| 溅射含纳米锗氧化硅复合薄膜的光致发光和拉曼特性 |
| |
| 引用本文： | 马书懿.溅射含纳米锗氧化硅复合薄膜的光致发光和拉曼特性[J].西北师范大学学报,2002,38(3):34-36. |
| |
| 作者姓名： | 马书懿 |
| |
| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院 甘肃兰州730070 |
| |
| 基金项目： | 甘肃省教委科研资助项目 (98117)，西北师范大学二期创新工程资助项目 (NWNU KJCXGC 2 14 )，西北师范大学
青年教师科研基金资助项目 (NWNU 2 0 0 1 2 6 ) |
| |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法制备了含纳米锗的氧化硅复合薄膜，在室温下对不同温度退火的样品测量了光致发光谱，其发光峰位均位于580nm，通过对样品所作的拉曼散射光谱的拟合，确定出了样品中纳米锗的尺寸，并发现纳米锗的平均尺寸随温度退火的升高在增大。
|
| 关 键 词： | 纳米锗 氧化硅复合膜 光致发光 拉曼散射 |
| 文章编号： | 1001-988X(2002)03-0034-03 |
| 修稿时间： | 2002年5月15日 |
Characteristics of photoluminescence and Ram an from nano-Ge Si oxide compound film |
| |
| MA Shu,yi.Characteristics of photoluminescence and Ram an from nano-Ge Si oxide compound film[J].Journal of Northwest Normal University Natural Science (Bimonthly),2002,38(3):34-36. |
| |
| Authors: | MA Shu yi |
| |
| Abstract: | Nano Ge Si oxide compound films are fabricated by RF magnetron sputtering technique.Photoluminescence spectra are measured for the samples annealed at different temperatures and all the photoluminescence peak positions are located around 580nm.The average sizes of nano Ge are obtained through the simulating of experimental Raman scattering spectra,and it can been shown that the average sizes of nano Ge increase with the annealing temperatures increasing. |
| |
| Keywords: | nano Ge Si oxide compound film photoluminescence Raman scattering |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
