| SnO_2-Si光电极制备及其降解污染物性能 |
| |
| 引用本文： | 马瑞芬,于洪涛,吴帅,陈硕.SnO_2-Si光电极制备及其降解污染物性能[J].大连理工大学学报,2019,59(1):14-19. |
| |
| 作者姓名： | 马瑞芬 于洪涛 吴帅 陈硕 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学环境学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(21377020). |
| |
| 摘 要： | 通过化学气相沉积法,在清洁的n型Si表面制备SnO_2薄膜作为保护层,得到SnO_2-Si光电极.采用TEM、SEM、XRD、XPS、DRS等对其进行表征,研究了其在模拟太阳光下光催化降解苯酚的性能.在不同沉积温度下得到的样品中,400℃沉积得到的样品结晶度相对最高.SnO_2层厚度为230nm时SnO_2-Si光电极光电流响应最强,且分解水起始电位较正,用于降解污染物时可避免分解水副反应的发生.在中性、酸性、碱性电解质溶液中,其循环伏安曲线衰减均不明显,证明SnO_2-Si光电极具有稳定的光电化学性能.在可见光光电催化条件下,偏压为1.8V时,其苯酚的去除率达到100%,TOC去除率达到21%.
|
| 关 键 词： | 光电催化 SnO2 Si 保护层 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《大连理工大学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《大连理工大学学报》下载免费的PDF全文 |
|
