| 1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究 |
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| 引用本文： | 郑勇,肖鹏飞,易天成,王荣.1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2015(6):568-570. |
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| 作者姓名： | 郑勇 肖鹏飞 易天成 王荣 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,100875,北京;北京师范大学核科学与技术学院,100875,北京;2. 北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,100875,北京;北京师范大学核科学与技术学院,100875,北京;北京市辐射中心,100875,北京 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10675023;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120003110011) |
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| 摘 要： | 对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2(EV+0.41eV)和H3(EV+0.71eV).
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| 关 键 词： | GaAs/Ge太阳电池 电子辐照 光致发光 非辐射复合中心 |
Temperature dependent photoluminescence of the GaAs/Ge space solar cell after irradiation by 1 MeV electrons |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs/Ge solar cell electron irradiation photoluminescence non-radiative recombination center |
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