| 含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性 |
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| 引用本文： | 杨琳琳,郭亨群.含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性[J].华侨大学学报(自然科学版),2006,27(3):256-258. |
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| 作者姓名： | 杨琳琳 郭亨群 |
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| 作者单位： | 华侨大学信息科学与工程学院,福建,泉州,362021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60336010) |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 纳米硅 光致发光 氧化硅薄膜 |
| 文章编号： | 1000-5013（2006）03-0256-03 |
| 收稿时间： | 2006-01-17 |
| 修稿时间： | 2006-01-17 |
Study on the Property of the Photoluminescence from Silicon Oxide Films Embedded Nanometer Silicon Particles |
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| Yang Linlin,Guo Hengqun.Study on the Property of the Photoluminescence from Silicon Oxide Films Embedded Nanometer Silicon Particles[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),2006,27(3):256-258. |
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| Authors: | Yang Linlin Guo Hengqun |
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| Institution: | College of Information Science and Engineering, Huaqiao University, 362021, Quanzhou, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering nanomeuer silicon photoluminescence silicon oxide films |
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