VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型，重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响，经过大量的理论计算，给出了击穿电压为20V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线，首次提出最佳单胞尺寸与Tax有关。     

500V／0．4ΩVDMOSFET导通电阻的优化设计

介绍了VDMOSFET工作原理和VDMOSFET导通电阻的组成.利用Mathematica软件作出了VDMOSFET单胞电阻随Lw与Lp变化关系的三维曲线图.以500 V/0.4 Ω VDMOSFET 为例对导通电阻进行优化设计.     

VDMOSFET特征导通电阻实用物理模型

较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的物理解析模型,并对模型给出的理论值与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.     

VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)

以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P~-体扩散区结深X_(jp)-和栅氧化物厚度T_(ox)对器件特征导通电阻R_(onA)的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸P_w和多晶区尺寸P_T的最佳化设计比例P_w/P_T与x_(jp)-和T_(ox)的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.     

UDMOSFET特征导通电阻物理模型

简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理，重点讨论了特征导通电阻（）与结构参数的关系，给出了的数学模型．该模型具有形式简单、结果准确和使用方便的特点．     

pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化

研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电压的退化.借助TCAD仿真软件,模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长...     

对故障相经氧化锌电阻接地消弧的异议

通过对故障相经氧化锌电阻接地消弧原理的分析,得出了这种方法不可能在电力系统中得到运用的结论.故障相经氧化锌电阻接地消弧必须满足故障相对地电压大于整定值(一般取0.75倍的额定相电压),而发生单相弧光接地时,因为电力系统自身环境约束,要么不满足氧化锌电阻导通的条件,要么满足导通条件但是导通后又会产生过电压,而且氧化锌电阻自身会产生大量热量而爆炸.因此故障相经氧化锌电阻接地消弧本身存在先天的理论缺陷和电力系统特定环境的约束而不可能在实际生产中得到应用.     

高温、高压LDMOS导通电阻的特性

本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律.根据分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度,导通电阻与温度的关系为Ron∝((T)/(T1))y(y=1.5～2.5).     

六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型

介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型，计算了不同漏源击穿电压下，各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例，分析了阻值随电压变化的原因。     

漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型

为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构．利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度．借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件与常规SOI—LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31％．在相同耐压下比导通电阻降低了34．8％．     

游泳运动治疗对T2DM焦虑样行为小鼠的影响

为研究游泳运动对二型糖尿病（type 2 diabetes mellitus, T2DM）小鼠的焦虑样行为的影响机制。通过高脂联合链脲佐菌素构建T2DM小鼠,随机分为正常组（control,C）,正常+锻炼（exercise, E）组（CE）,T2DM组（T2）,T2DM+锻炼组（T2E）。CE组和T2E组的小鼠进行游泳运动,并观察小鼠体重、血糖波动,行为学焦虑、胰腺病理和血清谷胱甘肽（glutathione,GSH）、丙二醛（malondialdehyde,MDA）和谷胱甘肽二硫醚（glutathione?disulfide,GSSG）的表达变化。结果表明： 在游泳运动3周后显著降低T2DM小鼠体重和血糖波动幅度（P<0.05）,行为学焦虑水平明显改善。CE组和T2E组小鼠胰岛坏死面积减小,葡萄糖和胰岛素抵抗稳态指数降低（P<0.001）,T2E组小鼠大脑MDA水平降低（P<0.05）,GSH水平升高（P<0.01）。游泳运动可以改善T2DM小鼠的胰岛素抵抗和大脑氧化应激反应,对焦虑样行为有改善和保护作用。     

利用比较基因组学定位马铃薯抗晚疫病主效基因R10

晚疫病是马铃薯第一大病害。马铃薯抗晚疫病基因R10抗谱广、应用价值大,常用于马铃薯抗病杂交育种。R10位点位于马铃薯11号染色体的短臂末端,与已克隆的抗晚疫病基因R3a同属于抗晚疫病主效位点的单倍型。对包含195个基因型的R10基因的分离群体进行了晚疫病菌株接种和遗传分析,确定R10为抗晚疫病菌株89148-9的主效单基因。应用比较基因组学和BSA分析,开发了6个与R10连锁的分子标记,并将R10定位在1001T和C2_At5g59960两个遗传距离为2.6cM分子标记之间。R10位于已克隆的抗晚疫病基因R3a的近端粒区。本研究所获得的遗传图谱为通过图位克隆和比较基因组学克隆R10基因打下基础。     

