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相似文献
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1.
钠离子改性二氧化硅微球的制备及其光子晶体自组装   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘立营  王秀峰  章春香  程冰 《科学通报》2009,54(12):1706-1710
为提高SiO2微球的表面电荷密度, 分别利用氯化钠和金属钠引入Na+, 通过正硅酸乙酯的水解, 合成SiO2微球, 并采用垂直沉积法制备出光子晶体. 通过Zeta电位粒度仪、带EDS能谱仪的场发射扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-近红外光谱仪对其电学性能、显微形貌和光学性能进行测试分析. Zeta电位测试结果显示经引入Na+改性后SiO2微球的Zeta电位有明显提高, 其中经电解质氯化钠和金属钠改性后分别平均提高11.39和13.52 mV; EDS能谱分析表明微球中含有钠元素; SEM 照片表明经氯化钠和金属钠改性后样品平均粒径均有所增加, 分别为380和354 nm, 并且标准偏差均小于5%, 所得光子晶体为面心立方密排结构; 吸收光谱表明经氯化钠和金属钠改性后所得光子晶体分别在856和798 nm处具有光子晶体带隙, 吸收峰具有明显红移现象, 并且更窄更明显.  相似文献   

2.
焙烧对二氧化硅胶体晶体薄膜光学特性的影响   总被引:3,自引:1,他引:2  
汪静  李康  袁春伟 《科学通报》2003,48(20):2120-2122
以垂直沉积法(vertical deposition method)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜, 并将其在不同温度下进行了焙烧. 通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态和在400℃, 800℃焙烧后的SiO2胶体晶体薄膜进行了表征. 结果表明, 样品在较大范围内保持单晶密排有序结构, 而且无断裂现象发生. 经400℃和800℃焙烧3 h后衍射峰发生很小的蓝移, 而衍射峰的幅值和半峰宽度却发生了显著变化.  相似文献   

3.
肖寒  吴金玲  陈旭  杨文胜 《科学通报》2007,52(19):2255-2259
采用新型纳米材料MnO2纳米片作为固定辣根过氧化物酶(HRP)的载体, 制备了HRP/MnO2纳米片修饰的玻碳电极(GCE). 在MnO2纳米片薄膜中, HRP能够实现有效的直接电子转移, 在pH 6.5的磷酸缓冲溶液中, 修饰电极的循环伏安曲线上显示出一对可逆的氧化还原峰, 式量电位为-0.315 V (vs. Ag/AgCl). HRP在MnO2纳米片/GCE表面的电子转移速率常数为6.86 s-1. HRP/MnO2纳米片/GCE的式量电位(mV)在pH 4.0~8.0范围内与溶液pH值成线性关系, 其斜率为-53.75 mV·pH-1, 表明电极反应在发生一个电子转移的同时还伴随一个质子的转移. 修饰后的电极对H2O2有良好响应, 响应时间小于3 s, 在信噪比为3时, 最低检出限为0.21 μmol·L-1.  相似文献   

4.
联用紫外可见反射光谱电化学与电化学石英晶体微天平(EQCM)方法, 结合傅里叶变换红外(FTIR)反射光谱表征, 研究了酸性和碱性水溶液中金电极上恒电位(0.8 V vs SCE)聚合所得聚邻苯二胺(PoPD)中线型类聚苯胺链结构和梯形吩嗪环链结构间的相互转化. 聚合介质分别为含0.20 mol·L−1 H2SO4(PoPD1膜)或0.40 mol·L−1 NaOH(PoPD2膜)的0.20 mol·L−1 Na2SO4 + 0.10 mol·L−1邻苯二胺水溶液. 实验结果表明, 线型结构可向梯形结构转化, 但逆转较难. 通过PoPD2新鲜膜在0.10 mol·L−1 H2SO4中0.6 V vs SCE电位附近的氨基氧化峰电量和EQCM测得的PoPD2膜质量求得PoPD2新鲜膜中线型类聚苯胺链结构占19%摩尔分数(相对于邻苯二胺单元总摩尔数), 与该膜的甲醛结合(羰氨反应)实验结果一致. PoPD2膜通过40圈电位环扫(0.2~0.8 V vs SCE)处理可经由分子内环化反应全部转变成梯形吩嗪环链结构. 而PoPD1由梯形吩嗪环链结构组成, 共轭程度更高而更稳定, 经−0.4~0.1 V vs SCE区间40圈电位环扫处理后也仅有约2.5%摩尔分数的梯形吩嗪环链结构能转变为线型类聚苯胺链结构.  相似文献   

