|
|||||
|
|
| SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 | |
| 作者姓名： | 苏文勇 李蕊 邵彬 |
| 作者单位： | 北京理工大学,理学院,北京,100081 |
| 摘 要： | 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小. |
| 关 键 词： | SiGe异质结双极晶体管 基区渡越时间 Ge分布 SiGe 异质结双极晶体管 管基 基区渡越时间 时间分析 Transit Time Base Bipolar Transistor 时间影响 高斯分布 指数分布 电子迁移率 有效态密度 最小 三角形分布 矩形 组分分布 结果 电流密度 载流子浓度 |
| 文章编号： | 1001-0645(2005)06-0522-04 |
| 收稿时间： | 2004-06-22 |
| 修稿时间： | 2004-06-22 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《北京理工大学学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《北京理工大学学报》下载免费的PDF全文 | |