混凝土裂缝扩展阻力曲线

近年来徐世Lang和H．W．Reinhardt提出的基于粘聚力的裂缝扩展阻力曲线（KR阻力曲线），揭示了准脆性材料裂缝扩展过程中粘聚力与裂缝扩展阻力之间的关系，反映断理解过程区软化特性的混凝土软化本构关系与KR阻力曲线的解析密切相关。为了获得较为精神的KR阻力曲线，首先应确定合理的软化本构关系。结合混凝土三点弯曲切口梁试验，就软化本要关系、试件尺寸、材料强度对KR阻力曲线的影响进行了研究。     

简易低温样品室的研制及应用

本叙述了简易低温样品室的设计原理，结构性能和它在电阻－温度测试仪中的应用。在ＮｉＴｉ形状记忆合金相变规律的研究中，测试和分析了该合金的二种典型的电阻－温度曲线。     

7050铝合金材料R曲线的三维效应与试验研究

裂纹扩展阻力曲线(R曲线)反映了疲劳裂纹扩展断裂的真实物理过程,但是现阶段测量材料R曲线的方法在计算试样阻抗应力强度因子时,未考虑厚度的影响,并且在计算裂纹扩展阻力R时,仅考虑了平面应力状态与平面应变状态两种极端情况,忽略了更为普遍的过渡状态。首先对中心孔裂纹板进行了三维弹塑性有限元分析,通过计算其三维应力强度因子表示式,建立了裂纹扩展阻力与试样厚度的关系模型。其次,依据三维状态下能量释放率与应力强度因子的关系式,结合裂纹扩展阻力与试样厚度的关系式,建立了不同厚度试样三维裂纹扩展阻力R值的计算模型。最后,基于该模型,通过试验测定了不同厚度7050铝合金板的R曲线,得到了R曲线与试样厚度的函数关系式。     

铜绿假单孢菌yfa操纵子中α2-M基因与抵抗力的关系

目的研究铜绿假单孢菌yfa-α2M基因与其抵抗力的关系。方法通过基因敲除的方法,得到铜绿假单孢菌的突变株PAO1Δyfa-α2M。在不同的底物存在的条件下,比较突变株和野生型菌株的生长曲线。结果突变株PAO1Δyfa-α2M对Polymixin的抗性明显降低。结论基因yfa-α2M可能与铜绿假单胞菌的抗性有关。     

铜绿假单胞菌多重耐药性分子机制的研究

铜绿假单胞菌是重要的医院感染条件致病菌.由于各种抗生素的广泛使用,细菌耐药问题日趋严重,导致了铜绿假单胞菌产生了很强的耐药性而且多重耐药,铜绿假单胞菌通过多种途径产生耐药.而从分子水平对其耐药性机制进行研究具有重要意义.     

RLC串联电路暂态过程临界阻尼电阻的傅里叶分析

分析了RLC串联电路临界阻尼过程临界电阻的实验测量值与理论值偏离的原因.通过傅里叶变换,将临界阻尼电流展开成频率连续的傅里叶积分式.对临界阻尼电流傅里叶积分式进行离散化,抽样成为有限个谐波的傅里叶多项式,近似表示临界阻尼电流.分别以各次谐波电流作用于RLC串联电路,测出电感和电容上的损耗电阻.从而对临界阻尼电阻的测量值...     

尾板宽度对高速排水型艇的阻力和耐波性影响

不同尾板宽度的两种艇型的阻力和耐波性试验结果表明，高速排水型艇的尾板相对宽度ＢＴ／Ｂｘ对阻力和耐波性均有影响，ＢＴ／Ｂｘ值过小的艇，其剩余阻力系数明显增加。ＢＴ／Ｂｘ作为影响高速排水型艇航行性能的船型参数较之尾板相对面积ＡＴ／Ａｘ更恰当，综合阻力和耐波性试验结果，ＢＴ／Ｂｘ值取等于或略大于０．７５是适宜的。