利用相干渡越辐射测量自由电子激光的群聚

探讨了利用相干渡越辐射(CTR)来测量自由电子激光(FEL)群聚电子束的测量方法。根据相干渡越辐射(CTR)的特性,结合FEL中电子束群聚的特点,建立了理论模型。利用CAEP光阴极RF腔注入器、30 M eV射频加速器产生的30 M eV电子束及相应的FEL装置进行了实验验证。结果表明:群聚后电子束渡越辐射的强度大大高于非群聚电子束的辐射强度,而且辐射角也很小,反映了该辐射的相干性,由此可以给出电子束的群聚效果。     

相对论BCS-BEC 渡越热力学

利用Nambu-Gorkov表示,讨论了在相对论Fermi-Bose系统中的BCS-BEC渡越条件及其热力学性质,得到了临界点附近费米子的激发能谱。给出了临界温度附近和低于临界温度区域的能隙表达式。理论计算结果表明,渡越区在临界温度附近存在着零质量准粒子的激发。     

低能段的光学渡越辐射

光学渡越辐射（ＯＴＲ）作为中高能段束流诊断方法，已被广泛地研究。低能ＯＴＲ的分布不像高能时那样集中于反射方向附近一个极小的角度内，而是在沿反射方向的很大的立体角内分布，且斜入射时强度分布极不对称。这使低能ＯＴＲ 的实验装置与高能时有些不同。为此，从Ｍａｘｗ ｅｌｌ＇ｓ 方程组出发详细推导了电子斜入射时适用于各能段的光学渡越辐射光强的空间分布公式。以此为基础建立了实验装置，并利用ＣＣＤ摄像机得到了４ ＭｅＶ 电子束流的ＯＴＲ光斑，为进一步的研究打下基础     

全反射光的横向偏移和渡越时间曲线

利用全反射所产生的相移角导出了全反射光在第二种介质中的横向偏移和光在第二种介质中的渡越时间，并利用推公式计算了横向偏移和渡越时间随入射角的变化曲线。     

用切伦科夫光测量网栅型光电倍增管的渡越时间分散

描述了一种利用伽马射线照射光阴板生成的切伦科夫光来测定光电倍增管渡越时间分散的实验方法,并利用这种方法测量了Hamamatsu R-5924光电倍增管的渡越时间分散.     

峰值渡越时间法测气固两相流流量

提出了一种测量气固两相流流量的方法———峰值渡越时间法 ,即利用一流团流过上下游两个传感器时所引起的输出时间差来测流速 ,并利用 80 98单片机予以实现 ,同时给出了噪声发生器对比试验结果 .结果表明 ,用峰值渡越时间法测量柱塞状流体流量 ,响应时间不超过 1s ,精度可达 1% .     

峰值渡越时间法测气固两相流流量

提出了一种测量气固两相流流量的方法--峰值渡越时间法,即利用一流团流过上下游两个传感器时所引起的输出时间差来测流速,并利用8098单片机予以实现,同时给出了噪声发生器对比试验结果.结果表明,用峰值渡越时间法测量柱塞状流体流量,响应时间不超过1s,精度可达1%.     

电子温度对SiGeHBT基区渡越时间的影响

讨论了采用能量传输模型时的SiGeHBT基区电子温度分布,以及电子温度对基区渡越时间的影响．计算结果表明：基区电子温度呈现明显的不均匀分布,从发射极侧到集电极侧逐渐增大;电子温度分布主要由基区Ge分布决定,而基区掺杂对电子温度的影响不大．考虑基区电子温度分布时基区渡越时间减小,在较大的Ge分布梯度下,电子温度对基区渡越时间的影响不可忽略．     

分子磁体中量子-经典渡越的数值研究

运用数值的方法研究了分子磁体的隧穿效应中量子-经典渡越问题.从双轴磁晶各向异性模型出发,计算了不同参数下各能级的隧穿率随能量以及温度的变化关系,直观地描述了从量子隧穿到经典热跳跃渡越的物理过程,并描述了最佳隧穿位置在不同参数下随温度的变化行为.研究发现,数值计算结果和解析结果是相吻合的,验证了在此渡越过程中确实存在一级转变与二级转变,并提出检验一级转变的可能性.     

C波段三腔渡越时间效应振荡器的理论与实验

C波段三腔渡越时间效应振荡器是基于三腔谐振腔渡越时间效应的一种新型高功率微波器件. 首先对该器件的工作原理进行了简要论述, 并对径向绝缘二极管、三腔谐振腔、双间隙输出腔及圆波导斜劈天线等部分进行了详细的理论与实验研究. 用解析方法求出了三腔谐振腔的模式及场分布, 导出了三腔谐振腔非π模场的渡越时间效应规律. 最后给出了实验结果. 该器件在C波段产生了半高宽约为15 ns, 峰值功率超过400 MW的辐射微波, 束波转换效率为17%.     

