a-C∶H/Si太阳电池的研究

本文报导了a-C∶H/Si太阳电池的结构、制备方法和已达到的性能。测试发现电池的暗I-V特性及在200～1000nm波长范围内的反射光谱特性均优于单晶硅太阳电池。进而讨论了这种电池成为一种性能优良的太阳电池的可能性。     

应用科学学报1993年(第十一卷)总目录

第1期硅太阳电池类金刚石增透膜的研制………安其霖 夏义本 居建华 吏伟民 王 鸿电子束蒸发的驴8i1一。a％薄膜的光吸收特性……甘润今 张仿清 张津燕 陈光华在工作状态下感应反型层太阳电池的薄层电阻………0………………一.张秀淼俨Si:H太阳电池的光照及热处理研究…………………………………………… ………………………郑家贵 冯良桓 周心明 邱上源 蔡 伟 罗昭和 蔡亚平等温衰减电流法及其在有机固体陷阱研究中的应用………………周淑琴金祥风采用S巩+0。反应离子刻蚀聚酰亚胺膜…………………………………………… ………………………     

戊唑醇水溶液的光谱特征研究

利用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、同步及三维荧光光谱等技术研究了戊唑醇水溶液的光谱特性.结果表明,戊唑醇在紫外可见区域有三处特征吸收峰,峰值分别为221,326,566 nm,并在三个峰值处拟合出了戊唑醇的浓度值与吸光度之间的关系图,得出在特征波长326 nm处两者的线性关系最佳;在不同激发波长下,戊唑醇共有两个荧光区域,在345~380 nm范围内,最大荧光峰值为366 nm,激发波长为225 nm,在580~640 nm范围内,最大荧光峰值为604 nm,激发波长为470 nm;同步荧光光谱的形状、带宽和峰值强度与波长差的选择有关,随着波长差的增加,戊唑醇的荧光强度明显下降且出现红移,在波长差为40 nm时,荧光峰由一处变为两处.     

金刚石膜的内应力研究

采用微波PCVD方法在单晶硅片上制备出了金刚石膜．利用拉曼光谱和X射线射三行射（XRD）研究了不同甲烷浓度对在硅基底上沉积金刚石膜的内应力的影响，同时用XRD研究，抛光对于自支撑金刚石膜的宏观应变和微观应变的影响．     

GaAs太阳电池减反射膜的设计

利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化.先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量.利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化.优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.     

CMOS／SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性

以金刚石膜作为绝缘埋层，利用金刚石膜上的薄层硅（ＳＯＤ）技术，制作５４ＨＣＴ０３ＣＭＯＳ／ＳＯＤ结构的集成电路，对该电路在辐照后的恢复特性进行研究，结果表明，ＳＯＤ电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路；常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的ＳＯＤ电路的快速恢复。     

丝网印刷电极技术在硅太阳电池制造中的应用

丝网印刷电极技术在硅太阳电池制造中的应用开封太阳能电池厂杜聚臣一、概述硅太阳电池发电技术，已被世界各国普遍重视并积极推广应用。推广应用的主要障碍是生产成本偏高，为进一步降低太阳电池成本，各国都在进行研究与探讨，除在材料方面研制出非晶硅、化合物及多晶硅...     

空间GaAs/Ge太阳电池电学性能的数值模拟

使用太阳电池模拟程序AFORS-HET拟合空间GaAs/Ge太阳电池的电学参数,以期为进一步研究空间太阳电池的辐照损伤效应开辟新途径.根据GaAs/Ge太阳电池的基本参数建立太阳电池基本模型,对照程序文件格式要求制作空间AM0标准太阳光谱和GaAs材料的吸收系数文件.数值模拟结果表明,模拟结果与实验数据符合,AFORS-HET程序能够很好地表征空间GaAs/Ge太阳电池内部载流子输运的基本性质.     

不同波长激发下防风煮沸液的荧光光谱

采用日本岛津荧光光度计RF5301,研究了防风煮沸液的荧光光谱与激发光波长的关系.实验结果表明,在不同波长的光激发下,防风产生的荧光光谱线型及峰值波长基本相同,与激发波长无关,但荧光峰强度随激发波长变化而变化.防风的第1个发射区处于220~430 nm,第2个发射区处于540~740 nm,最佳激发波长为320 nm,荧光峰值为430 nm.为防风的光谱特性研究提供了实验依据.     

