| 氧化多孔硅的发光机制 |
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| 引用本文： | 马书懿.氧化多孔硅的发光机制[J].西北师范大学学报,2000,36(1):22-26. |
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| 作者姓名： | 马书懿 |
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| 作者单位： | 马书懿（西北师范大学物理系，甘肃兰州 730070；兰州大学物理系，甘肃兰州 730000） |
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| 基金项目： | 国家博士后基金资助项目暨甘肃省教委科研资助项目(981-17) |
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| 摘 要： | 利用阳极氧化法制备了5种光致发光峰位不同的多孔硅，对该系列样品于400℃氧化处理1，2，4，8min和24min．通过研究其光致发光谱、红外吸收谱和瞬态谱，证明氧化多孔硅的光致发光来源于氧化硅中的发光中心．
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| 关 键 词： | 阳极氧化法 光致发光 纳米硅粒 氧化多孔硅 |
| 文章编号： | 1001-988X(2000)01-0022-05 |
| 修稿时间： | 1999-10-27 |
Photoluminescence mechanism for oxidized porous silicon |
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| MA Shu-yi.Photoluminescence mechanism for oxidized porous silicon[J].Journal of Northwest Normal University Natural Science (Bimonthly),2000,36(1):22-26. |
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| Authors: | MA Shu-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | anodization porous silicon photoluminescence nanometer silicon particles |
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