软错误缓解动态部分可重构的抗单粒子方案

随着基于静态随机存储器(static random-access memory,SRAM)型现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)广泛应用于航空航天领域,太空辐照环境下FPGA产生单粒子翻转(single event upset, SEU)问题的概率日益提高,从而导致FPGA出现单粒子闩锁现象引起功能紊乱。针对该问题,基于SRAM型FPGA的架构诱发SEU机理分析,对传统三模冗余(triple module redundancy, TMR)的方案进行改进,设计一种逻辑上采用TMR进行备份、系统上采用软错误算法缓解执行,同时采用局部纠错和动态可重构的方法进行抑制的方案。皮秒激光注入试验结果显示,采用所提供方案的FPGA较传统方案试验电流平稳,验证了该方案可以有效对SEU进行抑制。     

纳米级集成电路的软错误问题及其对策

介绍了纳米级集成电路中软错误的发生机制、发展趋势以及评估技术,概括了软件、电路和体系结构以及工艺器件级软错误的缓解对策,并针对软错误问题相关研究的发展提出几点建议.
     

一种解决半选择单元干扰问题的SRAM设计方案

半选择单元的干扰问题是SRAM工作电压无法随工艺微缩持续降低的主要原因,同时,作为常用写稳定性帮助策略和提高读写速度的策略,PWB中字线增强时间点对半选择单元干扰问题的影响非常值得关注.本文深入分析了半选择单元干扰问题的电路机理和PWB稳定性策略,提出了一种基于交叉耦合PMOS管的HFPWB创新方案,在避免了半选择单元干扰问题的同时,给出了字线增强的具体时间点.仿真结果表明本文提出的电路结构可以同时提高全选单元和半选择单元的稳定性,并可以提高读速度达17.1%.     

一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计

为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小.     

基于SRAM乒乓操作的数据采集系统的设计

为提高近红外焦平面阵列探测器采集数据过程中图像数据的完整性及数据的采集传输速度,选用具有特殊并行处理方式的FPGA作为核心控制模块,运用两片SRAM作为数据缓冲模块,通过输入数据选择模块和输出数据选择模块的相互配合,将经过缓冲的数据流没有时间停顿地送到运算处理单元。仿真及实验结果表明,双SRAM乒乓操作技巧的使用,极大地提高了数据的缓存速度,实现了数据的无缝处理与传输。     

一种应用于低功耗SRAM的新型预充电策略

针对传统预充电技术在SRAM每次读操作前都要进行预充电的方式,提出了一种新型的SRAM间歇式预充电技术,即只在位线电压较低时才充电的策略.该技术在面积不变的前提下降低了SRAM的读功耗,并且成功应用于8 KB 4路组相连cache中.为了精确验证该技术,将cache中的tag部分21×128 bit SRAM阵列及外围电路,分别采用传统预充电技术和该预充电技术进行单独仿真.Hspice的仿真结果表明,在SMIC0.18μm工艺下,工作频率为250 MHz,电源电压为1.8 V时,该技术在连续读操作过程中可以在保证读出结果正确的前提下,比传统方式节省大约24.4%的读功耗.     

几种静态随机存储器单元的性能分析

本文分析了四种不同晶体管数量（6管~9管）的八种不同结构SRAM单元。对每个单元的工作原理进行了分析,结合设计实例和模拟结果对这些SRAM单元的功耗、读写能力、稳定性等性能进行了对比,并总结了一些设计经验。     

嵌入式静态随机存储器的低功耗设计

介绍了多种最新的嵌入式静态随机存储器低功耗设计技术。存储器的总功耗为动态功耗和静态功耗之和。动态功耗又分读周期功耗和写周期功耗。减少动态功耗的主要技术：（1）降低开关电容。（2）降低充放电电压摆幅等。减少静态功耗的主要技术是降低衬底电流和栅电流等。对多种低功耗技术做了分析和总结,并提出了改进意见。     

基于SRAM的MMU新设计方法

采用了新的模拟模块的设计方法,可以高效地实现MMU设计所要求的快速建立虚拟地址和物理地址映射的功能,并且该方法在缩小MMU面积上和缩短设计流程上有所创新,比较同类其他设计方法在性能上要优越得多,并给出了该设计方法在某公司的C340项目的应用实例．     

一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计

为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗,提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列.与传统设计性比,辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷,并重新用于下一个周期的位线充电.提出的SRAM存储器采用标准14 nm FinFET spice模型搭建,电源供电电压为0.8 V.仿真结果表明...     

适用于位交叉布局的低电压SRAM单元

提出一种9管单端SRAM单元结构, 该种SRAM单元采用读写分离方式, 具有较高的保持稳定性和读稳定性。 该单元采用新的写操作方式, 使由其组成的存储阵列中, 处于“假读”状态的单元仍具有较高的稳定性, 因此在布局时能够采用位交叉布局, 进而采用简单的错误纠正码(ECC)方式解决由软失效引起的多比特错误问题。仿真结果显示, 当电源电压为300 mV时, 该种结构的静态噪声容限为100 mV, 处于“假读”状态的单元静态噪声容限为70 mV。     

软件差错控制在单片机通信中的应用

为降低单片机通信中的误码率，保障通信的准确无误，在单片机串行双工通信的基础上，提出了采用差错控制方式，配合灵活的软件进行纠错编码的技术，并在实际应用中取得了满意效果。     

如何提升高校图书馆的软实力

面对竞争,高校图书馆必须提升软实力。从创新管理、开展特色服务和广泛宣传等几个方面简述了提升高校图书馆软实力的措施。     

基于软译码的系统LT码及其无线信道应用

LT码在删除信道下显示出优异的纠删性能,但在无线信道中由于信道噪声固有的影响,接收端必然产生误码,错误的译码起始信息导致LT码在解码后出现错误传播现象。为了减少误码,实现LT码在无线信道下的应用,提出构造系统LT码,同时在译码时产生校验矩阵,采用基于对数似然比的置信传播算法(LLR-BP)进行软信息译码的方法。仿真实验结果表明,基于软译码的系统LT码具备良好的纠错性能,显示了其在无线信道应用的可行性和有效性。     

容错信息系统的设计

在原有的信息系统检索方法的基础上，增加汉字容错检索方法及模糊分类检索方法，使常规方法设计的管理信息系统功能扩充，环境改善。     

真空堆载联合预压法加固软基的现场试验

结合山东日照港集装箱码头辅建区的软基处理工程,开展了现场真空-堆载联合预压试验和监测资料分析研究,并对其加固机理和加固效果进行了探讨.研究结果表明真空预压明显地加快了地基的沉降速率,加速其固结过程,同时产生向内的水平位移,从而使真空-堆载联合预压比超载预压具有更强的抗失稳能力.土体侧向位移量和位移速率与加荷方式及大小密切相关.真空预压的加固深度主要是地表以下竖向排水体范围内受荷载影响的土层.