35kV城网中性点经消弧线圈并联电阻接地方式下弧光接地过电压研究

选取过补偿脱谐度相对较小的消弧线圈以补偿电容电流,减小弧道残流、降低电弧重燃次数、提高故障自恢复概率;选取阻值相对较低的并联电阻以快速泄放对地电容的零序电荷,提高健全相、故障相及中性点的过电压衰减速度,减小熄弧后中性点恢复电压的上升速度和幅值,以有效抑制弧光接地引起的暂态过电压。ATP仿真结果表明,中性点经消弧线圈并联电阻接地方式是适用于电缆与架空导线混合的35kV城市配电系统较为理想的接地方式。     

智能仪表集散系统的防雷技术

详细阐述了雷电过电压产生的原理，传输渠道，对计算机网络系统的影响以及雷电过电压的保护技术。     

中低压电网铁磁谐振过电压产生机理及抑制措施分析

分析了中低压电网铁磁谐振过电压的发生机理,探讨了目前采用的消谐措施的优缺点。     

铂阳极在冰晶石-氧化铝溶液中的过电压

本文采用连续脉冲技术和电位扫描法研究了铂阳极上的过电压和反应机理,实验发现,在电流密度0.078～1.5A/cm~2的范围内过电压与电流密度的关系符合Tafel方程:η=0.22+0.21lgi (Ⅴ)此结果与Thonstad所观察的结果比较一致,但与Drassbach的数据相距较远,在实验的基础上,讨论了反应的控制步骤和反应历程,认为过电压由活化极化所引起,反应按复合脱附历程进行: 上述结论由残余电动势法和电位扫描法进一步证明,在实验中还观察到在铂阳极上也可以发生阳极效应,这在文献中还未见报道,但是铂阳极上的临界电流密度相当高,当氧化铝浓度饱和时为60A/cm~2。     

非同期合闸过电压模型及周期解逼近

全面概述了电力系统中非周期合闸过电压模型的建立及其各种可能形式。结合实际背景的物理意义，肯定合闸后系统要正常运转必存在周期解，结果给出了模型的周期解逼近及形式。     

一种抑制气体绝缘开关装置暂态地电位升高的措施

在分析外壳地电位升高原因的基础上，提出了用电磁暂态程序计算外壳地电位升高的等值计算模型．通过对外壳地电位升高的计算，表明外壳地电位的升高足以危害与气体绝缘开关装置(GIS)相连的外围设备．为了防止外壳地电位升高对GIS的外围连接设备的影响，提出用线路金属氧化物避雷器限制快速暂态过电压的幅值，用氧化锌阀片来改善GIS与外围设备的连接方式以限制外壳地电位升高．计算结果表明，加装金属氧化物避雷器不仅可以抑制快速暂态过电压，而且可以较为有效地抑制外壳地电位升高，且氧化锌阀片的残压越低，其对外壳地电位升高的抑制效果越好．对国内某550kV GIS的外壳地电位升高进行了现场实测，结果表明计算波形与实测波形比较吻合．     

快速暂态过电压的形成机制与抑制方法

为了研究封闭式组合电器(GIS)中隔离开关操作引起的快速暂态过电压的产生机制，采用了探求“激发模式”的思想方法．“激发模式”的分析方法可以抓住产生快速暂态过电压的主要因素，且所生物理图像清晰，非常有益于直接指导GIS的结构设计．通过分析，发现了高压套管电容效应和导体波阻抗跃变2种“激发模式”，由此提出了一种新的快速暂态过电压抑制方法．该方法是在GIS终端加上波阻抗较小的一段导体，以抑制快速暂态过电压．分析表明，这种方法对于抑制GIS端口处的快速暂态过电压是很有效的。     

铝电解中的阴极过程

对铝电解中的阴极反应、阴极过电压、阴极表面的双电层结构等阴极过程进行了研究,发现在+005～-005V(相对于铝阴极)电位区有一个还原电流峰和一个氧化电流峰,它们是Al3++3e→Al和Al-3e→Al3+·与阳极相比,阴极过电压较小,在001～3A/cm2的Taffel区,约为01V·在阴极表面的双电层中,第一层为Ca2+,Mg2+,Li+和Al3+离子,没有Na+离子,这说明,阴极过电压是因为Mg2+,Ca2+等离子形成的电化学双电层阻力所引起,同时也说明别略耶夫猜想基本是正确的·     

卫星通信地球站的雷电过电压防护

现在卫星通信地球站子系统越来越多的采用电子数据处理技术,而由雷击产生的过电压正是导致这个高度敏感系统频频受损的主要因素之一。防雷工作正在从以传统的防直击雷为主向防雷电感应过电压对通迅、控制、电源等系统的电子设备的损害而转变。本文重点探讨雷电过电压对卫星通信地球站的危害,从雷电过电压的入侵途径、入侵强度及产生危害展开,针对卫星通信地球站的特点提出相应的防护策略,力争将雷电过电压产生的危害降低到最低点。     

过压自保护晶闸管二维电场分析

应用有限元法,对两种不同门极结构的过压自保护光控晶闸管的电场分布进行计算机模拟,讨论了电场分布与结构参数的关系及其对过压自保护特性的影响.计算表明,无P~-层晶闸管的穴区最大电场同时受到穴径和穴深的制约,而有p~+层的晶闸管穴径对电场的影响可以忽略,穴区最大电场主要由穴深确定.理论和实验均表明,控制门极的穴径和穴深可以达到控制门极自保护特性的目的.