| SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 |
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| 引用本文： | 苏文勇,李蕊,邵彬. SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析[J]. 北京理工大学学报, 2005, 25(6): 522-525 |
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| 作者姓名： | 苏文勇 李蕊 邵彬 |
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| 作者单位： | 北京理工大学,理学院,北京,100081 |
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| 摘 要： | 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.
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| 关 键 词： | SiGe异质结双极晶体管 基区渡越时间 Ge分布 SiGe 异质结双极晶体管 管基 基区渡越时间 时间分析 Transit Time Base Bipolar Transistor 时间影响 高斯分布 指数分布 电子迁移率 有效态密度 最小 三角形分布 矩形 组分分布 结果 电流密度 载流子浓度 |
| 文章编号： | 1001-0645(2005)06-0522-04 |
| 收稿时间： | 2004-06-22 |
| 修稿时间： | 2004-06-22 |
Base Transit Time of Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistor |
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| SU Wen-yong,LI Rui and SHAO Bin. Base Transit Time of Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistor[J]. Journal of Beijing Institute of Technology(Natural Science Edition), 2005, 25(6): 522-525 |
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| Authors: | SU Wen-yong LI Rui SHAO Bin |
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| Affiliation: | School of Science,Beijing Institute of Technology, Beijing100081,China;School of Science,Beijing Institute of Technology, Beijing100081,China;School of Science,Beijing Institute of Technology, Beijing100081,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe heterojunction bipolar transistor base transit time Ge profile |
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