ZnS:Cu2+应力发光薄膜力学性能研究及应用

采用ZnS:Cu²⁺应力发光粉末与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合制备ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜。利用数字图像相关(DIC)方法对ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜进行轴向拉伸测试,获得其全场变形、应变分布信息,证实其具有良好的柔弹性形变性能。将ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜应用于混凝土断裂监测中。监测结果表明：ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜在混凝土裂缝扩展过程中发光效果明显,可以较好地实现混凝土断裂过程的可视化监测。     

硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究

以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1atm压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱对ZnS薄膜的晶体结构和光学性质及其生长机理进行研究。结果表明,在450℃温度下退火时,三层膜结构中高活性Zn和S容易发生硫化反应,形成的ZnS薄膜为立方晶体结构,沿(111)晶面择优生长;其ZnS特征吸收边出现在350nm附近,在可见光波长范围内,ZnS薄膜具有约80%的透光率;在450℃温度下退火后再于550℃温度下退火,所制ZnS薄膜的结晶性得到进一步提高。     

单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质

利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜. 通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件. 此外,对300 ℃和400 ℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比,计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82 eV、3.81 eV,与理论值一致. 这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池.     

电子束蒸发制备的ZnS薄膜的物相结构和光学性能

用电子束蒸发法在不同衬底温度下制备了厚度为100nm左右的ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、紫外—可见光分光光度计(UV-vis Spectrophotometer)研究了ZnS薄膜的晶体结构、光学性能,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响.结果表明:不同衬底温度下制备的ZnS薄膜均具有闪锌矿结构(111)面择优取向生长的特征;衬底温度为200℃时制备的ZnS薄膜的(111)晶面衍射峰最强,半高宽最小,晶粒最大;制备的ZnS薄膜对可见光有良好的透过性,由于量子尺寸效应,电子束蒸发制备的ZnS薄膜光学带隙大于ZnS粉末的带隙.     

单分散C/ZnO/ZnS复合空心微球及其颗粒薄膜的制备与表征

以磺化聚苯乙烯(SPS)微球为模板,通过在其表面包覆ZnO壳层然后部分离子置换硫化,得到了单分散SPS/ZnO/ZnS复合空心微球,并以油-水界面自组装法制备了SPS/ZnO/ZnS复合空心微球薄膜,在氩气气氛下煅烧,分别得到了形貌规整的单分散C/ZnO/ZnS复合空心微球粉末和致密的C/ZnO/ZnS复合空心微球颗粒薄膜.以TEM,SEM,XRD,EDS,HRTEM,紫外-可见光谱等对空心微球及薄膜的形貌、组成和结构进行了表征.结果表明,无定型C、六方纤锌矿ZnO和闪锌矿ZnS在空心微球壳层均匀分布.与ZnO空心微球颗粒薄膜相比,ZnS的复合使得C/ZnO/ZnS空心微球薄膜在紫外区的吸收性能有一定提高.     

单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质

近年来，半导体超晶格材料在太阳电池方面的应用，越来越受到人们的广泛重视。本实验利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜。通过XRD和AFM的观察，对其结构进行了研究，并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件。此外，对300℃和400℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比，计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82eV、3.81eV，与理论值一致。这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池。     

弹性薄膜—基底结构界面裂纹的能量释放率

为研究弹性薄膜与基底交界面的薄膜裂纹问题,基于Beuth理论,将薄膜—基底结构的三维模型简化为平面应变模型,利用有限元分析程序计算薄膜裂纹断裂能量释放率Gs,并分析薄膜与基底的弹性错配及厚度比率对Gs的影响。结果表明：β=α/4时,Gs的幅值随着α（-1〈α〈1）的增大而增大。当α为负值时,Gs具有稳定性;反之,Gs具有不稳定性。Gs随着薄膜厚度的增加而增加,当hs/hf〉2时,其变化较小。该研究为工程实践提供了理论参考。     

丝网印刷法制备纸质SERS基底及其性能研究

以绘画纸、白卡纸和坐标纸为衬底,采用丝网印刷银油墨,制备了高效的表面增强拉曼散射(SERS)基底,结果表明:银薄膜/绘画纸的SERS活性最佳,其次是银薄膜/白卡纸和银薄膜/坐标纸,对结晶紫的最低检测限分别为10-8,10-7和10~(-7)mol·L~(-1).此外,在同一银薄膜/绘画纸表面随机选取10个不同位置,在特征峰913,1 179和1 620 cm~(-1)处,强度的相对标准偏差值分别为13.2%,12.5%和10.6%,增强因子达到2.87×105,表明该基底具有较好的均匀性.     