5.
用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+材料制备及发光特性研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
李盼来  杨志平  王志军  郭庆林  李旭 《科学通报》2007,52(13):1495-1498
采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的Sr3SiO5:Eu2+发光材料. 测量了Eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰为575 nm, 次峰为487 nm, 与理论计算所得合成材料的发射光谱峰值符合得较好; 主发射峰对应的激发光谱峰值为365, 418, 458和473 nm. 同时, 研究发现Eu2+掺杂浓度影响了合成材料的发射光谱. 研究了InGaN管芯激发下YAG:Ce3+及Sr3SiO5:Eu2+材料的白光发射光谱, 对比结果显示, InGaN管芯激发下Sr3SiO5:Eu2+材料的白光发射光谱具有更好的显色性, 色坐标(x, y)为(0.348, 0.326).  相似文献   

6.
闫刚印  张欣  黄鹏  王垒  戚芳  冯博学 《科学通报》2010,55(30):2961-2965
采用垂直沉积法成功制备了SiO2光子晶体薄膜. 以SiO2光子晶体薄膜做模板, 采用电沉积和烧结处理在ITO基底上制备了SiO2-ZnO复合光子晶体. 利用扫描电子显微镜观察了SiO2光子晶体模板及不同沉积时间所制备的SiO2-ZnO复合光子晶体薄膜形貌. 研究发现, 当沉积时间较短时, ZnO颗粒随机生长在SiO2微球表面. 随着沉积时间的延长, ZnO颗粒均匀地生长在SiO2微球表面, 以至于ZnO颗粒完全掺入模板的间隙. 对所制备的光子晶体薄膜进行反射谱测量, 发现在膜法线方向上, 光子晶体薄膜有光子带隙的出现.  相似文献   

7.
Zn掺杂TiO2纳米管电极制备及其对五氯酚的光电催化降解   总被引:2,自引:0,他引:2  
赵慧敏 《科学通报》2007,52(2):158-162
采用阳极氧化法在Ti基底上制备TiO2纳米管电极, 再通过浸渍法制备出Zn掺杂TiO2纳米管电极. 采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、电子探针显微分析(EPMA)、紫外-可见漫反射吸收光谱(DRS)技术对其进行表征, 电极表面分布有均匀的纳米管状阵列, 管径50~90 nm, 管长约200 nm, 管壁厚约为15 nm, 锐钛矿型TiO2, Zn元素以ZnO小团簇形态沉积在TiO2纳米管电极表面, 与TiO2纳米管电极相比起始吸收带边红移近20 nm. 分别使用Zn掺杂TiO2纳米管电极和TiO2纳米管电极对相同五氯酚(PCP)溶液(初始浓度为20 mg/L, 电解质Na2SO4浓度为0.01 mol/L, 初始pH为7.03)进行光电催化降解120 min. 结果表明: 在紫外光(400 μW/cm2)或可见光(4500 μW/cm2)的照射下, Zn掺杂TiO2纳米管电极对PCP的降解率分别为73.5%和18.4%, 而TiO2纳米管电极对PCP的降解率分别为48.5%和3.2%. Zn掺杂TiO2纳米管电极光电催化降解PCP的准一级反应动力学常数分别为TiO2纳米管电极的2.0倍和5.8倍, 且其光电催化性能与Zn掺杂浓度有关,最优掺杂浓度为0.909%. Zn掺杂TiO2纳米管电极的稳定性良好.  相似文献   

