In2S3纳米结构微球的水热制备及其发光性质

报道一种以氧化铟、盐酸和硫脲为原料,采用水热法制备纳米片和纳米颗粒自组装In2S3微米球的简易方法.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对产物进行表征.SEM结果表明:于140 ℃、恒温24 h得到In2S3纳米片自组装微球,直径3～4 μm,纳米片厚度约20 nm,大小为0.5～0.8μm,于160℃恒温24 h得到In2S3纳米颗粒自组装微球.直径2.5～10 μm,纳米颗粒大小为20～200 nm.XRD结果表明制备的产物均为纯相立方晶相的In2S3;发光性能研究表明两种微球具有发冷光的性质.     

二氧化锗纳米线的制备与喇曼光谱

以Au作催化剂通过在空气中将金属锗加热到550～800℃,在单质锗表面原位大面积生长出了GeO2纳米线.采用扫描电镜和激光喇曼光谱对产物进行了表征分析.结果表明,GeO2纳米线为六方相结构,长度可达30 μm.通过改变加热温度,纳米线的直径可在110～170nm 范围内调节.提出了可能的生长机理以说明GeO2纳米线的形成.并且在GeO2纳米线的喇曼光谱中观察到了声子限制效应.     

从Si-C-N非晶粉末制备α-Si3N4纳米线

以溶胶-凝胶法合成了Si-C-N非晶前驱体粉末，在不添加催化剂的条件下，通过高温还原氮化反应制备了α-Si3N。纳米线．用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和扫描电镜（SEM）表征和分析了α-Si3N4纳米线．XRD分析表明，在所得产物中，除了未完全反应的非晶SiO2外，主要是α-SisNt，Si2N2O以及少量的β-SiC．TEM和SEM分析显示，合成的α-Si3N4纳米线直径为100～150nm，长几十μm，α-Si3N4纳米线的生长机制是气固（VS）生长机制。     

单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线

以乙酰丙酮合铟[In（acac）3]（acac=acetylacetonate）作为单源前驱体，Au为催化剂，采用化学气相沉积法，于较低温度（550℃）下成功制得了In2O3纳米线．用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和能量分散光谱（EDS）对In2O3纳米线进行了表征；制得的In2O3纳米线具有单晶结构，平均直径约为80nm，长度达十几微米，其生长服从气一液一固机理．光致发光研究发现，In2O3纳米线在483nm处有一个强的发射峰，这可归因于氧空位的存在．     

开口WS2纳米管的制备与表征

在氢气与噻吩的催化还原气氛中，于400℃加热分解高能球磨后的前驱体(NH4)2WS4．用粉末X射线衍射(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)，高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和N2吸附比表面测定(BET)对反应产物进行了分析表征．结果表明反应产物是高纯度多壁的开口WS2纳米管，其平均长度为5μm，内径约为15nm，外径约为30nm，层间距为0．62nm．对于反应过程，提出了WS2纳米管“由内向外”的生长机理．     

Ba(In0.5Nb0.5)O3的X射线粉末衍射数据

用固相合成方法制备Ba(In0．5Nb0．5)O3。钙钛矿型复合氧化物，并通过XRD方法对产物的物相、形貌和组成进行表征。结果表明，产物为立方钙钛矿结构，粒度为6～10μm的多晶粉末，晶胞参数为a=0．4138nm，空间群为Pm^-3m，衍射数据指标化可靠因子F8=17．6(0．037，12)。     

In2S3纳米晶自组装微球的无模板水热法制备及其光催化性能研究

以氧化铟、盐酸和硫脲为原料,采用简单、无模板的水热法于140℃、160℃恒温24 h分别得到In2S3纳米自组装成的不同形貌微米球。产物通过X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对其结构和形貌进行表征.XRD结果表明:两种产物均为纯相立方晶相的In2S3.SEM结果表明:于140℃、恒温24 h得到In2S3纳米粒自组装微球,微球直径约3～4μm.纳米粒大小约20 nm;于160℃恒温24 h也得到In2S3纳米粒自组装形成的微球,微球大小约2.5～10μm,纳米粒大小20～200 nm.以亚甲基蓝-乙醇溶液为模型污染物,考察In2S3在紫外灯照射下的光催化性能.     

单晶β-Ga2O3纳米线的原位生长及其光致发光性能

通过在N2气氛中将金属镓加热到900℃,在镓颗粒表面大面积生长出-βGa2O3纳米线.采用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所得产物为单斜相单晶结构Ga2O3纳米线,其直径为50-100 nm,长度为30-100μm.提出了Ga2O3纳米线可能的生长机理.室温下研究了所得Ga2O3纳米线的光致发光特性,观察到起源于氧空位的电子与镓-氧空位对上的空穴复合产生的发光峰在457 nm的蓝光发光.     