ZnS多晶薄膜的磁控溅射沉积及其性能研究

采用磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了衬底温度和Ar气流量对ZnS薄膜质量的影响.利用表面轮廓仪测量了薄膜的厚度,计算了薄膜的沉积速率.使用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了禁带宽度.结果表明:所有制备的ZnS薄膜均为闪锌矿结构,所有样品在(111)方向具有明显的择优取向,沉积速率随着村底温度升高而降低,薄膜有较大的内应力,导致禁带宽度变窄.衬底温度为300℃时,薄膜的结晶质量最好.随着Ar气流量的增加,沉积速率增大,但薄膜的结构和光学性能都没有明显的变化.     

ZnS/PVA纳米复合薄膜的制备及其非线性三光子吸收研究

采用原位复合的方法制备出厚度为20μm的聚乙烯醇(PVA)与ZnS纳米微粒复合的薄膜,利用透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)研究薄膜样品的微结构性能,证明已制备出立方晶相的针状ZnS纳米晶.用Z-扫描技术研究ZnS/PVA纳米复合薄膜的非线性光学性质,发现该薄膜对532 nm纳秒脉冲激光表现出较强的非线性吸收效应,而且非线性吸收强度随入射光强的增加而减少.该非线性吸收主要由纳米ZnS的三光子吸收引起,并伴随弱饱和吸收现象发生.     

CdS薄膜制备方法及其性能比较研究

用三种方法（化学水浴法、真空蒸发法和磁控溅射法）在玻璃衬底上制备了CdS薄膜.用测厚仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光学透过率谱等手段测试了各薄膜的厚度、晶面取向、表面形貌、晶粒分布、透过率等,计算了各薄膜的光能隙.结果显示,磁控溅射法适于制备ZnS/CdS超晶格薄膜中的CdS.     

Al(OH)(1,4-NDC)·2H_2O在硅及其改性基底上取向生长的研究

该文采用溶剂热合成方法,制备Al(OH)(1,4-NDC)·2H_2O粉末样品及其在Si、Au/Si、COOH-Au/Si基底上的薄膜,并通过X射线广角衍射法检测其在基底表面上的取向生长,发现在Si和Au/Si基底上的Al(OH)(1,4-NDC)·2H_2O配位聚合物沿着[100]的方向生长。实验表明,通过增加反应时间(24~72 h),基底上的晶体不断增大,衍射特征峰也不断增强,说明延长反应时间有利于Al(OH)(1,4-NDC)·2H_2O薄膜的取向生长,这为配位聚合物在硅及其改性基底表面上制备有取向的MOFs薄膜提供了理论依据。     

单调逼近强唯一性的另一组反例及在某些情况下的强唯一性

1979年YATES FLETCHER与JOHN A ROULIER在[1]中指出,对普通意下的单调最佳逼近,当着,f∈C[a,b],P_f的次数不超过2时,P_f具有强唯一性,即存在常数τ>0,使对任意P∈M_n,M_n={P|P(χ)>0,x∈(a,b),P∈π_n}都满足其中‖·‖表绝对值最大值范数;同时举出一个反例,说明存在,f∈C[a,b],f对M_3的单调最佳逼近P_f P_f 的次数为3,P_f,不具有强唯一性。笔者在(2)中又举了一组反例,说明存在连续函数f(x),f(x)对M_(2m)(m>2)的最佳逼近P_f,P_f的次数为3,P_f不具强唯一性。本文再举另一组反例,说明存在f∈C[a,b],f对M_(2m)(m>2)的最佳逼近P_f满足3∠degP_f∠2m,P_f不具强唯一性。同时本文得出了某些情况下的强唯一性。     