8.
通过X射线衍射(XRD)、示差扫描量热分析(DSC)和电阻率的变化研究了质子辐照对Zr41.5Ti14.9Cu12.6Ni10.5Be20.4大块非晶合金结构弛豫的影响. 结果表明, 在203 K时, 以质子的能量为160 keV、剂量为1.65´1016粒子/cm2辐照后, Zr41.5Ti14.9Cu12.6Ni10.5Be20.4大块非晶合金发生了明显的结构弛豫; 而经质子能量为160 keV、剂量为1.1´1015粒子/cm2和能量为120 keV、剂量为6.5´1015粒子/cm2辐照后, Zr41.5Ti14.9Cu12.6Ni10.5Be20.4大块非晶合金形成了更稳定的玻璃态.  相似文献   

9.
粉末套管法制备MgB2/Fe超导线材及超导电性   总被引:3,自引:2,他引:3  
闫果 《科学通报》2003,48(8):777-779
在对MgB2超导体成相物理化学过程分析基础上, 用原位粉末套管(PIT)技术制备了MgB2/Fe超导线材, 采用扫描电子显微镜(SEM)研究了线材中MgB2超导相的微观结构, 使用标准四引线法测量了线材的传输临界电流密度(Jc), 结果表明: 线材中MgB2的晶粒尺寸为1~3 mm, 晶粒间的连接较好, 线材在20 K, 自场下, Jc达到6.1×04 A/cm2.  相似文献   

10.
倪刚  杨武  薄丽丽  郭昊  张文皓  高锦章 《科学通报》2006,51(10):1234-1236
将过氧基团锚固于纳米SiO2粒子表面, 进而通过表面原位引发苯乙烯聚合制备了聚苯乙烯(PS)/SiO2纳米复合粒子. 纳米SiO2经亚硫酰氯(SOCl2)处理, 再与叔丁基过氧化氢(TBHP)反应锚固形成过氧引发基团, 通过表面引发氮氧自由基聚合反应引发苯乙烯聚合, 制备了纳米氧化硅表面接枝聚苯乙烯/SiO2 (PS-g-Silica)纳米复合材料, 利用红外光谱、透射电子显微镜、原子力显微镜、热重分析等测试方法对制备的纳米复合粒子进行了表征与分析, 结果表明表面引发氮氧自由基聚合反应可以制备良好的PS/SiO2纳米复合材料.  相似文献   

11.
黄存顺 《科学通报》2004,49(2):120-124
研究了C2(a3Πu)自由基与NO, N2O, O2, H2, NH3等分子的反应动力学. C2(a3Πu)自由基是由266 nm光解C2Cl4产生的, 用激光诱导荧光(LIF)检测C2(a3Πu)自由基的相对浓度随着反应时间的变化, 得到C2(a3Πu)自由基与N2O, NH3的双分子速率常数: kN2O(1.63±0.20)×10&#8722;13 cm3·mol&#8722;1·s&#8722;1, kNH3 = (5.92±1.00)×10&#8722;14 cm3·mol&#8722;1·s&#8722;1. C2 (a3Πu)自由基与NO, O2, H2等分子反应的消耗速率常数: kNO = (5.46±0.10)×10&#8722;11 cm3·mol&#8722;1·s&#8722;1, (1.58±0.16)×10&#8722;11 cm3·mol&#8722;1·s&#8722;1, kH2 < 1.0×10&#8722;14 cm3·mol&#8722;1·s&#8722;1. 对反应分析及理论计算的结果表明: C2(a3Πu)自由基与NH3和H2反应主要是抽氢过程, 且反应的入口通道都存在一个能垒.  相似文献   

12.
聚硅氧烷凝胶网络电解质准固态TiO2纳晶太阳电池   总被引:6,自引:1,他引:6  
用聚环氧乙烷(PEO)内增塑链及季铵盐侧链并存的新型聚硅氧烷凝胶网络聚合物电解质制备了准固态染料敏化TiO2纳晶多孔薄膜太阳电池. 在入射光强为60 mW/cm2的条件下, 电池具有较好的光电转换性能, 短路光电流(Isc)及开路光电压(Voc)分别达到5.0 mA/cm2及0.68 V, 光电转换效率(h)和填充因子(ff)分别为3.4%及0.60.  相似文献   

