中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术

本文描述了一种新奇的 SOI 技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了 SOI 结构。在这个结构上我们制作了 n 沟 MOSFET。本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的 MOS 器件的性能.     

SOI技术的现状、趋势和挑战

本文通过讨论SOI芯片的制作、SOI电路的特性、典型SOI器件的结构和性能阐述了SOI技术的现状，同时介绍了与SOI技术未来有关的一些关键问题．本文还强调了为了在商业领域与体硅材料竞争SOI材料面临的挑战。     

SOI光波导器件的研究进展

近年来随着SOI晶片制备技术的成熟,SOI基波导光波导器件的研究日益受到人们的重视.介绍了弯曲波导、光耦合器、可调谐光衰减器、光调制器和光开关等常见的SOI基光波导器件的一些研究进展.     

SOI脊形光波导的设计与研制

利用有效折射率的数值解法,计算出了SOI脊形光波导的有效折射率.由此得到SOI脊形光波导传输单模光波时内外脊高b,h及脊宽W的尺寸.在此基础上研制了SOI光波导,测得其传导损耗为0.87dB/cm.     

SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管（SiGe SOI BMHMT）构成适合在低电压下工作的新型集成电路，该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能，对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟，结果表明，SiGe SOI BMHMAT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高，阈值电压降低。存在衬底栅极和横向双极晶体管，使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高。     

倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究

摘要：为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构。本文研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用,在研究过程中发现,倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高。本文基于0.35um SOI 工艺线,结合ISE TCAD 软件对器件的电学特性进行仿真,比较了流片测试数据和仿真数据。着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI 器件抗SEU能力的改善,并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真。     

ENSO现象对山西省天气气候的影响

本文利用区域平均和相关方法分析了山西省沙尘日数发生频率及降水量与ENSO事件、大气-海洋环流因子SOI指数的关系.所用资料是山西18个站逐年逐月的扬沙、沙尘暴日数和降水量,资料序列长度为1961年-2003年.结果表明,山西的沙尘天气事件与SOI指数有显著的滞后两年的正响应关系,二者呈显著正相关的站点主要分布在中东部和东北部;而降水量与SOI指数有显著的滞后一年的负响应关系,二者呈显著负相关的站点主要分布在西北部和西南部.     

0.18um SOI器件技术抗SET设计加固方法

本文介绍0.18um SOI器件技术中SET（Single Event Transient）的原理模型及设计加固方法,并结合工艺具体参数利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真。探讨SET在0.18um SOI器件技术中的微观机理,提出0.18um SOI工艺SET设计加固方法。本文重点在于器件和电路级的探讨与加固,尤其是器件物理结构上的SET机理模型及加固设计。     

基于SOI的可变电容的特性分析

提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法,利用它对一种基于SOI的三端可变电容(栅控二极管)进行了模拟研究,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响.结果显示,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响.在模拟中,还观察到了当栅氧厚度很薄时,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象.该研究结果可为SOI可变电容的进一步实验设计和优化以及建模工作提供指导方向和依据.     

DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI 3种结构的器件.通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应.由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势.DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件.     

超厚砂卵石地层气举反循环钻探工艺

采用气举反循环的钻探工艺，在孔径为3．0m、厚度为33m的超厚砂卵石地层桩基础施工中，改进了钻进施工工艺方法。研究结果表明：采用改进后的泥浆循环系统，提高了排渣的效率，实现了边正常钻进边排渣的工，作流程，在实际工程应用中具有可操作性；通过研究孔壁稳定与泥浆指标、孔内水头位置进行工程试验，获得的泥浆粘度比常规值低，节约了造浆成本，提高了钻探效益。此外，提出一个斯的钻杆孔内有效气量的简化计算公式。     

采用预应力碳纤维技术提高钢结构承载力的分析

针对传统碳纤维加固钢结构的方法效果不明显的问题，将预应力技术应用于碳纤维加固钢结构，给出了应用该技术加固钢结构极限承载力的计算公式，并通过有限元方法进行了验证，结果表明该技术可以进一步提高钢结构的承载力。     

公路盖梁施工技术的革新与应用

通过对公路桥梁盖梁传统的支架法、革新后的抱箍法施工工艺的介绍,从施工用时、经济性、工艺性、环保性等方面较为详尽地对两种施工方法做了比对,总结了抱箍法技术的特点及其在施工中的优越性。     

基于有效介电函数的SOI材料的光学表征

通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱(rutherford back scattering spectrometry,RBS)、透射电镜(transmission electron microscope,TEM)、俄歇电子能谱(auger electron spectroscopy,AES)、红外反射谱法(infra...     

探讨现代建筑理论——论建筑的文化视角

建筑是艺术和技术的综合,不承认建筑的艺术性,而过分夸大它的功能性,实质上是掩盖了它的完整性。然而,承认建筑的艺术性和技术性仍然没有覆盖建筑性质的全部,建筑的文化性是建筑更深层的属性,即建筑的灵魂。建筑文化作为社会整体文化的一部分,在熔铸民族或地域性格的过程中起了不可替代的作用。     

晋普山岩巷掘进技术方案

阐述了传统岩巷施工技术的弊端，介绍了岩巷快速成巷技术中的机械化作业线的优点，光面爆破技术的机理与参数选择，锚喷支护技术的施工工艺、参数选择与计算，提出了快速成巷技术应注意的问题。     

地铁暗挖车站扣拱施工技术

介绍了北京地铁十号线苏州街暗挖车站“PBA”洞桩法施工中的关键技术——扣拱施工技术,包括施工难点、施工方法及施工注意事项等,可为类似工法施工提供借鉴和参考。     

广东科学中心饱和淤泥质砂土地基预处理技术的研究与应用

结合正在建设中的广东省重点工程——广东科学中心,针对饱和淤泥质砂土地基存在的工程地质隐患等问题,详细分析该建筑场地对地基的要求,提出动静结合排水固结法处理地基.在进行动力排水固结的现场试验的基础上,采用地基预处理技术处理广东科学中心近38.7万m2的饱和淤泥质砂土地基,并探讨了该新技术的加固机理、设计方法及施工技术等.通过现场监测与检测,结合饱和软土微结构定量研究试验,证明该技术处理饱和软土地基具有良好的效果,可供同类工程参考、借鉴.     

水中缺陷桩基处理技术总结

在施工颍河特大桥主墩桩基灌注时混凝土输送泵出现故障造成浇注中断,桩基检测发现缺陷。采用旋喷压浆技术对缺陷桩基进行了处理,处理后检测合格。对旋喷压浆处理桩基缺陷的全过程进行了介绍,并对施工中出现的技术问题进行了分析。