| 利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质 |
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| 引用本文： | 毛飞燕,邓宏,戴丽萍,陈金菊,袁兆林,李燕.利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质[J].科学通报,2008,53(6):623-626. |
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| 作者姓名： | 毛飞燕 邓宏 戴丽萍 陈金菊 袁兆林 李燕 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054(毛飞燕，邓宏，戴丽萍，陈金菊，李燕)，电子科技大学物理电子学院 成都610054(袁兆林) |
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| 摘 要： | 利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD), 以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜, 采用XRD, 霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析, 研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响. 结果表明, 生长温度较低时, 薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降, 衬底温度为400℃时, 载流子浓度达到+5.127×1017 cm-3, 电阻率为0.04706 Ω·cm, 迁移率为259 cm2/(V·s), 并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性. 当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.
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| 关 键 词： | 化学气相沉积法 ZnO:N薄膜 p型 迁移率 载流子浓度 |
| 收稿时间： | 2007-10-22 |
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