热等离子裂解甲烷制备纳米碳纤维

以N2、H2混合气体为工作气,常压条件下裂解甲烷制得纳米碳纤维。考察了原料气流量、工作气气氛和催化剂类型对CNFs生长的影响,并用SEM和TEM表征产物的形貌和结构。结果表明:原料气甲烷流量的增加可引起产物的形貌多样性增加;由于N2比Ar热值高,高温持续时间长,有利于元素态金属原子参与完成碳结构的石墨化进程,所得纳米碳纤维较Ar气氛产物碳层连续、互相平行,纤维管内外表面平直、光滑、无沉积。以Fe2O3为催化剂,纤维管直径分布范围小,杂质或无定形碳很少;以Co2O3为催化剂,产物近似多壁碳纳米管结构,但纯度较低;以Ni2O3为催化剂的管状产物是长度不到1μm的短截管,结晶度较差。     

双模板法同步诱导合成硒化汞微球和纳米颗粒

利用大葱生物膜内外有别的结构特性模拟生物矿化过程，在室温下同步诱导合成出颗粒状和球状两种不同形貌的硒化汞材料，前者尺寸约为200nm的大纳米颗粒，该产物可能是由尺寸约30nm的小纳米粒子组装而成；后者尺寸约为3μm的高度致密的带花边的实心圆球，该产物可能是自发生长或由直径约1μm的小球组装而成．其结构均为立方相，晶格常数为0．608nm．通过紫外可见光谱（UV—Vis）和荧光光谱（Fluorescence，FL）对产物的光学性质进行了研究．初步探讨了硒化汞的合成机理．     

铟的应用与提取进展

铟是现代高新技术产业的重要支撑材料,中国的铟资源和铟生产量为全球之冠,原生铟的提取技术和水平居世界前列;论述了铟提取冶金的新工艺技术及铟产业的发展。     

煅烧铟锡氢氧化物和氯化钠混合粉末制备铟锡氧化物纳米粉体

铟锡氧化物（ITO）是一种重要的半导体材料,制备团聚轻、颗粒细小的ITO纳米粉体具有重要的意义。在500℃下煅烧铟锡氢氧化物[Sn：In（OH）3]和NaCl的混合粉末2h,然后冷却并经过水洗制备ITO纳米粉体。XRD和TEM研究结果表明,利用NaCl颗粒能有效阻止纳米粉体硬团聚的形成。ITO纳米粉体结晶良好,平均颗粒尺寸为18min,尺寸分布窄、团聚轻。本工艺为合成无机纳米粉体提供了一种新的方法。     

Template-free synthesis of morphology- and size-controlled nano indium hydroxide

Morphology- and size-controlled In(OH)₃ nanocrystals were synthesized via a novel, low-cost and low-temperature (70℃) route in the absence of any template and surfactant. The as-prepared products were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) with selected area electron diffraction (SAED). The morphology and size of In(OH)₃ nanostructures can be controlled by adjusting the reaction conditions such as the reaction time, the concentration of the alkali, and the alkaline source. A possible mechanism for the evolution of the morphology- and size-controlled In(OH)₃ was proposed. In addition, the optical properties of the In(OH)₃ prepared by this method were studied by diffuse reflection spectra (DRS) and photoluminescence (PL) spectroscopy, and the results exhibit an obvious change of adsorption edges. The thermal behaviors of the as-prepared products were also explored by thermo-gravimetric (TG) and differential scanning calorimetry (DSC) measurements. According to the results of TG-DSC, the pure phase and uniformity of the In₂O₃ nanocube and nanorod can be obtained by annealing In(OH)₃ precursors directly at 300℃.     

Differenc es between amorphous indium oxide thin films

A series of 60~nm thick indium oxide thin-films,all amorphous as determined by x-ray diffraction,were found to have physical and electrical properties that depended on the temperature of deposition.The carrier mobility and flm conductivity decreased with decreasing deposition temperature;the best electrical properties of high mobility and conductivity were observed at a deposition temperature just below the temperature at which crystalline films formed.The density of the flm also decreased with deposition temperature from 7.2g/cm3 at+50℃ to 5.3g/cm3 at 100℃.     

In团簇对InN光致发光特性的影响

通过光致发光方法研究了氮化铟(InN)材料的发光特性。实验发现,随着温度的变化,不同结构的InN样品的发光峰位置展现了不同的行为。在具有In团簇结构的样品中,其发光峰位置显示了反常的蓝移现象。这种发光峰能量的反常变化是由In团簇周围的界面态引起的。     

Hydrothermal synthesis and characterization of new hybrid open-framework indium phosphate-oxalates

Crystalline open-framework inorganic materials have been widely studied because of the wide variety of the structures as well as their applications in heterogeneous catalysis, adsorption and ion exchange[1,2]. Of many open-framework solids, metal phosphates are an important family of materials, a large number of aluminum phos-phates[3,4], gallium phosphates[5—7], zinc phosphates[8—10], cobalt phosphate[11], beryllium phosphates[12—14] have been prepared and characterized. Recently, open-fra…     

铜铟硫纳米粒子的改进溶剂热法合成与表征

采用溶剂热法和单一前体法相结合的改进方法,以二乙基二硫代氨基甲酸铜和二乙基二硫代氨基甲酸铟配合物为前体,乙二胺或油胺为表面修饰剂,成功地合成了铜铟硫纳米粒子.研究了表面修饰剂与前体的摩尔配比、反应时间、反应温度以及弱还原性添加剂对产物形貌结构的影响,采用XRD,SEM等测试方法对产物进行了结构表征.结果表明,在乙二胺和...