| 一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计 |
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| 引用本文： | 李天阳,石乔林,田海燕,薛忠杰. 一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计[J]. 江南大学学报(自然科学版), 2006, 5(6): 688-692 |
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| 作者姓名： | 李天阳 石乔林 田海燕 薛忠杰 |
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| 作者单位： | 1. 江南大学,信息工程学院,江苏,无锡,214122
2. 中国电子科技集团公司,第58研究所,江苏,无锡,214035 |
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| 摘 要： | 为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小.
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| 关 键 词： | 6-T单元 亚阈值电流 静态随机存储器 静态功耗 浮动电源线 |
| 文章编号： | 1671-7147（2006）06-0688-0S |
| 收稿时间： | 2005-06-23 |
| 修稿时间： | 2005-12-31 |
An Ultra-Low-Power Embedded SRAM with Floating Power Rails |
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| LI Tian-yang,SHI Qiao-lin,TIAN Hai-yan,XUE Zhong-jie. An Ultra-Low-Power Embedded SRAM with Floating Power Rails[J]. Journal of Southern Yangtze University:Natural Science Edition, 2006, 5(6): 688-692 |
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| Authors: | LI Tian-yang SHI Qiao-lin TIAN Hai-yan XUE Zhong-jie |
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| Affiliation: | 1. School of Information Technologe, Southern Yangtze University, Wuxi 214122, China;2. China Electronic Technology Group Corporation the 58th Research Institute, Wuxi 214035, China |
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| Abstract: | The paper analyses the standby power dissipation of standard SRAM 6-T cells.It also presents a new SRAM array structure with floating power rails and analyses the minimized and the optimal data retention voltage(DRV).Besides,the paper presents a low-power sense amplifier(SA).The simulation results shows that the new structure saves a lager amount of energy than the traditional structure. |
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| Keywords: | 6-T cell subthreshold leakage current SRAM standby power floating power rails |
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