| 一种增强多孔硅光致发光稳定性的方法 |
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| 引用本文： | 黎学明,纪新瑞,杨建春,潘进.一种增强多孔硅光致发光稳定性的方法[J].重庆大学学报(自然科学版),2004,27(7):68-71. |
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| 作者姓名： | 黎学明 纪新瑞 杨建春 潘进 |
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| 作者单位： | 重庆大学,化学化工学院,重庆,400030;重庆大学,教育部光电技术及系统重点实验室,重庆,400030 |
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| 摘 要： | 以n型单晶硅为基底材料,采用电化学阳极氧化工艺和光化学氧化后处理工艺制备氧化多孔硅,利用扫描电子显微镜、红外光谱仪、荧光光谱仪研究氧化多孔硅形成前后的表面形态、组成、光致发光、耐碱性的变化.结果表明:光化学氧化后处理使n型多孔硅表面岛状硅柱间沟槽变窄,结构中出现Si―O键(波数1 146 cm-1和1 140 cm-1)、OSi―H键(波数2 254 cm-1)振动峰,在碱性介质中具有一定的耐蚀性;空气中贮存50 d,氧化多孔硅光致发光强度下降缓慢,发光峰位置无明显变化,具有良好的光致发光特性.
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| 关 键 词： | 多孔硅 稳定化 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-582X(2004)07-0068-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月17日 |
Method for Stabilization of n-Type Porous Silicon via Photochemical Reaction |
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| LI Xue-ming,JI Xin-rui,YANG Jian-chun,PAN Jin.Method for Stabilization of n-Type Porous Silicon via Photochemical Reaction[J].Journal of Chongqing University(Natural Science Edition),2004,27(7):68-71. |
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| Authors: | LI Xue-ming~ JI Xin-rui~ YANG Jian-chun~ PAN Jin~ |
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| Institution: | LI Xue-ming~1,JI Xin-rui~1,YANG Jian-chun~2,PAN Jin~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon stabilization photoluminescence |
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