首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   81篇
  免费   1篇
丛书文集   2篇
现状及发展   1篇
综合类   79篇
  2023年   1篇
  2022年   2篇
  2019年   3篇
  2018年   2篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   4篇
  2013年   3篇
  2012年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   4篇
  2009年   9篇
  2008年   7篇
  2007年   2篇
  2006年   10篇
  2005年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   7篇
  2001年   1篇
  2000年   5篇
  1999年   4篇
  1998年   1篇
  1997年   2篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1993年   1篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   3篇
  1962年   1篇
排序方式: 共有82条查询结果,搜索用时 203 毫秒
1.
为解决悬臂梁结构的射频微机电系统开关在残余应力的作用下会发生翘曲的问题,提出在悬臂梁的顶端引入斜拉梁的方法。使用Al/Au复合桥膜作为射频微机电系统开关的上电极,实现了Au-Au接触,利用BorofloatTM玻璃作为衬底,使用电阻对导通状态下的射频信号与驱动电极旁路进行隔离,使它的射频性能不受驱动电压的影响。测试表明:隔离度在12 GHz的频率下,插入损耗和隔离度分别为-0.29 dB和-20 dB。该射频微机电系统开关适合于DC-X波段的应用。  相似文献   
2.
具有斜拉梁的串联接触式射频微机电系统开关   总被引:1,自引:0,他引:1  
为解决悬臂梁结构的射频微机电系统开关在残余应力的作用下会发生翘曲的问题,提出在悬臂梁的顶端引入斜拉梁的方法。使用Al/Au复合桥膜作为射频微机电系统开关的上电极,实现了Au-Au接触,利用BorofloatTM玻璃作为衬底,使用电阻对导通状态下的射频信号与驱动电极旁路进行隔离,使它的射频性能不受驱动电压的影响。测试表明:隔离度在12GHz的频率下,插入损耗和隔离度分别为-0.29dB和-20dB。该射频微机电系统开关适合于DC-X波段的应用。  相似文献   
3.
21世纪微电子技术发展展望   总被引:2,自引:0,他引:2  
一、集成电路技术的高速发展几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。著名的摩尔(Moore)定则指出,IC的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数),每3年左右为一代,每代翻两番。对应于IC制作工艺中的特征线宽则每代缩小30%。根据按比例缩小原理(Scal澊ingDownPrinciple),特征线条越窄,IC的工作速度越快,单元功能消耗的功率越低。所以,IC的每一代发展不仅使集成度提高,同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。与IC加工精度提高的同时,加工的硅园片的尺寸却在不断增…  相似文献   
4.
试论社会环境对言语表达的制约①李志坚任何语言的运用都是在特定的环境中进行的,这种环境,我们称它为语言环境,简称语境。语境可分为宏观语境和微观语境,通常微观语境指文章的上下文和言谈的前言后语,宏观语境就是上下文和前言后语以外的东西。张志公先生则把文章的...  相似文献   
5.
源。要鼓励企业走出去,主动联合高校、科研院所,建立技术研发中心、工程技术中心、重点实验室等。鼓励开展科技创业,在相互参股、利益共享、风险共担的基础上,建设科研生产联合体。三是做好政策扶持,营造更加灵活宽松的政策环境。最近,市政府制订了《实施“1217”工程推进先进制造业基地建设的若干意见》,这是临海最新的工业扶持政策,主要内容就是鼓励、引导、支持企业走科技进步和自主创新之路,做得更大、更强、更优。企业科技方面取得的成绩,市政府将给予最高100万元的重奖,不封顶,多得多奖。对于这些政策,我们一定要及时、完全的兑现。同…  相似文献   
6.
主要研究了在微波处理条件下由虾、蟹壳制备环境友好型絮凝剂的方法。并对各因素对甲壳素脱乙酰度的影响进行了讨论,用正交试验确定了最优的反应条件。  相似文献   
7.
DCP硫化NBR/PVC共混胶压缩永久变形性能的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对比丁腈橡胶(NBR)与聚氯乙烯(PVC)橡塑共混胶(以下简称NBR/PVC)在DCP硫化体系中,分别以单纯DCP、DCP与硫磺并用、DCP与三烯丙基异氰酸酯(TAIC)并用作为硫化体系的结果,分析了压缩永久变形性能随硫化体系变化而变化的规律,硫化性能与压缩永久变形性能之间的关系。结果表明:DCP单独硫化NBR/PVC时,DCP用量较大,NBR/PVC压缩永久变形性能较差,最小值为41.9%;DCP与硫磺并用时,硫磺参与聚合物自由基反应,提高硫化速度,并使交联效率提高,NBR/PVC压缩永久变形性能优良,DCP 4.5份和硫磺1.0份配合,NBR/PVC压缩永久变形最小为22.0%;DCP与TAIC并用时,有效降低了NBR/PVC压缩永久变形,TAIC用量的增加对NBR/PVC压缩永久变形性能影响较小,当TAIC用量为1.0份时,NBR/PVC压缩永久变形最小为28.9%。  相似文献   
8.
采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2, 并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1 min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48 eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺.  相似文献   
9.
分析了具有晶粒间载流子势垒的多晶半导体簿膜的导电和光电导性。证明了这种势 垒的存在使薄膜的电阻和光导比灵敏度值增加,产生复合噪音作用相对于1/f噪音增 长,信噪比则可能有所提高。 对Sb2S3及PbS薄膜的上述性质和其与膜的结构的联系进行了实验研究。已证实,在这些膜中存在晶粒间势垒,并且在所研究过的薄膜的光电导性中他们确起着重要的作用。$(一)节中多晶薄膜模型棵用R、L,ntritz在Phys.Rev.104;1508(19秘)一文山提出的假设.  相似文献   
10.
本文研究合成三个结构有关的长碳链季铵盐:溴化十四烷基三甲铵(TTAB),溴化十六烷基三甲铵(CTAB)和溴化十八烷基三甲铵(STAB)并探讨其合成的反应条件.该类季铵盐对甘蔗有很好的增糖催熟效果.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号