单片机在峰值渡越时间法测气固两相流流速中的应用

介绍利用8098单片机测量峰值渡越时间的工作原理,给出了峰值探测与过零检测电路,同时给出了识别过零时间、控制检测电路开闭和数据处理的软件设计,试验研制的低速浓相气固两相流流速的测量装置精度过1%,响应时间小于1 s.     

超热电子渡越辐射与高能质子发射的比较研究

在超短超强激光-固体靶相互作用过程中,通过对超热电子输运产生的渡越辐射光斑与高能质子发射的空间分布图案进行比较,渡越辐射光斑与高能质子发射的空间分布图案非常相似,都呈圆盘状．通过对渡越辐射光强随靶厚度的关系曲线、超热电子输运能量沉积随靶厚度的关系曲线以及文献中已有的高能质子能量随靶厚度的关系曲线进行比较,3条曲线的形状也非常相似,都在10μm靶厚度处存在转折点．分析表明,超热电子输运产生的渡越辐射与高能质子发射存在一定的内在联系,而这个联系就是超热电子输运而产生的静电场。     

单片机在峰值渡越时间法测气固两相流流速中的应用

介绍利用8098单片机测量峰值波越时间的工作原理，给出了峰值探测与过零检测电路，同时给出了识别过零时间、控制检测电路开闭和数据处理的软件设计，试验研制的低速旅相气固两相流流速的测量装置精度过1％，响应时间小于1s．     

Si1—zGez基区杂质和Ge组份分布对HBT基区渡越时间的影响

在Ｓｉ１－ｚＧｅｚ基区ＨＢＴ中，Ｇｅ组份Ｚ缓变产生自建电场，基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场，基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速电场。文中研究了这些电场对基区渡越的影响，研究结果表明，随基区发射极侧杂质浓度的不同，因阻滞电场而产生的延迟时间占基区总渡越时间的４０％￣８０％。同时还发现，选用无阻滞电场产生的基区杂质分布，采用大的Ｇｅ组份线性缓变和利用集电结空间电荷区电子速度过冲效应，可     

带螺线盘线圈的Ku波段径向渡越时间振荡器模拟研究

径向渡越时间振荡器(transit-time oscillator,TTO)相较于轴向渡越时间振荡器,其电子束电流密度更低,空间电荷效应更弱,从而其束波转换效率更高,所需要的引导磁场也更低,因此是目前最有潜力的径向高功率微波(HPM)器件之一。传统径向渡越时间振荡器通常采用金属栅网实现对径向传输电子束的引导,但是金属栅网的熔蚀直接限制了器件的工作寿命和重复频率。在利用径向螺线盘线圈产生的磁场满足径向电子束稳定传输的条件下,开展了带螺线盘线圈的Ku波段径向渡越时间振荡器的整管粒子(PIC)模拟。在电子束电压300 k V、电流20 k A的模拟条件下,器件实现微波功率为2.07 GW、频率14.86 GHz、效率达34.5%的输出。     

Si1－ZGeZ基区杂质和Ge组份分布对HBT基区渡越时间的影响

在Ｓｉ１－ＺＧｅＺ基区ＨＢＴ中，Ｇｅ组份Ｚ缓变（进而能隙缓变）产生自建电场，基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场，基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速电场．文中研究了这些电场对基区渡越时间的影响．研究结果表明，随基区发射极侧杂质浓度的不同，因阻滞电场而产生的延迟时间占基区总渡越时间的４０％～８０％．同时还发现，选用无阻滞电场产生的基区杂质分布，采用大的Ｇｅ组份线性缓变和利用集电结空间电荷区电子速度过冲效应，可望得到截止频率大于１００ＧＨｚ的Ｓｉ１－ＺＧｅＺ基区ＨＢＴ     

基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型

提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型,该模型考虑了电子温度效应.计入薄基区内强电场(该电场源起于Ge,C元素的掺杂)引起的电子温度变化,得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同.随着Ge含量的增加,两者的差别不能再忽略.     

SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析

对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.     

政府伦理的双重维度理解：政治维度与道德维度

政府伦理的研究更多地诉诸于政府公务人员个体的道德水平的提高与职业道德精神的建立。这种定位忽略了政治维度中政体价值的政府伦理含义,也忽略了道德维度中公共道德与个体道德的关联与冲突,容易造成政府伦理的两难选择困境。因而,需要从多重维度来理解政府伦理。     

基于相关测速法的热轧材速度测量

介绍利用相关技术对运动物体速度进行在线测量的方法和原理,通过巧妙地采集上、下游相关信号,计算出互相关信号峰值对应的渡越时间,间接测量出热轧材运动速度,并在实践中研制出非接触在线相关测速仪.该测速仪已在马钢热轧材运动速度测量中得到应用.