衍射分析表明，当束流密度为０．２５Ａ．ｍ＾－２时，硅化钼衍射峰很小，难于辨认，当用０．５０Ａ．ｍ＾－２注入时，３种结构的硅化钼明显出现，对０．２
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| 关 键 词： | 钼离子 硅 离子注入 硅化钼 |
THE FORMATION OF Mo SILICIDES FOR Mo IMPLANTED SILICON AND RTA |
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| Zhang Tonghe,Wu Yuguang, Liang Hong, Qian Weidong, Luo Yan.THE FORMATION OF Mo SILICIDES FOR Mo IMPLANTED SILICON AND RTA[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1994,30(3):357-362. |
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| Authors: | Zhang Tonghe Wu Yuguang Liang Hong Qian Weidong Luo Yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal Mo ions implantation into silicon silicide rapid thermal annealing large ion flux |
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