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| GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性 | |
| 引用本文： | 王卿璞,程兴奎,陈寿花,马洪磊,孙卯秋.GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性[J].山东大学学报(理学版),1999,34(1):53-57. |
| 作者姓名： | 王卿璞 程兴奎 陈寿花 马洪磊 孙卯秋 |
| 作者单位： | 1. 山东大学物理系 2. 济南二轻中专 3. 济南半导体元件实验所 |
| 摘 要： | 采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为υ＝９６００ｃｍ－１，１２０２０ｃｍ－１，１２２４０ｃｍ－１，１２５５０ｃｍ－１和１３０７０ｃｍ－１，并对发光峰的位置进行了理论的说明 |
| 关 键 词： | 多量子阱 光致发光 波数 |
| 修稿时间： | :1998-05-0 |
PHOTOLUMINESCENCE OF GaAs/AlGaAs MQW METERIAL GROWN BY MOCVD |
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| Wang Qingpu,Cheng Xingkui,Chen Shouhua,Ma Honglei,Sun Maoqiu.PHOTOLUMINESCENCE OF GaAs/AlGaAs MQW METERIAL GROWN BY MOCVD[J].Journal of Shandong University,1999,34(1):53-57. | |
| Authors: | Wang Qingpu Cheng Xingkui Chen Shouhua Ma Honglei Sun Maoqiu |
| Abstract: | Photoluminescence of GaAs/AlGaAs MQW meterials grown by MOCVD was measured.Five luminescence peaks which are at 9 600 cm -1 ,12 020 cm -1 ,12 240 cm -1 ,12 550 cm -1 ,13 070 cm -1 ,respectively,have been observed.The positions for above five luminescence peaks are interpreted. |
| Keywords: | Multiquantum wells photoluminescence wave numbers |
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