霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

量子霍尔效应的研究及进展

对霍尔效应、量子霍尔效应、量子反常霍尔效应等霍尔效应家族一系列成员进行了介绍,并给出了各效应的应用或应用前景,首次综述了霍尔效应家族的发展史。     

浅论霍尔效应的发展及其应用

随着半导体材料和低维物理的发展,霍尔效应的理论研究不断取得进展,应用霍尔效应发展的霍尔器件不断改进、发展,在生产和科研实际中得到越来越普遍的应用.     

霍尔效应的最新发展及应用

拥有正常电子结构的材料可以在没有磁场作用下与电场发生作用并最终出现量子霍尔效应和自旋霍尔效应,本文详细介绍了这两种霍尔效应的理论原理及实验现象的最新进展。     

霍尔效应在无刷直流电机控制中的应用

霍尔效应是非常重要的磁电效应,霍尔效应原理广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面,文中在简单介绍霍尔效应原理和直流无刷电机控制原理的基础上,结合无刷直流电动机中使用的霍尔位置传感器,说明了霍尔位置传感器控制无刷直流电机的工作原理,阐述了无刷直流电机中应用的霍尔位置传感器的基本特性和霍尔位置传感器组必须满足的条件。最后对霍尔位置传感器的应用进行了展望,说明了霍尔位置传感器具有较广泛的用途。     

霍尔效应法测量磁场实验的研究

介绍了霍尔效应及其副效应;分析霍尔效应法测磁场的误差来源;给出异常数据的处理方法.     

霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法

简述了霍尔效应的基本原理,分析了利用霍尔效应测量半导体特性参数中影响结果的重要副效应,给出了减小或消除这些副效应的方法,并设计出测试电路。     

霍尔效应

量子反常霍尔效应是我国科学家从该实验上独立观测到的一个重要物理现象,也是世界基础研究领域的一项重要科学发现.这是在美国物理学家霍尔于1880年发现霍尔效应133年后终于实现了反常霍尔效应的量子化,是我国科学家从实验上独立观测到的一个重要物理现象,也是世界基础研究领域的一项重要科学发现.该文将详细讲解霍尔效应的发展历史.     

Cu：SiO2渗流系统电输运特性研究

研究了Cu与SiO2组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性，该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值，不同于其它渗流系统．并且在Cux(SiO2)1-x这一非磁性金属系统中，发现了巨霍尔效应(GHE)，其数值高于普通金属近3个数量级，为霍尔传感器材料研究提供了新途径，这种非磁性系统中的巨霍尔效应是由界观尺度的量子干涉效应引起的。     

用霍尔效应实验仪测量周围环境磁场的探究

在原霍尔效应实验的基础上,运用磁场叠加原理,提出用作差法和电位调零法来测量霍尔电压,这两种方法不仅能够消除不等位电势差与环境因素对霍尔效应实验的影响,还能够很好地测量外界环境磁场在霍尔片所在位置处的磁感应强度的大小.     

(FeNiCo)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜霍尔效应的研究

利用磁控溅射方法制备了不同金属体积分数x的(Fe21Ni79)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品，并对样品的霍尔效应进行了研究，在x=0．48时，样品的饱和霍尔电阻率为4．5μΩ．cm，霍尔电压为450μV。在同样的制备条件下保持x不变，用Co去替代部分Ni得到一系列[Fe21(NimCon)]x-(Al2O3)1-x颗粒膜，测量其霍尔电压，结果发现随着Co含量的增加，霍尔电压增大，当原子比n／m=0．6时，霍尔电压为1125μV。     

霍尔效应实验及其在电梯中的应用

该文介绍了霍尔效应实验的原理,提出了实验操作中容易忽视的问题及解决办法,并总结了目前霍尔效应在电梯领域的各种应用。     

霍尔效应—从线性到非线性

提出了霍尔效应中存在霍尔电压与励磁电流的非线性对应关系这一设想.在霍尔电流IS=9.00mA的条件下,通过不断增加励磁电流来研究霍尔电压与励磁电流的关系.当励磁电流IM超过1.6A后,确实出现了霍尔电压与励磁电流的非线性对应关系,验证了设想.     

钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用

研究了钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用。将从Ginzburg-Landau(GL) 理论出发推导出的扩展幂律方程应用到高温超导体霍尔效应中, 并详细考虑钉扎效应, 得到了霍尔电阻在低温低场端分别关于温度和磁场的两个标度律, 不同高温超导体的实验数据可以很好地标度在一起。同时, 基于含时GL理论的结果并考虑钉扎效应,给出了一组描述存在一次或多次霍尔反号的高温超导体的霍尔电导方程。     

CoFeB/Pt反常霍尔效应标度关系的研究

本文研究了磁控溅射法制备的CoFeB/Pt薄膜的反常霍尔效应.通过测量不同温度下（5-300K）的反常霍尔效应,系统研究了反常霍尔效应的标度关系,发现反常霍尔系数RS与纵向电阻率ρxx之间的关系满足RS=aρxx＋bρ2xx,当CoFeB较薄时,Skew-Scattering机制对反常霍尔效应的贡献占主导地位,随者CoFeB厚度的增加,反常霍尔效应的物理机制过渡为SideJump机制.     

Cu:SiO2渗流系统电输运特性研究

研究了Cu与SiO2组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性,该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值,不同于其它渗流系统.并且在Cux(SiO2)1-x这一非磁性金属系统中,发现了巨霍尔效应(GHE),其数值高于普通金属近3个数量级,为霍尔传感器材料研究提供了新途径.这种非磁性系统中的巨霍尔效应是由界观尺度的量子干涉效应引起的.     

铁磁性凝聚体中的几何霍尔效应

采用含时变分法,通过数值模拟系统的动力学,研究了铁磁性凝聚体中的几何霍尔效应.结果表明在铁磁性系统中的几何霍尔效应显著比在反铁磁性中的弱.     

单片机在霍尔效应实验中的应用

介绍了在霍尔效应实验中,利用单片机控制电流方向的切换及进行数据的采集和显示的方法.     

霍尔效应实验浅探

霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要试验方法。通过研究，对不同样品的霍尔系数的测量方法以及数据误差分析等方面进行了探讨，提出了形状不规则以及材料不均匀的半导体的霍尔系数的测量方法。