混合金属氧化物脱硫剂性能研究

选用铁氧化物及其它金属氧化物制成的脱硫剂，在优选工艺条件下与废气中ＳＯ＿２反应，使气体中ＳＯ＿２达到环保要求。小试中重点考察了脱硫剂的活性、硫容、寿命以及脱硫剂的再生。     

一种抑制气体绝缘开关装置暂态地电位升高的措施

在分析外壳地电位升高原因的基础上，提出了用电磁暂态程序计算外壳地电位升高的等值计算模型．通过对外壳地电位升高的计算，表明外壳地电位的升高足以危害与气体绝缘开关装置(GIS)相连的外围设备．为了防止外壳地电位升高对GIS的外围连接设备的影响，提出用线路金属氧化物避雷器限制快速暂态过电压的幅值，用氧化锌阀片来改善GIS与外围设备的连接方式以限制外壳地电位升高．计算结果表明，加装金属氧化物避雷器不仅可以抑制快速暂态过电压，而且可以较为有效地抑制外壳地电位升高，且氧化锌阀片的残压越低，其对外壳地电位升高的抑制效果越好．对国内某550kV GIS的外壳地电位升高进行了现场实测，结果表明计算波形与实测波形比较吻合．     

金属氧化物气敏传感器

根据检测气体的种类、组成成分和工作原理对气体传感器进行了分类,并详细介绍了金属氧化物的气敏机理和纳米技术对材料气敏性能的影响;着重从物理方法和化学方法两个方面介绍金属氧化物纳米颗粒的合成;探讨了气体传感器的发展方向.     

NiO-TiO_2纳米复合薄膜的阻变特性

利用溶胶凝胶法制备了不同n(Ni)/n(Ti)比的Ni O-TiO_2复合薄膜,电学测试表明薄膜具有可重复双极阻变特性,且开关比与Ni O薄膜相比有显著提升.400℃退火n(Ni)/n(Ti)为7∶1的样品阻变阈值电压低、开关比高且稳定性好,原因是Ni O-TiO_2薄膜可形成P-N结纳米结构.焦耳热分析表明薄膜荷电输运属于热激发,高阻态符合由氧空位缺陷俘获电荷所致空间电荷限制导电机制,低阻态为欧姆特性,阻变机理为电荷俘获及再释放.     

1.5 V 0.35μm CMOS 3.2 Gb/s 1:4分接器设计

采用CSM 0.35μm CMOS工艺,设计了低电压高速1∶4分接器.分接器采用半时钟树型结构,由1个高速1∶2分接器和2个低速1∶2分接器级联而成.整个电路实现的基本单元为共栅动态负载锁存器.电路最高可工作在3.2 Gb/s,电源电压为1.5 V,整体电路功耗约为120 mW,芯片面积为0.675 mm×0.675 mm.     

Linear-in-dB Variable-Gain Downconversion Mixer for Zero Intermediate Frequency Receivers

Introduction The zero intermediate frequency (ZIF) receiver archi- tecture[1-4] provides smaller form factors, fewer parts, lower power consumption, and lower cost transceivers. The incoming radio frequency (RF) signal is translated directly to the baseba…     

DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI 3种结构的器件.通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应.由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势.DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件.