13.
利用原位漫反射红外光谱( in situ-DRIFTS)、离子色谱(IC)、程序升温脱附(TPD)、X射线衍射(XRD)及比表面积分析(BET)等手段,研究了OCS在大气颗粒物中较常见的矿质氧化物成分SiO2, Al2O3,Fe2O3,CaO,MgO,ZnO,TiO2等上的非均相氧化反应,确定了反应中间体和产物,讨论了反应动力学过程和反应机理。结果表明,OCS在矿质氧化物上具有与Al2O3上相同的反应机理。即,OCS在表面羟基和表面氧的共同作用下,经由中间体HSCO2–和HSO3,最终转化为SO42–和CO2。不同模型氧化物对OCS的氧化活性依次为  相似文献   

14.
运用原位时间分辨FTIR反射光谱在分子水平研究乙二醇(EG)在Pt(100)单晶电极上吸附和氧化的动力学过程. 在0.10 V的时间分辨光谱中, 当t>5 s于2050 cm-1附近出现的红外谱峰归因于EG解离吸附产物线性吸附态CO(COL)的红外吸收. 红外光谱特征及其变化还证实, 吸附态CO在Pt(100)表面呈均匀分布; 当t>70 s于2342 cm-1附近出现CO2的不对称伸缩振动谱峰, 指认为EG的直接氧化. 研究发现随着电位升高, 直接氧化逐渐成为主要反应途径, 使解离吸附反应削弱. 当电位高于0.40 V以后, EG的氧化主要通过活性中间产物(–COOH)的途径进行.  相似文献   

15.
姜艳霞  陈卫  廖宏刚  金兰英  孙世刚 《科学通报》2004,49(14):1363-1367
以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为稳定剂, 用乙醇还原氯钯酸制备分散的钯纳米粒子(Pdn). 从分散于电极表面的Pdn出发, 以50 mV·s&#8722;1的扫描速度, 在&#8722;0.25~1.25 V间循环扫描30 min可以制备团聚体 Pdnag. 固/气和固/液界面透射和反射CO分子探针红外光谱研究结果指出, 吸附在Pdn上非对称和对称桥位上的桥式吸附态CO(COB)在1964和1905 cm&#8722;1给出两个红外吸收谱峰, 但CO吸附在Pdnag上仅在1963 cm&#8722;1给出一个方向倒反的异常红外谱峰. 此外, CO谱峰的半峰宽由Pdn上的14 cm&#8722;1变为Pdnag上的24 cm&#8722;1. Pdn形成团聚体Pdnag后, Pd纳米粒子间相互作用增强, Pdn和Pdnag红外光学性质的显著差别初步归因于纳米粒子之间的相互作用.  相似文献   

16.
史仁灯  杨经绥  许志琴  戚学祥 《科学通报》2004,49(12):1179-1184
在西藏班公湖蛇绿混杂岩中发现玻安岩系火山岩, 岩石主要由玄武安山岩、安山质熔岩角砾岩以及侵入其中的安山玢岩组成, 具有高SiO2 (55.61%~59.23%)和MgO(6.63%~13.08%, 平均9.13%), 低TiO2 (0.23%~0.39%), 高Ni, Cr等难熔元素(Ni平均116 μg/g, Cr平均354 μg/g), 高Al2O3/TiO2比值(36~54)和Mg# (0.61~0.74)的特征, 富集大离子亲石元素(LILE), 亏损高场强元素(HFSE), 稀土元素的(La/Gd) N平均等于1.70, (Gd/Yb) N平均等于0.83, 具U型配分模式, 与玻安岩的地球化学特征较为一致. 认为其形成于洋内岛弧的弧前环境, 推测在班公湖-怒江带发生过洋内俯冲作用.  相似文献   