镜面抛光硅衬底上金刚石薄膜的生长

在镜面抛光硅衬底上加负偏压,利用微波等离子体化学气相沉积方法生长金刚石薄膜。通过改变偏压成核阶段的不同条件制备出一系列样品,与直接在镜面抛光硅衬底上不加偏压直接生长的金刚石膜相比,成核密度明显提高,可达４×１０＾９ｃｍ＾－２。     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

飞秒激光在水和玻璃中产生白光连续谱的试验研究

飞秒激光脉冲与透明介质相互作用后产生的白光具有类似激光束的高强度和高亮度特性,而且其谱线覆盖了从紫外到红外波段.分别利用10 Hz、120 fs、60 mJ的掺钛蓝宝石激光脉冲和1 kHz、120 fs、1 mJ的掺钛蓝宝石激光脉冲,在玻璃和水中产生了白光连续谱并进行了测量,测出了白光的谱线,实验结果显示白光谱宽分别为440～820 nm和400～750 nm;从自聚焦和自相位调制理论出发,对白光产生的机理进行了讨论,结果显示自聚焦和自相位调制无法完整的解释白光谱线.     

Mg:Zn:LiNbO_3晶体光学性能的研究

在 L i Nb O3中参进 3 mol% Mg O和 2 mol% Zn O,生长 Mg∶ Zn∶L i Nb O3晶体 .测试晶体的吸收光谱、红外光谱倍频转换效率和相位匹配温度 .Mg( 3 mol% )∶ Zn( 2 mol% )∶ L i Nb O3晶体达到阈值浓度 .Mg∶ Zn∶ L i Nb O3是优良的倍频晶体材料     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．     

基于DPAVBi的蓝绿光有机电致发光器件

制备了结构为ITO／NPB（40nm）／DPAVBi（znm）／Alq,（30nm）／LiF（0．5nm）／AI的蓝绿色OLED器件．通过改变DPAVBi的厚度,研究其对器件性能的影响．当DPAVBi层厚度为20nm时,器件的性能较好．在电流密度为38．79mA／cm。时,效率为3．32cd／A;在电压为21V时,亮度为8296cd／m。．而且,随着电流密度的增加,四个器件的效率曲线变化非常平缓,说明器件的电流荧光湮没性较弱．当驱动电压从10V增加到21V时,器件的色坐标从（0．27,0．48）变化到（0．25,0．45）,始终处于蓝绿光范围内,色度变化很小．     

青藏高原季风的气候振荡和预测试验

利用奇异谱分析等方法,分析了1961-1995年青藏高原季风的气候振荡。结果表明：自60年代以来,季风的总趋势是加强的,即夏季青藏高原暖低压加强;冬季青藏高原冷高压减弱,这可能是对全球变暖的响应。季风的主要周期是3-4年,其次是6年,高原季风在1985年存在着由偏弱向偏强的突变。利用SSA-MEM方法可以预报春季高原季风指数未来2年的趋势和季高原季风指数未来9个季的趋势。     

计算重构光谱分析仪研究进展

光谱测量广泛应用于科学研究及工业生产中，而传统光谱仪因体积庞大难以满足众多应用需求。近年来，快速发展的计算重构光谱分析仪因其具有紧凑小巧、高分辨率和大测量带宽等优势而成为研究热点。光波经过计算重构光谱分析仪后所产生的光斑图案与波长存在一一对应关系，因此采取合适的解调算法可以从生成的光斑图案中重构入射光谱信息。目前计算重构光谱仪已能实现am量级光谱分辨率以及数百nm的测量带宽。本综述介绍了目前各类型计算重构光谱分析仪的工作原理以及性能指标，探讨了不同类型计算重构光谱分析仪的优缺点，分析了进一步提升性能指标的方法，展示了一些基于计算重构光谱分析仪的应用，以及展望了其未来发展前景。     

A1GaNp-i-n型日盲紫外探测器

基于在双面抛光的蓝宝石衬底上采用等离子体增强的分子束外延方法生长了A1GaN基p-A10.45sGaomN／i—A10.35Gao．065N／n—A100.45GaossN结构材料,p型欧姆接触采用电子束蒸发Ni／Au（5nm／5nm）薄层叉指结构电极,制作Tp-i-n型A1GaN日盲紫外探测器．器件的峰值响应波长为273nm．器件在零偏压下的暗电流很小,为nA量级,峰值响应度为8．5mA/W．器件在-5V偏压下,峰值响应率32．5mAW,对应的外量子效率达到15％．