基于ZnS:Ni/ZnS量子点的电化学传感器用于检测邻苯二酚

利用水相法合成了ZnS:Ni和ZnS:Ni/ZnS量子点(QDs,quantum dots),并通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和红外光谱(IR)对ZnS:Ni和ZnS:Ni/ZnS QDs进行表征.本文以玻碳为基底,研制了ZnS:Ni/ZnS量子点修饰电极,并探讨了邻苯二酚在该传感器上的电化学行为.实验结果表明,该传感器对邻苯二酚的氧化过程具有显著的电催化作用.在最佳条件下,邻苯二酚在1.0×10~(-6)~1.0×10~(-3) mol·L~(-1)浓度范围内与其氧化峰电流呈现良好的线性关系(r=0.999 9),检出限为4.2×10~(-7) mol·L~(-1).该电化学传感器具有良好的重现性、稳定性和一定的抗干扰能力,具有一定的应用前景.     

可应用于四结砷化镓太阳电池的ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜的结构设计

在采用磁控溅射方法分别制备单层ZnS、MgF_2、SiO_2薄膜及表征其折射率基础上,以折射率逐渐减小的三层结构(HML结构)思想,采用TFC光学薄膜软件,设计并模拟了可用于四结砷化镓(GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs)太阳电池的三层ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜系.并分析模拟了窗口层厚度、各膜层厚度和折射率以及光入射角对有效反射率的影响.结果表明:窗口层厚度、SiO_2的折射率和ZnS膜层厚度对有效反射率R_e的影响最为显著;在350~1 800nm宽波段,当窗口层厚度为83nm,膜系厚度分别为57nm、37nm和88nm,且光入射角为0°时,有效反射率Re最小可达3.38%.     

一种新型碳基复合薄膜的制备及其用于火炸药SERS检测的性能

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法制备了一种新型金刚石-多层石墨烯纳米杂化(DMGN)的碳基复合薄膜,该薄膜具有三维多孔形貌.DMGN基底对探针分子结晶紫(CV)的表面增强拉曼散射(SERS)检测结果显示出低的检测限(LOD达10-8 mol/L)和大的增强因子(EF为4.34×102),且均匀性好;经过过...     

应用色散力原理研究高分子薄膜的去湿润现象

应用Dzyaloshinskii,Lifshitz,和Pitaevskii(DLP)理论研究了“空气/高分子薄膜/SiO2/Si”体系中色散力对薄膜表面去湿润的影响,计算了自由能的二阶导数、波长和生长率.研究结果表明：覆盖层可以改变基底的湿润性,延迟效应在某些情况下起着很重要的作用,在研究去湿润引起的高分子薄膜不稳定时必须考虑延迟效应.     

阴极共沉积Ni(OH)2薄膜在碱溶液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ni(OH) 2 薄膜 ,循环伏安法在 1 0mol·dm-3 KOH溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性 .沉积Ni(OH) 2 的薄膜电极比镍基底增加了 2 0mA·cm-2 的析氧电流 (1 0VvsHg/HgO电极 ) .在制膜过程中掺杂 7?(V/V)得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约 2 0mA·cm-2 .分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析 .     

La掺杂对化学沉积ZnS薄膜影响的电化学研究

采用化学沉积法在导电玻璃上制备了ZnS及其La掺杂薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,并用CHI660B电化学综合分析测试仪对ZnS和La掺杂ZnS薄膜的沉积过程进行分析.结果表明,化学沉积法制备了致密的、由球状颗粒组成的ZnS薄膜,掺杂La后,由于电负性较低的La在电极表面的吸附,电位负移,沉积速率下降,薄膜颗粒尺寸增大.电化学方法为研究ZnS的化学沉积提供了有效的分析技术.     

掺铒硫化锌ACTFEL中深能级的测定

采用热激电流(TSC)法,在180-430K温度内对三种不同结构的ZnS:Er~(3+)交流薄膜电致发光(ACTFEL)样品,测得三个热激电流峰.经分析认为它们对应于ZnS:Er~(3+)层体内,ZnS:Er~(3+) Y_2O_3和ZnS:Er~(3+)-SnO_2界面处存在的不同深度的陷阱能级.估算其位置和密度,并讨论了实验结果.