| a—Si／SiO2多量子阱材料光致发光特性 |
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| 引用本文： | 周赢武,郭亨群.a—Si／SiO2多量子阱材料光致发光特性[J].华侨大学学报(自然科学版),1999,20(3):237-239. |
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| 作者姓名： | 周赢武 郭亨群 |
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| 作者单位： | 华侨大学电气技术系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学重点课题基金 |
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| 摘 要： | 近年来硅发光已成为理论和材料研究的一个新热点，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料就是人们研制出的一种新的量子结构。有关理论表明，ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱中硅层的电子和空穴都受到很强的量子限制效应，硅层能带有可能由体硅的间接带隙转变为准直接带隙，该量子阱材料有可能具有较强的发光特性。
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| 关 键 词： | 多量子阱 硅 光致发光 二氧化硅 半导体 |
Photoluminescence Characteristic of a Si/SiO 2 Multiple Quantum Well Material |
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| Zhou Yingwu,Guo Hengqun.Photoluminescence Characteristic of a Si/SiO 2 Multiple Quantum Well Material[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),1999,20(3):237-239. |
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| Authors: | Zhou Yingwu Guo Hengqun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a Si/SiO 2 multiple quantum well photoluminescence quantum confinement effect |
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