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| 嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究 | |
| 引用本文： | 敦少博,卢铁城,胡强,于晓林,胡又文,曾颖秋,张松宝,唐彬,代君龙.嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2005,42(2):347-352. |
| 作者姓名： | 敦少博 卢铁城 胡强 于晓林 胡又文 曾颖秋 张松宝 唐彬 代君龙 |
| 作者单位： | 1. 四川大学物理系·辐射国家物理及技术重点实验室,成都,610064 2. 四川大学物理系·辐射国家物理及技术重点实验室,成都,610064;中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110015 3. 四川大学物理系·辐射国家物理及技术重点实验室,成都,610064;中国工程物理研究院核物理和化学研究所,四川绵阳,621900 4. 中国工程物理研究院核物理和化学研究所,四川绵阳,621900 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金委员-中国工程物理研究院联合基金(10376020) |
| 摘 要： | 作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶，并通过系统的氧化性或还原性退火处理，以改变样品中Ge的氧化物成分组成．分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性，并结合XRD分析表明：300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc-GeO)纳米晶发光，而不是GeO的缺陷发光；570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc-Ge)发光，而不是Ge及Si界面的缺陷发光． |
| 关 键 词： | Ge纳米晶 GeO纳米晶 离子注入 光致发光 X射线衍射 |
| 文章编号： | 0490-6756(2005)02-0347-06 |
Investigation on the Luminescence Mechanism of Nanocrystalline Ge and Nanocrystalline GeO Embedded in SiO2 Film |
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| DUN Shao-bo,LU Tie-cheng,HU Qiang,YU Xiao-lin,HU You-wen,ZENG Yin-qiu,ZHANG Song-bao,TANG Bin,DAI Jun-long.Investigation on the Luminescence Mechanism of Nanocrystalline Ge and Nanocrystalline GeO Embedded in SiO2 Film[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2005,42(2):347-352. | |
| Authors: | DUN Shao-bo LU Tie-cheng HU Qiang YU Xiao-lin HU You-wen ZENG Yin-qiu ZHANG Song-bao TANG Bin DAI Jun-long |
| Institution: | DUN Shao-bo1,LU Tie-cheng |
| Abstract: | The luminescence mechanisms of nanocrystalline Ge and GeO embedded in SiO2 film have been investigated. The samples of Ge nanocrystals embedded in SiO2 films were prepared by Ge-ion implantation. The compositions of Ge and Ge oxide in samples were changed by systematically oxidation annealing or deoxidization annealing. The existence phases of Ge and Ge oxide and corresponding property of luminescence were measured by means of XRD and PL. The results suggest that the luminescence mechanism of luminescence peak at 300nm and 400nm is not due to the GeO defect luminescence but to the nanocrystalline GeO itself, and the luminescence mechanism of luminescence peak at 570nm does not result from defect luminescence of Ge and Si but from the nanocrystalline Ge (nc-Ge) itself. |
| Keywords: | nanocryatalline Ge nanocrystalline GeO ion implantation photoluminescence X-ray diffraction |
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