17.
以有机胺(乙二胺, 1,3-丙二胺)以及碱金属离子Na+做结构导向剂(SDA), 在水热条件下合成了3种新型开放式结构的复合磷酸草酸铟(Ⅰ~Ⅲ), 并进行了结构及性质表征. X射线单晶结构解析表明它们的分子式分别为Ⅰ, Na[InPO4(C2O4)0.5]·H2O. Ⅱ, [C2N2H10]0.5[InPO4(C2O4)0.5]. Ⅲ, [C3N2H12]0.5[In2(PO4)(HPO4)(C2O4)]·H2O. Ⅰ~Ⅲ合成中所用的结构导向剂均位于孔道中. Ⅰ在Na+为导向剂条件下合成得到, 它的结构是由InO6八面体与PO4四面体共用顶点连接成四元环磷酸铟层, 层与层之间由草酸基团C2O42-连接. 这一结构在a, b方向都具有八元环孔道, 为三维交叉孔道结构. Ⅱ的结构与Ⅰ类似, 不同的是, 它的客体分子是质子化的乙二胺而非Na+. Ⅲ中, InO6和PO4的连接形成双六元环二级结构单元(SBU), 这些二级结构单元之间通过草酸根连接, 在c方向产生了环形十六元环直孔道. 这三种磷酸草酸铟晶体数据如下: Ⅰ, 三斜, 空间群: P-1 (No. 2), a = 5.5662(17) Å, b = 6.454(2) Å, c = 8.966(3) Å, α = 102.609(4)°, β = 107.319(3)°, γ = 94.426(4)°, V = 296.56(16) Å3, Z = 2, M = 294.81, ρcalcu = 3.301 g/cm3, R1 = 0.0275, wR2 = 0.0731. Ⅱ, 三斜, 空间群: P-1 (No. 2), a = 5.653(4) Å, b = 6.627(4) Å, c = 9.391(8) Å, α = 70.788(8)°, β = 75.836(12)°, γ = 89.681(9)°, V = 321.1(4) Å3, Z = 2, M = 283.85, ρcalcu = 2.936 g/cm3, R1= 0.0664, wR2 = 0.1572. Ⅲ, 正交, 空间群: Pccm (No. 49), a = 10.350(2) Å, b = 12.190(2) Å, c = 13.000(3) Å, V = 1640.2(6) Å3, Z = 4, M =272.32, ρcalcu = 2.206 g/cm3, R1 = 0.0691, wR2 = 0.1831.  相似文献   

18.
γ-Al2O3纳滤膜的特性参数及工作曲线   总被引:1,自引:0,他引:1  
熊蓉春  雷晓东  魏刚 《科学通报》2003,48(7):665-667
采用溶胶-凝胶法制备了γ-Al2O3纳滤膜. N2吸脱附测试结果表明, 膜的特性参数为: BJH脱附平均孔径3.9 nm, BJH脱附累积孔容0.33 cm3/g, BET比表面积245 m2/g, 孔径分布非常窄. 测定了γ-Al2O3纳滤膜的Ca2+截留率-跨膜压差、Ca2+截留率-处理液浓度、Ca 2+截留率-处理液pH值等工作曲线, 发现Ca2+截留率随跨膜压差的升高而增加, 随处理液中CaCl2浓度的升高而降低; Ca 2+截留率强烈地依赖于溶液的pH值, 在Al2O3的等电点(pH = 7.5)其值最小.  相似文献   

19.
采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置, 以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体, 研究了入射光强度和光入射角对Ce:KNSBN晶体中光扇效应的影响. 研究发现, 光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性, 入射光强度阈值为38.2 mW/cm2; 对应相同的入射光强度, 光入射角θ 为15°时稳态光扇强度Ifsat最强. 研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响, 入射光调制抑制了光扇噪声对Ce:KNSBN晶体两波耦合及体全息存储的影响, 使得再现图像质量得到了明显改善.  相似文献   

20.
利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD), 以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜, 采用XRD, 霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析, 研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响. 结果表明, 生长温度较低时, 薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降, 衬底温度为400℃时, 载流子浓度达到+5.127×1017 cm-3, 电阻率为0.04706 Ω·cm, 迁移率为259 cm2/(V·s), 并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性. 当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.  相似文献   

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