|
|||||
|
|
| Si1—zGez基区杂质和Ge组份分布对HBT基区渡越时间的影响 | |
| 作者姓名： | 张万荣 曾峥 |
| 作者单位： | 西安交通大学 |
| 摘 要： | 在Ｓｉ１－ｚＧｅｚ基区ＨＢＴ中，Ｇｅ组份Ｚ缓变产生自建电场，基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场，基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速电场。文中研究了这些电场对基区渡越的影响，研究结果表明，随基区发射极侧杂质浓度的不同，因阻滞电场而产生的延迟时间占基区总渡越时间的４０％￣８０％。同时还发现，选用无阻滞电场产生的基区杂质分布，采用大的Ｇｅ组份线性缓变和利用集电结空间电荷区电子速度过冲效应，可 |
| 关 键 词： | 双极晶体管 HBT 基区渡越时间 基区杂质 锗 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |