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采用灯丝热解化学气相沉积方法,在不同的碳源气体氢气中合成金刚石薄膜,并研究不同工艺条件下金刚石膜生长速率。结果表明,在较低的灯丝分解气体温度和较近的灯丝与衬底距离条件下,以丙酮为碳源气体合成的金刚石膜具有 的生长速率的较好的质量。 相似文献
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随着社会发展,钻探中对超硬材料金刚石的需求日趋增加。目前人造金刚石都需在高温高压下合成。联想到蚕吐丝,蚌壳生珍珠,故笔者考虑是否能用生物或者生物技术,制取金刚石。本文从利用生物技术制取金刚石的角度出发,分析考虑了几种用生物技术制取金刚石的方法,为日后生物制取金刚石提供方法和思路,具有一定价值。 相似文献
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微波等离子体CVD方法制备金刚石薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微波等离子体化学气相沉积方法分别在CH4/H2,CO/H2和(CH4+CO)/H2气体体系下合成了金刚石薄膜。结果表明,所合成的金刚石薄膜具有明显的柱状生长特性和较高的品质。(CH4+CO)/H2体系合成的金刚石薄膜具有较高的生长速率和晶面定向生长的特性。 相似文献
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Ni-Cr合金钎焊单层金刚石砂轮界面结构的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以Ni-Cr合金粉做钎料适当控制钎焊工艺条件,成功研制了单层钎焊金刚石砂轮.利用扫描电镜和X射线能谱,结合金相及试样逐层的X射线衍射结构分析,剖析了Ni-Cr合金与金刚石和钢基体钎焊界面的微区组织结构,揭示了Ni-Cr合金对金刚石和钢基体的浸润性及钎焊机理.钎焊过程中Ni-Cr合金中的Cr元素在金刚石界面形成富Cr层并与金刚石表面的C元素反应生成Cr7C3;在钢基体结合界面上Ni-Cr合金和钢基体中的元素相互扩散形成冶金结合.这是实现合金层与金刚石及钢基体之间都有较高结合强度的主要因素,为开发新一代超硬磨料砂轮奠定了基础. 相似文献
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对用热阴极辉光PACVD方法合成的金刚石厚膜,采用扫描电子显微镜进行了观察,研究了金刚石的生长机制。 相似文献
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<正> 日本理化研究所在80年代末成功地用微波等离子激发氮气和氢气,在常压至980千帕的范围内合成了氨。这种新合成方法与现行的高温高压法相比具有较高的效率,并且不需要很高的温度和耐高压的反应器。日本表面科学研究所野村瞳等人研究了等离子体法合成氨的反应机理,在等离子体反应器中加入氧化镁作催化剂,让氮氢混合气(N_2/H_2=1/3)在反应器内循环,成功地合成了氨。 Yin,Khim,Swe等人对电极材料对合成氨的影响进行了研究。低压下,在60HZ的辉光放电等离子体发生器中,对合成氨催化活性顺序是:Pt>不锈 相似文献
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<正> 一、前言作为工业材料,金刚石发挥着极其重要的作用。也就是说:金刚石除具有最硬的特性外还具备耐磨损性,很高的折射性、光学性质(如透紫外线性、可见性和透红外性)及耐药品腐蚀性等等。因此在精密机械工程学、电子工程学、应用化学、光及医疗工程学等方面、得到广泛的应用。成为现代工业中不可缺少的重要材料。迄今为止,在气相法合成金刚石的范畴中,已报 相似文献
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<正>在人工合成的金刚石过程中,由于高压合成腔体内为非纯净状态区,其晶体内不可避免地均包含有杂质。非金属杂质如氮、硼等,有和碳形成键合的可能,一旦形成了键合,影响金刚石抗压强度的作用是比较小的,而 相似文献
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在相转移催化剂和碱存在下,直接以取代苯甲酸和氯化苄为原料,在无溶剂条件下使用微波辐射快速合成了苯甲酸苄酯类化合物.结果表明,反应8 min,产率均可达90%以上.与其他合成方法相比,微波促进无溶剂条件下苯甲酸苄酯系列的合成是一种快捷、简便、高效且环境友好的方法. 相似文献
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从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点,分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化,从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。 相似文献
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早期合成二茂铁的方法,多要求严格的无水、无氧条件。例如:在非水溶液中合成二茂铁,是在二乙胺存在下使茂与无水氯化亚铁在四氢呋喃溶剂中反应,要求所有操作在氮气保护下进行;原料要绝对无水,溶剂四氢呋喃依次用氢氧化钾、金属钠、氢化锂铝除水;仪器干燥后用氮气冲洗等等。后来,发表了用1,2—二甲氧基乙烷及二甲亚 相似文献
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近代合成二茂铁仍需氮气保护,若在大气中合成,则产物杂质大为增加,产率急剧下降,没有实用价值。但采用本文介绍的再改进的方法,则可在大气中合成,产品质量好,产率降低很少或有所增加(见实验部分)。 相似文献
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N离子注入金刚石膜方法合成的CNx膜的成键结构 总被引:2,自引:0,他引:2
使用N离子(能量分别为10keV,60keV)注入金刚石膜方法合成CNx膜,用Raman光谱和XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构。结果表明,金刚石膜经10keVN离子注入后,在Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰(1332cm^-1)和一个弱的石墨峰(G带,-1550cm^-1)。而XPSN1s资料显示两个主峰分别位于~398.5eV和~400.0eV。金刚石膜经60keVN离子注入后,N1sXPS光谱中的主峰位于~400.0eV;相应地,Raman光谱中的石墨峰变得较强,通过比较,对注入样品的XPS谱中N1s的成键结构作如下归属:~400.0eV属于sp^2C-N键;~398.5eV则属于sp^3C-N键。 相似文献