碳纳米管模板对 YBO3：Eu3＋（5％）结构、形貌及光致发光的影响

在前驱体溶液中添加和不添加碳纳米管，采用简单的水热合成法并在1000℃下烧结，获得树枝状和类球状纳米结构的 YBO3：Eu3＋样品．研究表明：对于树枝状结构的样品，其红色和橙色光的强度比更高，且其CIE 坐标为（0．67，0．33），几乎与商业红色荧光粉 Y2 O2 S ：Eu3＋的色坐标相同，可见树枝状结构的红色荧光粉YBO3：Eu3＋在纳米器件和照明器件中具有潜在应用价值．该文还对样品的发光性质和机制做了解释．     

物理气相沉积法制备TP/TFA纳米薄膜与光致发光特性探究

为了探究有机荧光材料在微纳尺寸上的荧光特性，采用低真空物理气相沉积方法制备了茶碱（TP）和2，3，5，6-四氟对苯二甲酸（TFA）有机纳米薄膜。通过对TP和TFA薄膜的荧光性质进行表征发现：与TP粉末相比薄膜的荧光发射峰由1个增加到4个，发射波长范围拓宽了100 nm，TFA的荧光发射峰之间的相对荧光强度发生了变化，与原料粉末相比在408 nm处的荧光发射峰蓝移了7 nm，362 nm处的荧光发射峰红移了3 nm。另外随着纳米薄膜厚度的逐渐增加，其荧光效率也逐渐增大。通过对TP和TFA纳米薄膜的表面形貌表征发现：随着薄膜厚度的增加，颗粒的聚集形态尺寸逐渐增大，从而验证了荧光效率随膜厚增加而逐渐提升的特性。     

构建具有优良荧光性能的生物功能化碳点的新方法

以乳糖和盐酸为原料,通过超声和细菌辅助反应直接获得新型的生物功能化碳点,并通过透射电子显微镜、傅立叶红外分光光度计以及激光共聚焦显微镜对构建出来的生物功能化碳点进行表征.结果显示:所得粒子表面富含羧基和羟基,这一性质使得生物功能化碳点具有很好的亲水性和生物活性.进一步的实验表明:生物功能化碳点与传统化学方法合成的荧光碳点相比,具有很高的光致发光性和光稳定性,且生物功能化碳点的发光区域在近红外和可见光区,这使其在生物活体成像和生物活体检测上具有非常广阔的应用前景.     

Li~+增强SrWO_4:Er~(3+)-Yb~(3+)上转换发射的研究

采用化学共沉淀法制备了纳米晶Sr WO4:Er3+/Yb3+/Li+发光粉体.室温下观察到Er3+的特征发射和上转换发射,强发射带分别对应着2H11/2-4I15/2,4S3/2-4I15/2和4I13/2-4I15/2能级跃迁.研究了Li+的掺入使Sr WO4:Er3+/Yb3+样品的上转换发光强度增加的原因.     

纯相CaAl4O7∶Tb3+(Sm3+)的自蔓延燃烧合成及光致发光特性#br#

用自蔓延燃烧合成(SPCS)技术制备CaAl₄O₇∶Tb³⁺和CaAl₄O₇∶Sm³⁺两种荧光材料, 并通过X射线衍射(XRD)、 Fourier变换红外光谱(FT-IR)、 扫描电子显微镜(SEM)、 紫外-可见漫反射谱(UV-Vis DRS)等方法考察两种荧光材料的结构、 形貌及光吸收性质. 结果表明: SPCS技术可显著降低合成温度; 样品的结晶度较好, Tb³⁺和Sm³⁺掺杂后, 未改变CaAl₄O₇的单斜晶系结构与空间群特征, 但使晶格轻微畸变且使其吸收主峰和吸收带边红移; CaAl₄O₇∶Tb³⁺和CaAl₄O₇∶Sm³⁺分别发射特征绿光和粉红光, 其激发光谱和发射光谱均呈较精细的结构特征.     

含1,3,4-噻二唑希夫碱衍生物及其金属配合物的合成和荧光性能研究

以水杨酸、氨基硫脲为原料,POCl3作为溶剂、催化剂、环合剂,合成了2-氨基-5-(2-羟基苯基)-1,3,4-噻二唑.通过其与相应的芳香醛反应,合成了3种含杂环1,3,4-噻二唑的希夫碱及其金属配合物.采用傅里叶红外光谱(FT-IR)和核磁共振(1H-NMR)对目标产物及其中间体进行了表征,通过荧光光谱研究了其光学性能.结果表明:所用方法反应时间短、操作简单、产率高,这些化合物具有较强的荧光发射光谱,有望成为较好的有机光电材料.     

一种新型双8-羟基喹啉-锌高分子配合物的合成及光致发光性能

采用Wittig-Horner反应合成了一种新型双8-羟基喹啉配体,并将此配体与金属锌进行配位反应,制备与其对应的高分子配合物。采用红外、核磁和紫外可见光谱等表征了配体及其配合物的结构和光物理性能,利用荧光光谱研究了高分子配合物的光致发光性能,确定了其最大发射峰位于(550 nm)。该配合物是一种理想的橙红色发光聚合物材料。     

GaN纳米柱的量子效率研究

主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜.     

锗锡薄膜的分子束外延生长及退火研究

无应变锗锡(GeSn)合金在Sn的摩尔组分高于8%时能够转变为直接带隙材料，适合于制备硅基光电子器件.分子束外延(MBE)在高纯度GeSn制备、Sn组分和异质界面的精确调控上具有巨大的优势.然而，由于Sn在Ge中的固溶度低(<1%)、Ge与α-Sn晶格失配大(约14.7%),高Sn组分、应变弛豫直接带隙GeSn薄膜材料的MBE制备仍是一个巨大的挑战.本文综述了MBE制备高Sn组分GeSn薄膜及弛豫GeSn薄膜压应变的相关研究.首先介绍了低温MBE技术外延高Sn组分GeSn薄膜的方法及生长应变弛豫GeSn薄膜的挑战.之后给出GeSn薄膜的快速热退火行为与厚度的依赖关系，基于临界厚度模型捋清了退火过程中GeSn薄膜的应变弛豫与Sn偏析的竞争机制；最后介绍了快速热退火对GeSn薄膜发光特性的影响，提出采用快速热退火制备应变弛豫的Sn组分渐变GeSn异质结，通过载流子自限制增强MBE生长GeSn薄膜的光致发光强度.     

四核碘铜簇及其五重穿插的双吡唑配位聚合物的结构与发光性质研究

本文报道了一种纯无机四核碘铜簇配合物Cu4I(4NH3)(4配合物1),并利用长链形双吡唑配体1,6-二(3,5-二甲基-1H-吡唑)-己烷与类似的四核碘铜簇构筑了一种五重穿插的配位聚合物(配合物2).拓扑网络分析表明:配合物1分子间通过弱I···H-N氢键形成了三维六连接bsn拓扑网络,而配合物2是一种五重穿插的dia拓扑网络.它们的发光主要归结为以碘铜簇为中心的激发态电荷跃迁(*CC).配合物1更大的斯托克斯位移和更低的发射能主要与Cu4I4配位单元间弱氢键和Cu4I4配位单元内部稍强的亲铜作用有密切关系.